MOS管是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有G(gate 柵極)/D(drain 漏極)/S(source 源極)三個(gè)端口，分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)兩種。
2023-02-03 15:12:59
13419 
管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-16 17:00:154430 
管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-21 17:23:4612970 
NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。
2023-02-21 17:35:148860 
MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實(shí)際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無(wú)法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的位置以及它們各自導(dǎo)通的條件。
2023-02-28 17:08:424625 
如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-10 17:10:5711636 
如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:53:242724 MOSFET器件是數(shù)字集成電路的最小單位，因?yàn)镸OSFET的開(kāi)關(guān)特性和輸出曲線特性，由PMOS和NMOS組成的CMOS門(mén)電路，則為數(shù)字集成電路最基本的電路結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:49:588009 
傳輸門(mén)是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開(kāi)關(guān)。
2023-08-10 09:02:201943 
NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 09:18:034081 
本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成，有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu)，以及針對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細(xì)節(jié)，展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關(guān)系。
2023-11-15 09:30:471436 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
CMOS傳輸門(mén)跟一個(gè)單獨(dú)的NMOS管有什么區(qū)別?。看?在弄清什么是CMOS之前，首先要弄清什么是NMOS和PMOS。目前，一般
2012-05-21 17:38:20
NMOS+PMOS控制電池電壓輸出1.在MCU_CTL給高電平的時(shí)候，Q5、Q1導(dǎo)通，BAT_OUT輸出電池電壓3.7V，這個(gè)沒(méi)問(wèn)題2.在MCU_CTL給低電平的時(shí)候，Q5、Q1截止了
2021-09-24 18:45:53
NMOS、PMOS驅(qū)動(dòng)負(fù)載優(yōu)缺點(diǎn)常見(jiàn)的馬達(dá)、泵、繼電器等驅(qū)動(dòng)電路，都是NMOS，然后將負(fù)載放在高端（NMOS的D極或三極管的C極）；而圖中這種PMOS電路，將負(fù)載放在低端（NMOS的S極或三極管的e極），有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2023-02-03 18:43:21
NMOS與PMOS有哪些區(qū)別？NMOS與PMOS的電流流向是怎樣的？
2021-09-28 06:47:16
相對(duì)通用的電路【NMOS的驅(qū)動(dòng)電路與PMOS的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)別】電路圖如下： 圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路 這里只針對(duì)NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡(jiǎn)單分析： Vl和Vh分別是低端
2021-07-30 06:09:44
什么是MOS管？NMOS是什么？PMOS又是什么？NMOS管與PMOS管有哪些不同？
2021-10-15 09:09:38
大規(guī)模集成電路。此外，由于NMOS集成電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于使用CAD技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。與CMOS電路類(lèi)似,NMOS電路中不使用難于制造的電阻 。NMOS反相器是整個(gè)NMO邏輯門(mén)電路的基本構(gòu)件，它的工作管常用增強(qiáng)型
2009-04-07 00:18:19
NMOS的驅(qū)動(dòng)電路與PMOS的驅(qū)動(dòng)電路有何區(qū)別？NMOS驅(qū)動(dòng)電路的特性有哪些呢？
2021-11-03 08:07:37
MOS管分為P溝道MOS管和N溝道MOS管，其分別如下：PMOS管一般用于管理電源的通斷，屬于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，柵極低電平就完全導(dǎo)通，高電平就完全截止。而且，柵極可以加高過(guò)電源的電壓，意味著可以用5v信號(hào)
2016-12-29 16:00:06
前言：為了方便查看博客，特意申請(qǐng)了一個(gè)公眾號(hào)，附上二維碼，有興趣的朋友可以關(guān)注，和我一起討論學(xué)習(xí)，一起享受技術(shù)，一起成長(zhǎng)。1. 簡(jiǎn)介在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個(gè)更適合用于電源開(kāi)關(guān)
2021-10-28 07:04:20
PMOS管的簡(jiǎn)單應(yīng)用應(yīng)用原理介紹寄生參數(shù)選型應(yīng)用防反接電路高端驅(qū)動(dòng)應(yīng)用相比于NMOS，PMOS應(yīng)用較少，主要原因有導(dǎo)通電阻大于NMOS導(dǎo)通電阻，型號(hào)少，價(jià)格貴等，但在一些特殊的場(chǎng)合也有應(yīng)用。原理介紹
2022-01-13 08:22:48
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 13:38 編輯
Q1是PMOS還是NMOS？當(dāng)Vi=0V和3.3V時(shí)，V1和V0各輸出多少？上述為一道MOS管和電容之間的組合電路，對(duì)MOS管都忘掉了，不知道怎么解決，高手給個(gè)答案?。。。。。?！
2012-03-10 00:46:36
上一篇文章介紹了PMOS結(jié)構(gòu)LDO的基本工作原理，今天介紹NMOS LDO的基本工作原理，以及其他一些重要的LDO參數(shù)。包括PSRR、Dropout Voltage、Head room等。公眾號(hào)
2021-12-28 06:42:05
這篇博客介紹了PMOS和NMOS防反接電路，非常詳細(xì)，一看就懂。
2021-11-11 06:53:36
來(lái)導(dǎo)電，速度較慢。? Nmos:利用電子來(lái)做傳導(dǎo)的工作，因?yàn)殡娮拥钠扑俣燃s為空穴的二至三倍，因此在相同的條件下，nMOS制程的電路可以工作得比pMOS快。? Cmos：同時(shí)包含了nMOS和pMOS
2018-11-30 17:06:11
的強(qiáng)項(xiàng)。下面來(lái)介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的NMOS的電源開(kāi)關(guān)電路。1、NMOS做電源開(kāi)關(guān)（低端驅(qū)動(dòng)，最簡(jiǎn)單）由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-09-02 06:15:09
我最近在做一個(gè)微能源收集的項(xiàng)目，我們有1.5V 20mA的交流輸出，現(xiàn)在我想通過(guò)MOS管來(lái)降低整流過(guò)程中的壓降，但是相關(guān)資料里的4MOS管整流電路使用了2個(gè)PMOS和2個(gè)NMOS，為什么不使用4個(gè)NMOS來(lái)做這個(gè)整流電路那？NMOS不是各方面都比PMOS強(qiáng)嗎？
2019-07-24 15:39:22
大家好，如果我想使用spartan 6 FPGA實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的“和”門(mén)，請(qǐng)說(shuō)。我理解“和”門(mén)將被模擬到查找表中。有人可以對(duì)此有所了解嗎？和門(mén)真值表是否被移植到LUT？LUT中是否有pmos和nmos
2019-08-09 09:16:35
互補(bǔ)推挽H橋（2個(gè)NMOS+2個(gè)PMOS）和圖騰柱H橋（4個(gè)NMOS）有哪些優(yōu)缺點(diǎn)、以及應(yīng)用的場(chǎng)合？
2022-03-24 17:20:38
到的，于是設(shè)計(jì)了圖中圖1的結(jié)構(gòu)。但是有如下顧慮，希望用過(guò)的或者了解的朋友能給指點(diǎn)一二問(wèn)題1：圖1中Temp是ADC通道輸入引腳，圖2是ADC參考電壓的輸入腳，如果我通過(guò)控制柵極關(guān)閉NMOS管，是不是電流依然
2019-04-18 23:02:09
`一款內(nèi)置PMOS、NMOS的單通道H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用設(shè)計(jì) `
2018-07-02 09:36:53
1 MOS管導(dǎo)通截止原理NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾—>D，導(dǎo)通條件為
2023-02-17 13:58:02
單片機(jī)項(xiàng)目設(shè)計(jì)中常用的NMOS+PMOS控制電路是什么？
2022-02-11 06:12:37
CMOS反相器電路如圖2.7-1(a) (b)所示它由兩個(gè)增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成，其中V1為NMOS管，稱(chēng)驅(qū)動(dòng)管，V2為PMOS管，稱(chēng)負(fù)載管。
2020-03-30 09:00:46
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
NMOS管和PMOS管做開(kāi)關(guān)控制電路
2021-11-12 06:39:31
Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、常見(jiàn)的nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-11 06:28:29
弱弱的問(wèn)，在VDD的電壓差情況下，用PMOS和NMOS做power的decap分別有什么不同的考慮呢？請(qǐng)教一下，90nm以下，單個(gè)nmos做decap會(huì)有esd風(fēng)險(xiǎn)，是什么原因？
2021-06-22 06:04:16
上一節(jié)我們講了由NMOS與PMOS組成的CMOS，也就是一個(gè)非門(mén)，各種邏輯門(mén)一般是由MOSFET組成的。上圖左邊是NMOS右邊是PMOS。上圖兩圖是非門(mén)兩種情況，也就是一個(gè)CMOS，輸入高電壓輸出
2023-02-15 14:35:23
NMOS和PMOS的導(dǎo)通電壓哪個(gè)大一些?一般是多大？在選擇方面選哪種管子比較好？
2019-06-18 04:12:04
MOS管開(kāi)關(guān)電路學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS？在選擇這兩種MOS管之前，需要弄清兩個(gè)問(wèn)題：1.高端驅(qū)動(dòng) 2.低端驅(qū)動(dòng)...
2021-10-29 08:16:03
之前一直聽(tīng)說(shuō)
Pmos的工藝難度難于
Nmos，但是一直沒(méi)高清楚具體是為什么？不知道論壇的大大們有誰(shuí)了解的，能給一個(gè)比較完整的答案。渣渣在這里拜謝了?。。。。?/div>
2015-05-07 17:07:11
CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì):采用GG2NMOS 結(jié)構(gòu)的ESD 保護(hù)電路的工作原理和對(duì)其進(jìn)行的ESD 實(shí)驗(yàn),提出了一種保護(hù)電路的柵耦合技術(shù)方案,并達(dá)到了預(yù)期效果. 通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以看出其性
2009-11-20 14:48:43
41 摘要：采用GG-NMOS結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)電路的工作原理和對(duì)其進(jìn)行的ESD實(shí)驗(yàn)，提出了一種保護(hù)電路的柵耦合技術(shù)方案，并達(dá)到了預(yù)期效果．通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以看出其性能達(dá)到了人體放電模式的2級(jí)
2010-05-08 09:41:4524 基于交叉耦合NMOS 單元,提出了一種低壓、快速穩(wěn)定的CMOS 電荷泵電路。一個(gè)二極管連接的NMOS 管與自舉電容相并聯(lián),對(duì)電路進(jìn)行預(yù)充電,從而改善了電荷泵電路的穩(wěn)定建立特性。PMOS 串聯(lián)開(kāi)
2011-11-02 11:25:4771 mos管，分為N溝道和P溝道兩種。我們常用的是NMOS，因?yàn)槠鋵?dǎo)通電阻小，且容易制造。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。
2017-11-06 10:40:12291434 
本文開(kāi)始介紹了mos管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理和MOS管應(yīng)用，其次介紹了PMOS管的概念和工作原理，最后介紹了兩種判斷NMOS管和PMOS管的方法。
2018-04-03 14:12:1827057 
門(mén)由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS管并聯(lián)構(gòu)成，其具有很低的導(dǎo)通電阻（幾百歐）和很高的截止電阻（大于10^9歐）。所謂傳輸門(mén)（TG）就是一種傳輸模擬信號(hào)的模擬開(kāi)關(guān)。CMOS傳輸門(mén)由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET并聯(lián)而成。
2018-04-08 14:06:4571533 
由前面的基礎(chǔ)可知，CMOS只能實(shí)現(xiàn)基本邏輯的非，比如或邏輯，與邏輯，如果不加反相器，CMOS只能實(shí)現(xiàn)或非，與非邏輯。原因就是上拉邏輯只能用PMOS實(shí)現(xiàn)，下拉邏輯只能由NMOS實(shí)現(xiàn)，而PMOS的導(dǎo)通需要輸入信號(hào)為0，NMOS導(dǎo)通需要輸入信號(hào)為1。
2018-09-07 14:43:205465 
項(xiàng)目中最常用的為增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。由于NMOS其導(dǎo)通電阻小，且容易制造所以項(xiàng)目中大部分
2018-09-23 11:44:0063079 
不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路（見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路）出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單
2018-11-27 16:46:263162 。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要獨(dú)立控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)影響其他開(kāi)關(guān)的通與斷，即開(kāi)關(guān)之間相互獨(dú)立，相互無(wú)關(guān)。常在人機(jī)交互場(chǎng)景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023364 
參考上面的CMOS反相器圖，由于CMOS器件輸入端的電壓在5伏和0伏之間變化，因此PMOS和NMOS的狀態(tài)將相應(yīng)地不同。
2021-01-21 11:37:4911855 
了解 MOS 管的開(kāi)通 / 關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用 PMOS 做上管、NMOS 做下管比較方便。使用 PMOS 做下管、NMOS 做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。
2020-12-11 22:57:0036 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供電路：PMOS做上管、NMOS做下管資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:0130 在電路中，NMOS經(jīng)常用作下管，S極接地，用G極來(lái)控制管子的導(dǎo)通截止，很方便。 NMOS用作上管時(shí)，因?yàn)镾極電平不確定，即G極電平也不好確定，很不方便。 PMOS經(jīng)常用作上管，S極接固定的VCC
2021-08-10 10:17:158221 的強(qiáng)項(xiàng)。下面來(lái)介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的NMOS的電源開(kāi)關(guān)電路。1、NMOS做電源開(kāi)關(guān)（低端驅(qū)動(dòng)，最簡(jiǎn)單）由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-10-21 15:06:2037 了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷
2021-10-21 17:06:04101 MOS管開(kāi)關(guān)電路學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。 選擇NMOS
2021-10-22 14:21:0010 Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、常見(jiàn)的nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-06 19:36:0043 NMOS管和PMOS管做開(kāi)關(guān)控制電路
2021-11-07 13:36:00113 用MOS做高側(cè)開(kāi)關(guān)時(shí)，PMOS比NMOS更便于控制，不用額外的電荷泵升壓，柵極拉低和置高就能控制通斷。而隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，PMOS在導(dǎo)通內(nèi)阻方面的參數(shù)漸漸好轉(zhuǎn)，逐步縮小了與NMOS的差距，使得
2021-11-07 13:51:0364 大家好，我是記得誠(chéng)。在電路中，NMOS經(jīng)常用作下管，S極接地，用G極來(lái)控制管子的導(dǎo)通截止，很方便。NMOS用作上管時(shí)，因?yàn)镾極電平不確定，即G極電平也不好確定，很不方便。PMOS經(jīng)常
2021-11-09 21:06:007 PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低，所以為了實(shí)現(xiàn)相同的電流輸出，我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
2022-10-31 11:16:116184 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對(duì)互補(bǔ)的NMOS和PMOS晶體管。
2022-11-02 17:25:202970 
大家好，今天講解用PMOS跟NMOS做H橋控制直流電機(jī)的正反轉(zhuǎn)。
2022-11-11 17:10:163581 
MOS管也叫場(chǎng)效應(yīng)管，它可以分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導(dǎo)體，而由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路。
2023-02-20 09:58:23571 在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個(gè)更適合用于電源開(kāi)關(guān)這種場(chǎng)合，大部分都是從工藝，導(dǎo)通電阻 Rds 來(lái)解釋?zhuān)S著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，現(xiàn)今的 PMOS 與 NMOS 之間差距已經(jīng)不大了，從 SOT-23 的封裝來(lái)看，兩者的大小也是差不多的。個(gè)人覺(jué)得，PMOS 用于電源開(kāi)關(guān)更多是為了方便控制。
2023-03-10 13:49:594763 
NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示。
2023-03-10 15:33:283625 
如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:54:4313206 利用CMOS設(shè)計(jì)電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
2023-04-11 09:01:564871 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對(duì)互補(bǔ)的NMOS和PMOS晶體管。
2023-05-29 14:18:491082 
CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。
2023-07-06 14:25:011786 
具體的在版圖設(shè)計(jì)中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來(lái)看看吧
2023-09-12 10:28:301972 
如果把cmos反相器中的nmos和pmos顛倒連接，電路能否工作？為什么？ CMOS反相器是數(shù)字電路中非?；A(chǔ)的一種電路，也被廣泛應(yīng)用于不同的場(chǎng)合中，例如計(jì)算機(jī)處理器、通訊系統(tǒng)、自動(dòng)控制系統(tǒng)
2023-09-12 10:57:241753 管是p型MOSFET。這兩種管子的主要區(qū)別是導(dǎo)通時(shí)的極性。 本文將詳細(xì)介紹使用NMOS和PMOS管的兩級(jí)運(yùn)放輸入級(jí)之間的區(qū)別。 1.結(jié)構(gòu)區(qū)別： 兩級(jí)運(yùn)放的輸入級(jí)通常由一個(gè)差分放大器和一個(gè)共源共極放大器組成。在差分放大器中使用了兩個(gè)輸入MOS管，而共源共極放大器則使用一個(gè)單端輸入MOS管。 對(duì)于兩
2023-09-17 17:14:341951 PMOS二極管連接和NMOS二極管連接做負(fù)載的區(qū)別是什么？? PMOS二極管和NMOS二極管都是基礎(chǔ)電子元件，用于構(gòu)建各種電路，包括邏輯門(mén)、放大器、時(shí)鐘電路和計(jì)時(shí)器。雖然它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)上有所不同，但都有
2023-09-18 18:20:281235 和低噪聲。然而，PMOS和NMOS之間存在噪聲差異，而PMOS的閃爍噪聲通常低于NMOS。本文將進(jìn)一步探討這個(gè)問(wèn)題，并解釋為什么會(huì)出現(xiàn)這種情況。 首先，我們需要了解PMOS和NMOS的基本結(jié)構(gòu)和原理。 MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種用于放大、開(kāi)關(guān)和其他電路功能的電子元件
2023-09-20 17:41:311270 標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝：就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個(gè)nmos然后再做一個(gè)N阱，再在N阱中摻入p+區(qū)形成PMOS。
2023-10-18 15:46:001492 
PMOS和NMOS為什么不能同時(shí)打開(kāi)？PMOS可以背靠背使用，那NMOS呢？ PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET（MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。這兩種晶體管有著不同的電性質(zhì)和工作方式，因此不能同時(shí)
2023-10-23 10:05:221022 PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類(lèi)型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式，也稱(chēng)為CMOS技術(shù)，其中C代表互補(bǔ)（Complementary
2023-12-07 09:15:361025 NMOS和PMOS是常見(jiàn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的兩種類(lèi)型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔谩?b class="flag-6" style="color: red">NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異體現(xiàn)了它們的不同工作原理和特性。接下來(lái)，我們
2023-12-18 13:56:221530 設(shè)計(jì)一個(gè)NMOS和PMOS管的開(kāi)關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識(shí)、原理和設(shè)計(jì)過(guò)程。在本文中，我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)考慮因素、電路元件的選擇以及實(shí)際電路的構(gòu)建和測(cè)試
2023-12-21 16:57:151134 NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
2024-01-15 18:17:14386 
管）和NMOS管（N型MOS管）。每種類(lèi)型的MOS管都有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)合。 PMOS管防反接 在電源的正極線路中，將PMOS管的源極（S）和漏極（D）串聯(lián)連接時(shí)，一旦晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，源極和漏極間的電阻通常處于非常低的水平，大約只有
2024-02-16 10:31:00438 
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