SiC-SBD和SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。

電源 IC等通過(guò)不同的架構(gòu)和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項(xiàng)目來(lái)選型的。此時(shí)，提前了解各產(chǎn)品的具體不同之處，有助于縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。

SiC-SBD的發(fā)展

ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流產(chǎn)品，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)近50種機(jī)型的量產(chǎn)銷售。下圖是第1代到第3代的正向電壓與電流特性（VF vs IF）、以及正向電壓與抗浪涌電流特性（VF vs IFSM）比較圖。

第2代SiC-SBD通過(guò)改善制造工藝，保持了與以往產(chǎn)品同等的漏電流和trr性能，同時(shí)將VF降低了約0.15V。因而改善了VF帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗。

第3代致力于提高抗浪涌電流特性（IFSM）并改善漏電流（IR）性能，采用了JBS（Junction Barrier Schottky）結(jié)構(gòu)。
JBS結(jié)構(gòu)基本上是對(duì)IFSM和IR有效的結(jié)構(gòu)，成功地進(jìn)一步改善了第2代實(shí)現(xiàn)的低VF特性。Tj＝25℃時(shí)的代表值相同，Tj＝150℃的條件下VF比第2代降低了0.11V。也就是說(shuō)，高溫條件下的工作更有利了。下面是第2代和第3代SiC-SBD的反向電壓VR和反向（漏）電流IR圖表，以及改善項(xiàng)目的數(shù)值比較表。

下面是為進(jìn)一步理解VF的溫度特性，從技術(shù)規(guī)格中抽取的圖表。左側(cè)為第2代產(chǎn)品“SCS210AG”，右側(cè)為第3代產(chǎn)品“SCS310AP”，兩者均為650V/10A。由圖可知，第3代產(chǎn)品在高溫時(shí)的VF-IF曲線坡度陡峭，相對(duì)同一IF，VF較低，已經(jīng)得到改善。

當(dāng)前供應(yīng)的產(chǎn)品與開發(fā)計(jì)劃

下面是當(dāng)前供應(yīng)的第2代產(chǎn)品和第3代產(chǎn)品。兩者均在持續(xù)進(jìn)行機(jī)型擴(kuò)充中。希望下面給出的產(chǎn)品陣容能夠成為大家進(jìn)行個(gè)別規(guī)格確認(rèn)等的參考。

第2代 SiC-SBD
?

第3代 SiC-SBD
?

審核編輯：郭婷

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晶體管(134509) 晶體管(134509)
SiC(61351) SiC(61351)

評(píng)論

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1839

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型

分段、機(jī)理解耦與參數(shù)解耦，突出器件開關(guān)特性，弱化物理機(jī)理，簡(jiǎn)化瞬態(tài)過(guò)程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態(tài)模型。理論計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比表明，該模型能夠較為精細(xì)地體現(xiàn)SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)波形且能夠較為準(zhǔn)確地計(jì)算

2018-02-01 14:01:34

第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管：SCS3系列

前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。

2018-04-09 15:42:50

6274

SiC-SBD的正向特性,與正向電流及溫度的依賴關(guān)系

Si-FRD從正向切換到反向的瞬間會(huì)產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。這是因?yàn)檎蛲姇r(shí)積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進(jìn)行電傳導(dǎo)直到消亡（該時(shí)間也稱為積聚時(shí)間）。

2018-04-10 11:02:21

7703

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2018-05-17 09:33:13

13514

SiC功率元件憑借電動(dòng)車發(fā)展擴(kuò)大應(yīng)用,成本問(wèn)題為主要考量

受惠于電動(dòng)車市場(chǎng)需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD(SiC-蕭特基二極管)、SiC-MOSFET、Hybrid-SiC module(IGBT+SBD)以及Full-SiC module。

2019-05-06 15:54:49

2596

SiC功率元件憑借電動(dòng)車發(fā)展擴(kuò)大應(yīng)用成本問(wèn)題為主要考量

受惠于電動(dòng)車市場(chǎng)需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD（SiC-蕭特基二極管）、SiC

2019-05-22 17:29:12

1512

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道，IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn)，第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC

2020-03-20 15:56:28

4190

英唐智控?cái)M收購(gòu)上海芯石，打通第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈

據(jù)了解，上海芯石在半導(dǎo)體功率器件芯片尤其是肖特基二極管芯片領(lǐng)域具有十幾年的技術(shù)儲(chǔ)備及行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，目前業(yè)務(wù)產(chǎn)品主要覆蓋兩大類別：Si 類（SBD、 FRED、MOSFET、IGBT、ESD 等功率芯片產(chǎn)品）、SiC 類：（SiC-SBD、 SiC-MOSFET）。

2021-02-01 16:40:19

2464

Vishay SiC-SBD優(yōu)異的性能是如何煉成的

功率半導(dǎo)體器件，也被稱作電力電子器件，是用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路的大功率電子器件，由于其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到能耗的多少，所以在當(dāng)今節(jié)能減排的大趨勢(shì)下備受重視，成為了電子圈關(guān)注的一個(gè)焦點(diǎn)。

2021-12-07 15:20:32

1625

Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

一、SiC模塊的特征電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT

2023-01-12 16:35:47

489

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。

2023-02-06 14:39:51

645

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速

2023-02-07 16:46:27

501

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT

2023-02-07 16:48:23

646

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。

2023-02-08 13:43:17

404

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。

2023-02-08 13:43:18

378

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 13:43:18

396

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)

關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。

2023-02-08 13:43:18

705

SiC-SBD的可靠性試驗(yàn)

SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長(zhǎng)，與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績(jī)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識(shí)。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。

2023-02-08 13:43:18

364

SiC-MOSFET的特征

繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。

2023-02-08 13:43:19

211

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。

2023-02-08 13:43:21

685

第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管SCS3系列介紹

ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。

2023-02-10 09:41:07

305

第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管介紹

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。

2023-02-10 09:41:07

611

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

1333

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

2023-02-13 09:30:04

331

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

2023-02-13 09:30:07

401

淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設(shè)備的效率與安全余量

－進(jìn)入主題之前請(qǐng)您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請(qǐng)您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。

2023-02-16 09:55:07

759

SiC-SBD特征以及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。

2023-02-22 09:16:27

492

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。

2023-02-22 09:17:07

198

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

2023-02-22 09:18:59

140

使用SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)

SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。

2023-02-23 11:24:11

586

SiC-SBD的可靠性試驗(yàn)

進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。

2023-02-23 11:24:56

392

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。

2023-02-24 11:51:08

430

ROHM的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所集團(tuán)旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power

2023-03-02 15:27:16

410

SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊

SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊

2023-03-03 16:28:00

457

國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證

來(lái)源：國(guó)星光電官微近日，國(guó)星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。這標(biāo)志著國(guó)星光電第三代

2023-03-14 17:22:57

393

國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證

近日，國(guó)星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。這標(biāo)志著國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品

2023-03-20 19:16:30

550

國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證

國(guó)星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長(zhǎng)達(dá)1000小時(shí)的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗(yàn)證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。

2023-03-22 10:56:52

537

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于APEX Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。

2023-04-10 09:34:29

483

三菱電機(jī)開始提供集成SBD的SiC-MOSFET模塊樣品

2023年5月8日，三菱電機(jī)宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路

2023-05-11 09:26:17

834

SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。

2023-07-18 09:47:30

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ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊

2023-09-14 19:15:14

353

Bourns SiC SBD產(chǎn)品系列已經(jīng)擴(kuò)展到十個(gè)額外型號(hào)

額外的650和1200V SiC SBD型號(hào)滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品系列中增加了十種新的變體

2023-10-13 17:06:38

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