功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
演講者表示一些擔(dān)憂,認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上,但是制造商們?nèi)匀鄙偌で?不肯繼續(xù)大幅的投資,以及不太愿意重新擴(kuò)大招慕員工。恐怕更大的擔(dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來,以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22
2010-02-26 14:52:33
領(lǐng)帶，這可是當(dāng)年半導(dǎo)體弄潮兒的標(biāo)配。
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于是，第一個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代誕生了——集成器件制造商時(shí)代
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
B/B值作為判斷半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)景氣的先行指標(biāo)。若比值大于1，表示半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者接單狀況良好，反映半導(dǎo)體制造商持續(xù)投資資本設(shè)備?！ EMI公布8月B/B值來到1.06，創(chuàng)今年3月以來新高；不過SEMI
2015-11-27 17:53:59
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
效率達(dá)70%以上，很低的光束發(fā)散角，單巴條連續(xù)輸出功率超過千瓦，采用碳納米(CN)熱沉使激光器的冷卻效率比傳統(tǒng)的半導(dǎo)體巴條安裝技術(shù)可提高30%。100μm條寬單管輸出功率達(dá)到24.6W，大功率連續(xù)工作
2019-04-01 00:36:01
的不斷深入發(fā)展，市場(chǎng)需求不斷轉(zhuǎn)向。半導(dǎo)體激光器應(yīng)用領(lǐng)域也不斷發(fā)生變化。從最初的小功率設(shè)備，發(fā)展到目前的大功率設(shè)備，半導(dǎo)體激光器也從一些輕型加工領(lǐng)域向重型加工領(lǐng)域轉(zhuǎn)移。早在20世紀(jì)80年代的時(shí)候
2019-05-13 05:50:35
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看
2021-09-15 07:24:56
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體制冷—— 2 1 世紀(jì)的綠色“冷源”唐春暉（上海理工大學(xué)光學(xué)與電子信息工程學(xué)院，上海 200093）摘要：基于節(jié)能和環(huán)保已是當(dāng)今一切科技發(fā)展進(jìn)步的基本要求，對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)原理以及應(yīng)用情況做了
2010-04-02 10:14:56
各位大神，小弟目前有一個(gè)項(xiàng)目，需要單片機(jī)控制半導(dǎo)體制冷塊控制降溫，受成本所限不能使用開關(guān)電源，想請(qǐng)問各位大神如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，目的是講交流220V電源變?yōu)?2V直流輸出，用以控制半導(dǎo)體制冷塊工作，半導(dǎo)體型號(hào)TEC12710,需要什么樣的變壓器能夠?qū)崿F(xiàn)功能，請(qǐng)各位大神不吝賜教，小弟新手，請(qǐng)見諒
2018-09-03 15:38:06
大家有沒有用過半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對(duì)一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片控制板開發(fā)技術(shù)需要用到的功能模塊有哪些？有知道的朋友嗎？展開講講？
2022-05-22 18:26:09
到底在哪里。一般情況下電壓沒過， 電流過載 ，會(huì)產(chǎn)生擊穿嗎？ 如果僅僅是功率過大， 溫度太高 ，最高溫也沒超過170度 。應(yīng)該也不會(huì)有燒毀。小弟迷茫了 望大大們解疑半導(dǎo)體制冷片 傳送門
2012-07-27 15:27:26
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其實(shí)歸根究底，就是在矽半導(dǎo)體上制造電子元器件，電子元器件包括很多品種：整流橋，二極管，電容等各種IC類，更復(fù)雜的還有整流模塊等等。ASEMI半導(dǎo)體的每一個(gè)電子元器件的完成都是由精密復(fù)雜
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點(diǎn)在工藝技術(shù)的改進(jìn)，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
，初始的不良布局結(jié)果會(huì)導(dǎo)致龐大的物料搬運(yùn)成本、無效的生產(chǎn)以及重新布局時(shí)所需要的大量成本。所以集成電路半導(dǎo)體工廠的設(shè)施規(guī)劃已經(jīng)成為半導(dǎo)體制造商們比較關(guān)心的問題，在建廠初期他們就不得不對(duì)工廠進(jìn)行謹(jǐn)慎詳細(xì)的規(guī)劃
2020-09-24 15:17:16
德國(guó)PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器PHOTONTEC能為您解決在泵浦、激光醫(yī)療、激光加工等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。PHOTONTEC公司能為您提供量身定制的解決方案
2009-12-08 09:34:25
大功率半導(dǎo)體激光器的工作電流較大，并且半導(dǎo)體激光器比較脆弱，傳統(tǒng)的慢啟動(dòng)電路、TVS吸收電路不能很好地滿足實(shí)際要求。本文在參考各種實(shí)用的保護(hù)電路基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)出應(yīng)用大功率器件強(qiáng)制吸收或隔離浪涌沖擊和雙限流
2011-07-16 09:12:38
近年來，隨著大功率半導(dǎo)體激光器技術(shù)的快速發(fā)展，大功率半導(dǎo)體激光器在材料加工、激光照明、激光醫(yī)療等民用領(lǐng)域，以及激光制導(dǎo)、激光夜視、激光武器等軍事領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。這不僅促進(jìn)了大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)
2018-08-13 15:39:59
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國(guó)際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來的功率MOSFET及其相關(guān)器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來的特大功率半導(dǎo)體器件，它們分別代表了不同時(shí)期功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。概括來說，功率
2019-02-26 17:04:37
的“國(guó)有超大規(guī)模集成電路實(shí)驗(yàn)室”和垂直一體化經(jīng)營(yíng)模式相對(duì)抗。隨著PC制造產(chǎn)業(yè)鏈在***崛起，大口徑晶圓和大規(guī)模集成電路的微細(xì)工藝，使得巨額設(shè)備投資的折舊成為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的最大成本。剝離半導(dǎo)體制造業(yè)，注重
2018-08-30 16:02:33
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢?，所使用的半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
我想用單片機(jī)開發(fā)板做個(gè)熱療儀，開發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答，半導(dǎo)體制冷片的正負(fù)極能反接嗎，如果可以，那原來的制冷面是不是可變成散熱面而原來的散熱面變成制冷面？？
2016-03-03 16:53:12
基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng)，總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-12-23 06:07:59
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
山東高唐杰盛半導(dǎo)體科技有限公司，我公司主要從事微電子工藝設(shè)備及高精度自動(dòng)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。制造和服務(wù)等，已申請(qǐng)國(guó)家專利10項(xiàng)，授權(quán)7項(xiàng)，產(chǎn)品涉及到半導(dǎo)體制造的前道清洗、擴(kuò)散和后道封裝，技術(shù)達(dá)到國(guó)內(nèi)
2013-09-13 15:16:45
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05
生長(zhǎng)－管芯工藝－器件封裝－光纖耦合等全系列完整的半導(dǎo)體激光器工藝與生產(chǎn)鏈，具有完全的自主研發(fā)和批量生產(chǎn)能力，是國(guó)內(nèi)外享有盛譽(yù)的半導(dǎo)體激光器及應(yīng)用產(chǎn)品的研發(fā)和制造商。簡(jiǎn)歷投遞：job.alighting.cn/JobsDetails.aspx?jid=7639
2015-02-10 13:33:33
問個(gè)菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場(chǎng)也存在整并壓力，這一點(diǎn)從英飛凌收購(gòu)IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
的市場(chǎng)占有率。未來隨著化合物半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)一步提升，在邏輯應(yīng)用方面取代傳統(tǒng)硅材料，從而等效延續(xù)摩爾定律成為了化合物半導(dǎo)體更為長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展趨勢(shì)。 作為化合物半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，射頻器件市場(chǎng)經(jīng)歷了
2019-06-13 04:20:24
可行嗎？還需要電器隔離嗎？半導(dǎo)體制冷片的額定電壓是12v，mcu是stm32
2018-05-01 19:29:12
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國(guó)成立，此后，人們開始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
到了二十世紀(jì)五十年代隨著半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展，熱電制冷器才逐漸從實(shí)驗(yàn)室走向工程實(shí)踐，在國(guó)防、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療和日常生活等領(lǐng)域獲得應(yīng)用，大到可以做核潛艇的空調(diào)，小到可以用來冷卻紅外線探測(cè)器的探頭，因此通常又把熱電制冷器稱為半導(dǎo)體制冷器。
2013-11-29 09:26:38
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
隨著硅基電力電子器件逐漸接近其物理極限值，新型半導(dǎo)體材料以更大的禁帶寬度、電子飽和漂移速度更快為特點(diǎn)，制造出的半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，在光電器件、微波
2017-02-22 14:59:09
半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中
2016-11-27 22:34:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，
2021-09-15 06:45:56
中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)的兩大企業(yè)，華虹半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“華虹”)和宏力半導(dǎo)體制造公司(簡(jiǎn)稱“宏力”)于29日聯(lián)合宣布雙方已完成了合并交易。
2011-12-30 08:58:50
1867 半導(dǎo)體制作工藝CH
2017-10-18 10:19:47
47 項(xiàng)目針對(duì)面向制造業(yè)的大功率半導(dǎo)體激光器發(fā)展中所面臨的迫切需求及關(guān)鍵挑戰(zhàn)，重點(diǎn)研究國(guó)產(chǎn)大功率半導(dǎo)體激光芯片，開展雙微通道散熱、熱沉、大功率多光束合成、光纖耦合、光束整形等關(guān)鍵技術(shù)及半導(dǎo)體激光器失效機(jī)制等研究。
2018-08-29 10:07:038829 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細(xì)資料免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00200 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長(zhǎng)資料概述
一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 作者陳紹婷、蔣麗媛 半導(dǎo)體激光器一般具有質(zhì)量輕、調(diào)制效率高、體積小等特點(diǎn)，在民用、軍用、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。大功率半導(dǎo)體激光器的研究從20世紀(jì)80年代開始，從未停止，隨著半導(dǎo)體技術(shù)與激光技術(shù)
2020-10-27 16:24:447507 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41237 大功率半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用資料免費(fèi)下載。
2021-05-25 16:03:5236 大功率半導(dǎo)體激光器恒流源的設(shè)計(jì)分享。
2021-05-25 16:07:2398 來源：內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID:icbank）編譯自「semiwiki」，謝謝。 半導(dǎo)體制造商正在擴(kuò)大 2021 年及以后的資本支出，以幫助緩解短缺。此外，世界各地的許多政府正在提議資助其本土
2021-06-25 15:02:001806 近日，東芝宣布將在其位于日本石川縣的主要分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地—加賀東芝電子株式會(huì)社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)建造一座新的300mm晶圓制造工廠，以擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。
2022-02-22 13:16:182174 針對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進(jìn)器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。
2023-03-29 10:35:41712 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04479 
在半導(dǎo)體制造過程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552902 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
隨著科技的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體已經(jīng)深入到我們生活的各個(gè)領(lǐng)域。從我們?nèi)粘Ｊ褂玫募译?，到環(huán)保出行的電動(dòng)汽車，再到航空航天領(lǐng)域的飛機(jī)和宇宙飛船，都離不開功率半導(dǎo)體。下面介紹的就是市場(chǎng)上功率半導(dǎo)體制造商中的領(lǐng)導(dǎo)者。
2023-11-27 14:53:24234 
近日，金融分析師奈斯泰德（Dan Nystedt）公布了2023年全球半導(dǎo)體制造商的營(yíng)收數(shù)據(jù)，其中臺(tái)積電以693億美元的業(yè)績(jī)首次超越英特爾和三星電子，登頂全球最大半導(dǎo)體制造商的位置。這一成就標(biāo)志著臺(tái)積電經(jīng)過36年的努力，終于在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中嶄露頭角，成為行業(yè)的領(lǐng)頭羊。
2024-02-23 17:34:01544
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