、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢(shì)在于近乎理想的動(dòng)態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài)，當(dāng)二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r(shí)，有很低的反向恢復(fù)時(shí)間，而且在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個(gè)方面進(jìn)行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
Si整流器與SiC二極管：誰會(huì)更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性進(jìn)行了比較。下面對(duì)二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區(qū)別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
，已實(shí)施了評(píng)估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗(yàn)相同的試驗(yàn)中，確保了充分的可靠性。另外，關(guān)于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動(dòng)在包括車載
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
如此。我想以二極管為例詳細(xì)進(jìn)行說明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動(dòng)的機(jī)理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢(shì)壘二極管，因此金屬與n型半導(dǎo)體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
防雷過壓器件的具體作用二極管的應(yīng)用二極管是什么原理二極管有哪些分類？
2021-03-16 13:54:35
二極管簡(jiǎn)易直流穩(wěn)壓電路及故障處理二極管溫度補(bǔ)償電路及故障處理二極管控制電路及故障處理二極管限幅電路及故障處理二極管開關(guān)電路及故障處理二極管檢波電路及故障處理繼電器驅(qū)動(dòng)電路中二極管保護(hù)電路及故障處理
2021-03-10 07:14:45
Boost升壓PFC電感上的二極管是做什么的？二極管的作用
2021-02-24 07:49:55
VF特征的肖特基勢(shì)壘二極管，下面將分別予以說明。雖然作了上述分類，但原則上，Si二極管均屬由陽極和陰極構(gòu)成的元器件，表示其本質(zhì)功能和特性的項(xiàng)目基本相同。那么“究竟有什么區(qū)別呢？”，答案就是“根據(jù)
2018-12-03 14:30:32
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：
2021-03-22 17:25:26
? 一、ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。二、ESD保護(hù)二極管，主要應(yīng)用于板級(jí)保護(hù)；TVS二極管用于初級(jí)
2022-05-18 11:23:17
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
的阻抗值由高阻抗變?yōu)榈妥杩?，以吸收一個(gè)瞬間大電流，把TVS的兩端電壓箝制在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上，從而保護(hù)后級(jí)電路不受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊。那么，TVS二極管用什么替代？這個(gè)問題比較模糊。關(guān)于能否用穩(wěn)壓二極管
2022-05-19 15:30:42
TVS二極管，也叫瞬變二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、瞬變抑制二極管、瞬態(tài)抑制二極管、TVS、TVS二極管、TVS管、二極管TVS等等，叫法很多，不同的客戶叫法略有差異，但是東西都是一個(gè)東西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢(shì)
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
續(xù)流二極管作用及工作原理是什么？續(xù)流二極管為什么要反向接個(gè)二極管呢？續(xù)流二極管在正激開關(guān)電源的作用是什么？在變流技術(shù)中，續(xù)流二極管在電路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
發(fā)光二極管與激光二極管在發(fā)光原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在工作原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在架構(gòu)上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在效能上有何差別？
2021-07-28 07:02:48
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
封裝產(chǎn)品正在開發(fā)中）使用SiC SBD可顯著減少開通損耗，并大大降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低損耗SiC SBD作為IGBT續(xù)流二極管的IGBT產(chǎn)品。 與使用Si快速恢復(fù)
2022-07-27 10:27:04
`快恢復(fù)二極管從名稱上很好理解，肖特基二極管是以人名命名，由于制造I藝完全不同，是肖特基博士的一個(gè)創(chuàng)新。肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二極管
2018-11-01 15:26:11
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
1.整流二極管作用：利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦园呀涣麟娮兂擅}動(dòng)直流電，整流二極管結(jié)構(gòu)主要是平面接觸型，其特點(diǎn)是允許通過的電流比較大，反向擊穿電壓比較高，但PN結(jié)電容比較大，一般廣泛應(yīng)用于處理頻率不高
2018-10-18 15:45:32
的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較?；謴?fù)的時(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
電場(chǎng)而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個(gè)商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
如何識(shí)別普通二極管？晶體二極管的參數(shù)有哪些？普通二極管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
請(qǐng)問一下怎樣使用集成二極管和外部二極管呢？
2022-12-05 12:04:41
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
他Si二極管相比不算很高。ROHM的SBD產(chǎn)品陣容不僅具有以超低VF為特征的用于提升效率的系列，還具有保持耐壓的同時(shí)將IR抑制到微安培的超低IR系列。下圖為針對(duì)應(yīng)用要求，以IR為縱軸，以VF為橫軸
2018-12-04 10:10:19
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
正常情況下，要滿足穩(wěn)壓二極管的反向電壓是等于或者大于整流二極管的方向電壓。普通二極管是指工藝材料沒有什么特殊的二極管。其性能也就沒有特點(diǎn)了。能不能代替整流二極管呢？根據(jù)二極管的使用原則，只要其耐壓
2021-05-26 16:49:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
肖特基二極管包括普通功率肖特基勢(shì)壘二極管(PowerSchottkyBarrierDiode,SBD)、結(jié)勢(shì)壘控制的肖特基(JunctionBarrierControlledShottky，JBS
2019-02-12 15:38:27
二極管和超快恢復(fù)二極管、快速恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較。由表可見，硅高速開關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。4、SiC高壓SBD 由于Si
2016-11-14 20:01:52
電子元器件在模塊中運(yùn)用的二極管有穩(wěn)壓二極管，整流二極管，其中整流二極管在電壓轉(zhuǎn)換進(jìn)程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸入端，兩個(gè)整流二極管在不同時(shí)段導(dǎo)通，使交流脈動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換為直流脈動(dòng)。在本實(shí)驗(yàn)中
2012-12-13 15:06:51
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護(hù)二極管，主要應(yīng)用于板級(jí)保護(hù)；TVS二極管用于初級(jí)和次級(jí)
2020-12-24 14:55:58
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護(hù)二極管，主要應(yīng)用于板級(jí)保護(hù)；TVS二極管用于初級(jí)和次級(jí)
2021-12-30 17:52:36
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
`海飛樂技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復(fù)二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
穩(wěn)壓二極管；反之，如果測(cè)得的反向電阻值仍很大，說明該管為整流二極管或檢波二極管。這種判別方法的原理是，萬用表Rx1k擋內(nèi)部使用的電池電壓為1.5V，一般不會(huì)將被測(cè)管反向擊穿，所以測(cè)出的反向電阻值比較大。而用
2021-08-16 17:04:51
擊穿前通過反向特征和PN結(jié)雪崩效應(yīng),他們都有穩(wěn)定電壓反向接入電路的功能,但是它們不是相同的。穩(wěn)壓二極管用于固定輸入電壓在某一值，TVS二極管主要用于防止瞬態(tài)高壓對(duì)箝位后電路;3.響應(yīng)時(shí)間一般來說
2021-12-21 11:16:32
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特點(diǎn)是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3
2021-01-13 16:36:44
在通信電源、變頻器等中比較常見，常用的封裝形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247，貼片肖特基二極管型號(hào)命名以SS開頭的比較多。肖特基二極管：根據(jù)所承受電流的的限度，封裝形式大致分為
2021-07-09 11:45:01
，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱為肖特基二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?.4V，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級(jí)管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要全面考慮。 肖特基二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以
2019-02-20 12:01:29
非常快，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。 但是，由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管
2017-10-19 11:33:48
肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)：肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即為肖特基整流二極管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管
2021-06-30 17:04:44
（簡(jiǎn)稱SBD）它屬于一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有
2020-10-27 06:31:18
1.成本 目前肖特基二極管廣泛應(yīng)用的最大障礙還是成本。可以說，如果肖特基二極管的成本能夠降到接近于硅器件的水平,那么很多問題就能迎刃而解，而不會(huì)是今天這個(gè)局面。目前最典型的Sic肖特基=_極管產(chǎn)品
2018-11-14 14:54:30
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？欤_關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用?！ 【哂虚_關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。`
2018-10-25 14:48:50
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢(shì)壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
電子行業(yè)的采購(gòu)人員來講，確實(shí)很頭疼，可能一不下心就會(huì)踏入誤區(qū)，看完下文，相信你會(huì)有醍醐灌頂?shù)母杏X。一、肖特基二極管定義：肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD
2019-04-12 11:37:43
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個(gè)二極管的時(shí)候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場(chǎng)合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個(gè)二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
(Ge管)和硅二極管(Si管)。 根據(jù)其不同用途：可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。 按照管芯結(jié)構(gòu)
2019-09-12 14:48:45
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27
501 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管：下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長(zhǎng)，與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績(jī)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識(shí)。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動(dòng)。
2023-02-23 11:24:11586 
來源：國(guó)星光電官微 近日，國(guó)星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。這標(biāo)志著國(guó)星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
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