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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>Microchip投資8.8億美元擴(kuò)大碳化硅(SiC)和硅(Si)生產(chǎn)能力

Microchip投資8.8億美元擴(kuò)大碳化硅(SiC)和硅(Si)生產(chǎn)能力

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【直播邀請】羅姆 SiC碳化硅)功率器件的活用

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2018-10-10 11:06:5627462

盤點國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅市場,X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138137

Cree宣布投資10億美元 用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動化
2019-05-14 10:24:443586

科銳宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場對碳化硅SiC)的需求持續(xù)增長,國內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:053967

Cree將投資10億美元 擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

2019年5月7日,美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。
2019-05-10 09:15:193496

Cree將宣布投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

先進(jìn)的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動汽車和5G市場需求。
2019-05-10 17:53:574352

SiC熱潮來襲!科銳投資10億美元擴(kuò)產(chǎn)SiC

Cree將投資10億美元,擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-13 14:57:223403

碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)

碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元
2019-08-15 18:14:0310202

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢分析

碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC碳化硅)是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比,SiC 具有十倍的介電擊穿場強(qiáng)、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。在半導(dǎo)體材料中形成器件結(jié)構(gòu)
2021-06-15 17:27:148206

Microchip宣布擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合

Inc.(美國微芯科技公司)宣布擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。 Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率,之前的技術(shù)要求設(shè)計人員在性能上做出妥協(xié)并使用
2021-08-12 11:14:191807

東芝碳化硅芯片產(chǎn)能擴(kuò)大10倍 電動汽車成主要驅(qū)動力!

碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。 ? 東芝計劃擴(kuò)大10倍產(chǎn)能 ? 東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司東芝電子元件及儲存裝置,計劃在2023年將旗下姬路半導(dǎo)體工廠的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)量擴(kuò)增至2020年度的3倍,在2025年度進(jìn)一步擴(kuò)增到10倍,東芝半導(dǎo)體的目標(biāo)是最
2021-12-09 17:40:562506

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981

什么是碳化硅SiC)?

碳化硅SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420965

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅的工作原理、優(yōu)點及主要用途

  碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合成。其晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型體的特點,在半導(dǎo)體領(lǐng)域最常見的是具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的3C-SiC和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的4H-SiC和6H-SiC。
2023-02-06 16:45:255487

何謂SiC碳化硅)?

碳化硅SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng),在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:083923

碳化硅是由分子還是原子組成的?

碳化硅SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
2023-02-12 17:05:562167

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

緯湃科技和安森美簽署碳化硅SiC)長期供應(yīng)協(xié)議,共同投資碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 緯湃科技正在鎖定價值 19億美元(17.5億歐元)的碳化硅SiC產(chǎn)能 緯湃科技通過向安森美提供 2.5億美元(2.3億歐元)的產(chǎn)能投資 ,獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù),以實現(xiàn)
2023-06-02 19:55:01348

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:08743

6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636

英飛凌或在歐洲自行生產(chǎn)碳化硅晶體,以求供應(yīng)穩(wěn)定

可以大量生產(chǎn)的制造企業(yè)。隨著新能源汽車市場的增長,行業(yè)對碳化硅的需求將持續(xù)增加,但目前的生產(chǎn)能力非常有限。
2023-06-28 09:59:39359

碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?

碳化硅SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
2023-08-12 11:46:08469

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)正加快8英寸SiC產(chǎn)能建設(shè),滿足客戶需求

8月,天科合達(dá)開工建設(shè)位于徐州的碳化硅二期擴(kuò)大生產(chǎn)工程,總投資8.3億元。該項目投入生產(chǎn)后,每年有16萬個碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力。該公司已經(jīng)6英寸和8英寸碳化硅制造的需要,可以滿足開發(fā)了以第五代晶體生長爐,到2024年8英寸碳化硅基片的少量供給為目標(biāo),到2025年第三季度將確保穩(wěn)定的納涼。
2023-08-24 09:53:21745

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么?碳化硅的實際應(yīng)用優(yōu)勢

如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-05 10:56:05277

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43394

Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊

Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292

奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

前段時間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423

安世半導(dǎo)體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

功率電子器件從硅(Si)到碳化硅SiC)的過渡

眾所周知,硅(Si)材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。硅材料從沙子中提煉,構(gòu)筑了遠(yuǎn)比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今,碳化硅SiC)材料作為一種衍生技術(shù)進(jìn)入了市場——相比硅材料,它可以實現(xiàn)更高
2023-12-21 10:55:02182

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