GaN FET：提供AEC-Q101級(jí)耐用性

功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來(lái)出色的效率。但對(duì)于汽車應(yīng)用這樣的市場(chǎng)，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術(shù)不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產(chǎn)中兼顧質(zhì)量、可靠性和可擴(kuò)展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應(yīng)用。

Nexperia的GaN FET技術(shù)目前專注于650V的高功率應(yīng)用。包括AC/DC、PFC、OBC和DC/DC轉(zhuǎn)換，覆蓋電信、服務(wù)器、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)市場(chǎng)領(lǐng)域，該技術(shù)在這些領(lǐng)域具有高效率水平。但更重要的是，應(yīng)用還包括汽車電源轉(zhuǎn)換和牽引逆變器，因此器件需要符合AEC-Q1O1耐用性水平。

以下產(chǎn)品參數(shù)來(lái)自我們的50mΩ/650V器件(GAN063-650WSA)，但其它產(chǎn)品也具有以下的規(guī)格。

高可靠性柵極結(jié)構(gòu)(± 20 V)和高閾值電壓(4 V)為Vgs瞬態(tài)尖峰提供了安全裕量

高Vds瞬態(tài)電壓規(guī)格,可以處理高達(dá)800V的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)尖峰

-55至175°C工作溫度范圍,使其非常適合惡劣環(huán)境

極低的Vf (1.3 V @ 12 A),可實(shí)現(xiàn)類似硅Mosfet的反向續(xù)流能力,同時(shí)Qrr非常低

從上述產(chǎn)品參數(shù)可以看出，Nexperia GaN產(chǎn)品具有出色的耐用性。當(dāng)然，我們?nèi)孕柰ㄟ^(guò)重要的測(cè)試證明該耐用性符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。

確保GaN符合所需標(biāo)準(zhǔn)

汽車市場(chǎng)的一些標(biāo)準(zhǔn)堪稱嚴(yán)苛，Nexperia的650V GaN FET已通過(guò)AEC-Q101 Rev D級(jí)別的認(rèn)證測(cè)試。為了滿足這一嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品需要通過(guò)各種測(cè)試，包括：高溫反向偏壓(HTRB)測(cè)試、高低溫循環(huán)測(cè)試、柵極偏壓測(cè)試、偏壓和無(wú)偏壓的濕度測(cè)試、Nexperia的高溫工作壽命(HTOL)測(cè)試。最近的一份白皮書(shū)“650 V GaN FET可提供出色效率，以及AEC-Q101認(rèn)證所需的耐用性”中，Nexperia展示了一些測(cè)試結(jié)果，清楚地詮釋了我們的GaN FET符合甚至超越了當(dāng)前測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

HTRB測(cè)試期間的動(dòng)態(tài)Rdson測(cè)量值

強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，在50mΩ/650V器件GAN063-650WSA的測(cè)試中，通過(guò)AEC-Q101 Rev D認(rèn)證的條件是Rds(on)的偏移不超過(guò)20%。圖1顯示了測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)RDS(on)的偏移，最大偏移小于15%。

審核編輯：郭婷