納微 (Navitas) 半導體宣布，將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學會學術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 11:54:48
13465 半導體材料可分為單質(zhì)半導體及化合物半導體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
水平。2022年12月，銘鎵半導體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
**1、半導體死區(qū)電壓概念**首先我們先從半導體開始了解下，半導體的死區(qū)電壓概念：死區(qū)電壓也叫開啟電壓，是應(yīng)用在不同場合的兩個名稱。死區(qū)電壓，指的是即使加正向電壓，也必須達到一定大小才開始導通，這個
2021-09-03 07:21:43
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點；納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇?！ ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀四大發(fā)明之一，半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
和意法半導體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計劃，這標志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點，未來會將MACOM的射頻半導體技術(shù)實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?；统錾\營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
鑫谷核動力巡洋艦c5開關(guān)電源芯片型號？
2018-08-24 09:32:39
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計消除了寄生參數(shù)導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應(yīng)用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。中科院半導體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關(guān)氮化物半導體在藍綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應(yīng)用備受關(guān)注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學
2021-10-13 14:43:35
）行業(yè)標準。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標準的先進半導體器件和主動組件的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)中。對于氮化鎵來說，在更關(guān)鍵的電子子系統(tǒng)之一，符合AEC標準的器件已經(jīng)存在，即電源開關(guān)器件和柵極驅(qū)動器
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產(chǎn)中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級產(chǎn)品，導通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲印：6268屬性：分立半導體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
的測試，讓功率半導體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
技術(shù)（Tech in Society）。安森美半導體將在Fira Gran Via旁邊的Porta Fira 酒店24樓的兩個會議室中作直觀演示，展示最新的方案，應(yīng)用領(lǐng)域包括：Qi EPP認證的無線電源
2018-10-11 14:08:19
安森美半導體將于下周在德國紐倫堡舉辦的Embedded World展示應(yīng)用于汽車、工業(yè)及消費的的基于半導體的集成系統(tǒng)方案。我們將重點展示物聯(lián)網(wǎng)(IoT) 及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT) 或工業(yè)4.0，以及
2018-10-11 14:28:55
安森美半導體已成為主要汽車半導體技術(shù)的一個全球領(lǐng)袖。 安森美半導體是自動駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個公認的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
半導體來說更重要，因為這將是公司最近收購Fairchild半導體以來的首次展示。即使在行業(yè)氣候中，通過收購來合并正成為一種常見路線，而安森美半導體擴展的業(yè)務(wù)中，中高壓器件領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容大大增強，令公司在
2018-10-23 09:14:38
帶半導體，相比常規(guī)的硅材料，開關(guān)速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時，還能提供更高的過電壓保護能力，防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS，氮化鎵低阻抗優(yōu)勢可以
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導者正在將氮化鎵和固態(tài)半導體技術(shù)與這些過程相結(jié)合，以更低的成本進行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點“剩余價值”外，尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN和SiC同屬
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導體市場領(lǐng)域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
的核心單元都和半導體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當時功率半導體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:31796 
了解氮化鎵
-寬帶隙半導體：為什么？
-氮化鎵與其他半導體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:25829 來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:202222
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