本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:571150 用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能是經(jīng)常會(huì)用到的實(shí)用電路。和邏輯門電路類似,當(dāng)BJT用于開(kāi)關(guān)電路時(shí),也只工作于飽和區(qū)和截止區(qū)。
2023-02-14 11:49:311558 電力晶體管(Giant Transistor—GTR),是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 15:38:291076 8050晶體管是一種小型設(shè)備,用于引導(dǎo)便攜式無(wú)線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱,以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
為大家奉上GP,multisim對(duì)雙極性晶體管模型進(jìn)行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
Transistor,意為“雙極結(jié)晶體管”。也就是通常所說(shuō)的三極管。 一、BJT的開(kāi)關(guān)作用 BJT的開(kāi)關(guān)作用對(duì)應(yīng)于有觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的“斷開(kāi)”和“閉合”?! ∩蠄D所示電路用來(lái)說(shuō)明BJT開(kāi)關(guān)作用,圖中BJT為
2009-04-06 23:58:40
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊,請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?!
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么?
2021-04-23 06:25:38
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀,可以獲得晶體管的實(shí)際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),接下來(lái)我們就以BJT和FET為例來(lái)講述晶體管的工作原理。1.雙極性晶體管雙極性晶體管,英語(yǔ)名稱為Bipolar Transistor,是雙極性結(jié)型晶體管的簡(jiǎn)稱
2016-06-29 18:04:43
1.反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí),將萬(wàn)用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開(kāi)關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍!`
2016-11-08 14:12:33
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下,晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示?! ?晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
通過(guò)對(duì)單管共射放大電路的分析和計(jì)算,使得放大電路的組成原則更明確和具體了。放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用。在共射電路中,晶體管的b-e為輸入端,c-e為輸出端,利用iB對(duì)iC的控制作用,實(shí)現(xiàn)了電流
2019-03-07 06:30:00
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù),表示晶體管對(duì)交流(變化)信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比,即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”(之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管,例如SiC)。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且,正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首,電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
。 (3)微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路,只能用來(lái)計(jì)算交流分量,不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 (4)晶體管的輸入電阻 RbE(hie)一般可用下列近似公式進(jìn)行估算: 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且,正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首,電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1.晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)(C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途,不同類型的晶體管。 1.一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理(例如
2012-01-28 11:27:38
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種,通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱為晶體管,而單極型晶體管簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件,它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)(發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
Finfet技術(shù)(3D晶體管)詳解
2012-08-19 10:46:17
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
) 電流放大以下分析僅適用于NPN硅晶體管。如上圖所示,我們將流向基極 B 流向發(fā)射極 E 的電流稱為基極電流 Ib;從集電極C流向發(fā)射極E的電流稱為集電極電流Ic。這兩個(gè)電流的方向都是從發(fā)射極流出
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中,兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 編輯
ROHM 2Sx雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計(jì)用于工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。 這些BJT有PNP和NPN兩種極性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又稱為半導(dǎo)體三極管,它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替,MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
,例如光電晶體管,它們會(huì)對(duì)照射在其上的光量做出反應(yīng),從而產(chǎn)生流過(guò)它的電流。以下是不同類型晶體管的列表;我們將回顧一下創(chuàng)造它們的特征
晶體管的兩種主要類型是什么?
晶體管分為 BJT 和 FET 兩種
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類:雙極晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極:雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開(kāi)關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導(dǎo)體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎(chǔ)之外,光電晶體管的功能也是類似的。一個(gè)光敏晶體管被描述為一個(gè)去掉基極端子的 BJT,箭頭暗示基極對(duì)光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途,以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)?! ∈裁词泅捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管? 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定(對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的兩種主要類型是什么?
晶體管基本上分為兩種類型;它們是雙極結(jié)型
晶體管(
BJT)和場(chǎng)效應(yīng)
晶體管(FET)。
BJT再次分為NPN和PNP
晶體管。5.
晶體管有多少種??jī)煞N類型
晶體管有兩種類型,它們?cè)陔娐分?/div>
2023-02-03 09:32:55
各位大大你們好,本人最近在看鈴木雅臣的晶體管電路設(shè)計(jì)(下)一書(shū),對(duì)于柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)和晶體管開(kāi)關(guān)電路章節(jié)有些疑惑,希望能得到大家的詳解。具體如下:柵極接地放大電路的設(shè)計(jì):電路圖所下:在求交流
2016-04-27 22:50:34
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置,有人說(shuō)是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián),則雙極晶體管(BJT)可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高,BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí),如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)
2021-05-13 07:09:34
。對(duì)于NPN,它是灌電流?! ∵_(dá)林頓晶體管開(kāi)關(guān) 這涉及使用多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管,因?yàn)橛袝r(shí)單個(gè)雙極晶體管的直流增益太低而無(wú)法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中,一個(gè)小輸入雙極結(jié)型晶體管(BJT)晶體管參與打開(kāi)和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測(cè)晶體管的性能?怎樣去檢測(cè)特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
晶體管的開(kāi)關(guān)速度即由其開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)表征,開(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)速度就越快。BJT的開(kāi)關(guān)過(guò)程包含有開(kāi)啟和關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程,相應(yīng)地就有開(kāi)啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff,晶體管的總開(kāi)關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
結(jié)型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。前者是本次討論的重點(diǎn)?! ‰p極結(jié)型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型:NPN和PNP。這些名稱是指構(gòu)成組件的P型(正極)和N型(負(fù)極)半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過(guò)什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
晶體管的開(kāi)關(guān)速度即由其開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)表征,開(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)速度就越快。BJT的開(kāi)關(guān)過(guò)程包含有開(kāi)啟和關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程,相應(yīng)地就有開(kāi)啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff,晶體管的總開(kāi)關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和
2019-08-19 04:00:00
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?!鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進(jìn)行了分析??紤]了晶體管參數(shù),如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容(Co(tr))和關(guān)斷能量(Eoff)等,這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
IGBT 是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管,它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn),用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡(jiǎn)稱為 IGBT,是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的交叉,使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好?
2021-04-20 06:36:55
請(qǐng)問(wèn)能幫忙分析這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎?貌似VCC會(huì)對(duì)Vin造成直流干擾吧?在Vin和Lb間要加一個(gè)隔直電容吧?
2019-04-15 06:36:28
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
`作者:Mountain 畢業(yè)于燕山大學(xué),獲學(xué)士學(xué)位。工作5年多,一直從事醫(yī)療檢測(cè)及分析儀器設(shè)備相關(guān)的硬件電路設(shè)計(jì)工作。最初接到李老師的邀請(qǐng)要寫一篇晶體管使用心得的時(shí)候,內(nèi)心著實(shí)惶恐了一陣,畢竟
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
、上位機(jī)等,給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺(tái),給老司機(jī)交流的平臺(tái)。所有文章來(lái)源于項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn),屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電,故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
MOSFET的工作原理類似于BJT晶體管,但有一個(gè)重要的區(qū)別:
對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個(gè)源極。
2022-06-01 14:55:095214 雙極結(jié)型晶體管(BJT或雙極型晶體管,通常稱為三極管)是一種晶體管,其原理取決于兩個(gè)半導(dǎo)體之間的接觸。 BJT可用于放大器電路,開(kāi)關(guān)電路或振蕩電路。 BJT也可以用于單獨(dú)組件或集成電路中。 之所以
2022-06-12 14:45:153221 當(dāng)今最常見(jiàn)的三端半導(dǎo)體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是FET的變體。另一方面,BJT是雙極結(jié)型晶體管。
2022-06-20 16:37:3910912 雙極晶體管(BJT)是最基礎(chǔ)的集成電路器件之一,在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因?yàn)檫@種晶體管工作時(shí),電子和空穴兩種載流子均參與導(dǎo)電,所以被稱為雙極性結(jié)型晶體管,簡(jiǎn)稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:162454 對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個(gè)源極。
2022-11-21 09:44:153081 【科普小貼士】什么是雙極晶體管(BJT)?
2023-12-13 14:38:56403
已全部加載完成
評(píng)論
查看更多