功率MOSFET輸出電容為什么會隨著外加電壓增加而降低？

功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個參數(shù)，讀過功率MOSFET數(shù)據表的工程師應該注意到：輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，那么為什么會有這樣的特性？

眾所周知，當電容二端的電壓增加時，就會形成對電容的充電電流，電容二個電極上的電荷量也會增加，因此，電容二端電壓的變化是通過二個電極上的電荷的變化來實現(xiàn)。電容值的大小，和電容二個電極的面積A成正比，和二個電極的距離d成反比，和介質介電常數(shù)e成正比：

功率MOSFET的輸出電容Coss實際上是漏極D和源極S的PN結的電容，漏極D和源極S加上電壓VDS，PN結的耗盡層加寬，耗盡層、也就是空間電荷區(qū)內部的電荷數(shù)量增加，形成對PN結的充電電流，因此，這個特性表現(xiàn)出電容的特性，耗盡層在P區(qū)、N區(qū)內部的邊界，就相當于電容的二個電極。

圖1：功率MOSFET結構

圖2：功率MOSFET內部PN結耗盡層

功率MOSFET外加電壓VDS，輸出電容Coss的電荷數(shù)量的改變，是通過耗盡層厚度的改變來實現(xiàn)。外加電壓VDS增加，耗盡層厚度也相應的增加。在一定的外加偏置電壓下，如果偏置電壓發(fā)生非常小的變化，耗盡層厚度基本可以認為保持不變，耗盡層電荷的變化量與電壓的變化量成正比，那么，在此外加偏置電壓下，輸出電容Coss為：

外加電壓VDS比較小時，耗盡層的厚度也比較小，P區(qū)、N區(qū)初始的摻雜濃度相對比較高，自由導電的電子和空穴濃度比較高，因此，即使外加電壓VDS發(fā)生很小的變化dV，空間電荷區(qū)也會產生非常大的電荷變化dQ，由公式2可以得到，偏置電壓VDS比較小時，輸出電容Coss電容值非常大。

圖3：不同VDS電壓的PN結耗盡層

外加電壓VDS增加到一定值，耗盡層厚度也增加到一定值，P區(qū)、N區(qū)的自由導電的電子和空穴濃度被大量消耗，濃度非常低，相對于低偏置電壓VDS，為了得到同樣的空間電荷區(qū)電荷變化值dQ，就需要更大的外加電壓VDS的變化值dV1。由公式2可以得到，同樣的dQ，dV1>dV，因此，當偏置電壓VDS大時，Coss電容值就會變小。

同時，偏置電壓VDS大時，耗盡層的厚度增大，相當于Coss電容的二個電極的距離增加，因此，會導致Coss電容值進一步的降低。

圖4：AOT10N60的電容特性

綜上所述：功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的增加而降低，從而表現(xiàn)出非線性的特性；同樣，Crss電容具有相同的特性。