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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>國(guó)基南方、55所碳化硅MOSFET出貨量破1500萬(wàn)

國(guó)基南方、55所碳化硅MOSFET出貨量破1500萬(wàn)

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2019-01-17 15:40:039313

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。  產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?!   ?200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

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碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

應(yīng)用,處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡(jiǎn)稱SiC已被證明是一種材料,可以用來(lái)構(gòu)建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關(guān)注,不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景,包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

。  功率半導(dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí),碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴,盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優(yōu)勢(shì),大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

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2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出。    2、SiCMOSFET  對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET,它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大,開關(guān)損耗很大,額定工作結(jié)溫低,但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27

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進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
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今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

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2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13

碳化硅如何改進(jìn)開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)?

,3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達(dá)到 99% 以上(圖 4),其中在雙升壓 PFC 設(shè)計(jì)中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且,盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

10.5公斤/平方厘米,高溫強(qiáng)度很好??箯潖?qiáng)度直至1400℃仍不受溫度的影響。1500℃時(shí),彈性模量仍有100公斤/平方厘米。上述數(shù)據(jù)均測(cè)自大塊材料。4)熱膨脹系數(shù)較低,導(dǎo)熱性好。5)碳化硅導(dǎo)電性較強(qiáng)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47

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2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

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2023-02-28 16:55:45

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。  基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品,具有極高的工作效率,性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)占全球消費(fèi)的比重超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37

B1M080120HC 1200V碳化硅MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件損耗更適合應(yīng)用于高頻電路

B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗,提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

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2016-11-04 15:50:11

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

新的TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET模型  新的TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET模型如圖2示,我們發(fā)現(xiàn)這種封裝的管腳數(shù)及其管腳定義發(fā)生了很大的變化。相對(duì)于TO-247-3,這種封裝多了一個(gè)S
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

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2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

從硅過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

化。但是,像碳化硅這樣的寬帶隙(WBG)器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),因而業(yè)界對(duì)于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06

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應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

的整體系統(tǒng)尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

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2023-02-20 16:29:54

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附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
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圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
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本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
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2023-02-28 17:13:35

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
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給出基于碳化硅MOSFET的20KW直流充電模塊用兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)和總結(jié)。1.諧振LLC 和移相電路及其新能源中的應(yīng)用比較如圖1示,諧振(英文:Resonant)LLC和移相(英文:Phase
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被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

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請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

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使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān),通過(guò)降低電阻和開關(guān)損耗來(lái)提高效率
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碳化硅基礎(chǔ)知識(shí) 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻
2009-11-17 09:37:27757

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法

碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:5017

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品

今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375600

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來(lái)可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

Agarwal 的播客中,我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章: 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981

碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的干擾及延遲

硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾**幾個(gè)方面。
2023-02-03 14:54:471076

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅MOS的結(jié)構(gòu)與優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式,在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。另一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C兩種原子存在,需要非常特殊的柵介質(zhì)生長(zhǎng)方法。
2023-02-09 09:51:231810

碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系

碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇、工藝制程、測(cè)試技術(shù)等。
2023-02-15 16:19:007598

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊,SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472090

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù)

碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括: 1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MOSFET的開關(guān)速度會(huì)變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032010

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

學(xué)技術(shù) | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗

SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件,以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性,已經(jīng)越來(lái)越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET,發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì),盡可能
2022-11-30 15:28:282648

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

來(lái)源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221

Wolfspeed與欣銳科技合作推進(jìn)碳化硅在新能源汽車及充電樁領(lǐng)域應(yīng)用

SHINRY是全球最早實(shí)現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一,開發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過(guò)百萬(wàn)件,使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF(DC/DC Converter for Fuel Cell)市場(chǎng)份額超過(guò)50%,在碳化硅器件的應(yīng)用和推廣方面具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和市場(chǎng)基礎(chǔ)
2023-06-27 17:41:50853

Wolfspeed 200mm莫霍克谷器件工廠向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅

伴隨著這座采用領(lǐng)先前沿技術(shù) 200mm 碳化硅制造工廠的建設(shè)和產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃的執(zhí)行,莫霍克谷器件工廠已經(jīng)開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅 MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號(hào)為 C3M0040120K。莫霍克谷器件工廠后續(xù)還將開始更多產(chǎn)品型號(hào)碳化硅器件的樣品申請(qǐng),并批量出貨中國(guó)市場(chǎng)。
2023-07-05 10:31:44370

Wolfspeed開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET

? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn),Wolfspeed已經(jīng)開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號(hào)為C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14375

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713

新能源汽車碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬(wàn)只

聚焦強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈,國(guó)基南方55所持續(xù)推進(jìn)新能源汽車用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái),率先在新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域規(guī)?;瘧?yīng)用,累計(jì)保障超過(guò)160萬(wàn)輛新能源汽車應(yīng)用需求。
2023-07-12 11:20:58316

逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預(yù)備起飛

逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來(lái)十年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為27%。
2023-07-17 11:33:24278

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應(yīng)用賦能

MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412

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