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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>MOSFET的定義及種類 N溝道和P溝道MOSFET的電機(jī)驅(qū)動電路講解

MOSFET的定義及種類 N溝道和P溝道MOSFET的電機(jī)驅(qū)動電路講解

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2021-11-11 16:59:06

這個用MOSFET驅(qū)動電機(jī)可行嗎?

現(xiàn)在在做一個500W的直流電機(jī)驅(qū)動,電機(jī)的額定電流30A左右。在網(wǎng)上看到的這類驅(qū)動多是H橋的。實(shí)際應(yīng)用中不需要正反轉(zhuǎn),只用PWM調(diào)速即可,請問能否用一片MOSFET低側(cè)驅(qū)動器和一個N溝道的管子來驅(qū)動這個電機(jī)呢,會不會有什么問題呢。
2016-01-04 09:42:49

選擇正確的MOSFET

討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET。  MOSFET的選擇  MOSFET有兩大類型:N溝道P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在
2011-08-17 14:18:59

采用外部N溝道MOSFET的典型應(yīng)用電源排序LTC2924

LTC2924,采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32

20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET

20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET 20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:3315

20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET

20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023

20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026

30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020

30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET

30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929

N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET

N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925

用于驅(qū)動N溝道功率MOSFET SG3525功能簡介

隨著電能變換技術(shù)的發(fā)展,功率MOSFET在開關(guān)變換器中開始廣泛使用,為此美國硅通用半導(dǎo)體公司(Silicon General)推出SG3525。SG3525是用于驅(qū)動N溝道功率MOSFET。其產(chǎn)品一推出就受到廣泛
2010-09-25 16:44:45252

功率MOSFET種類

功率MOSFET種類  按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道 增強(qiáng)型—
2009-04-14 22:08:473906

N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理

N溝道增強(qiáng)型MOSFET N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理 1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810460

[5.3.2]--N溝道耗盡型MOSFETP溝道MOSFET

模擬電子MOSFET驅(qū)動
李開鴻發(fā)布于 2022-11-12 02:23:35

羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于,與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V,降到了以往
2011-10-12 09:35:301111

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

MOSFET多數(shù)是載流子器件, N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關(guān)性,就RDS(on)而言,為得到相等的值,P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521283

N溝道耗盡型功率MOSFET電路應(yīng)用

MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢,以幫助設(shè)計(jì)人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET電路符號在圖1中給出。端子標(biāo)記為G(柵極),S(源極)和D(漏極)。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴(kuò)散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu),與市場上的其
2021-05-27 12:18:587444

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075

LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545

使用外部N溝道MOSFET驅(qū)動的步進(jìn)馬達(dá)MS35711T

瑞盟 MS35711T 器件是一款步進(jìn)電機(jī)控制器, 它使用外部 N 溝道MOSFET驅(qū)動一個雙極步進(jìn)電機(jī)或兩個刷式直流電機(jī)。完美替代 TI DRV8711。
2022-07-22 09:42:081048

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

由于具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素,使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478

PPM723T201E0 P溝道MOSFET手冊

PPM723T201E0 P溝道MOSFET手冊免費(fèi)下載。
2022-12-30 16:30:420

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250

30 V,N 溝道 MOSFET-PMPB10ZH

30 V,N 溝道 MOSFET-PMPB10ZH
2023-02-21 18:21:260

30 V,N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE

30 V,N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45515

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動電路

在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路
2023-04-29 09:35:005293

使用單個N溝道MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動電路

這是使用單個N溝道MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動電路。在該電路中,直流電機(jī)繼續(xù)沿一個方向運(yùn)行,直到按下開關(guān)時它的方向反轉(zhuǎn)。該電路可在不同項(xiàng)目中用作電機(jī)驅(qū)動器。事實(shí)上,它只需要很少的組件,并且可以很容易
2023-06-18 11:14:54512

基于N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法

在這個設(shè)計(jì)中,我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599

深度剖析H橋應(yīng)用中的P溝道MOSFET

在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人,但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957

種類型的MOSFET的主要區(qū)別

型晶體管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同,可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET種類型。
2023-11-07 14:51:15644

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