CMT-TIT0697柵極驅(qū)動(dòng)器板被設(shè)計(jì)為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2.5W功率的板載隔離電源（且無(wú)需降低高達(dá)125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)100KHz的XM3模塊，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2020-01-15 08:09:00
1117 與大多數(shù)其他碳化硅評(píng)估平臺(tái)不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動(dòng)器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和高達(dá)200 kHz的開(kāi)關(guān)頻率。
2020-02-07 14:33:00630 Microchip宣布與Mersen合作推出150千伏安（kVA）三相碳化硅電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)。
2021-12-09 10:46:021084 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好?！ ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開(kāi)關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)?！ ?8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
的一半。開(kāi)關(guān)損耗是另一個(gè)可以?xún)?yōu)化的部分，如［3］所示。為了驅(qū)動(dòng) ［3］ 中的 SiC MOSFET，使用了 STGAPxx MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。STGAPxx MOSFET驅(qū)動(dòng)器有兩種不同的規(guī)格，如圖3
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車(chē)逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車(chē)輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
）新的650V碳化硅器件有助于在幾個(gè)方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的導(dǎo)通損耗降低了50%，開(kāi)關(guān)損耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不僅可以實(shí)現(xiàn)更高效率，而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開(kāi)關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o(wú)感的。碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
92%的開(kāi)關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡(jiǎn)化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇?！ ≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng)，并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中，能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開(kāi)始，隨著溫度的提高，氧化程度愈為明顯，到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
），P阱與N-形成的PiN會(huì)投入工作，減小浪涌時(shí)刻VF的增長(zhǎng)，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力?！ D（4）二極管正向與電流密度關(guān)系圖 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結(jié)構(gòu)?！ ?5
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開(kāi)關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時(shí)易于改善EMI?！ ∫韵聹y(cè)試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導(dǎo)通損耗對(duì)溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。4) 開(kāi)關(guān)速度快SiC的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
免 MOSFET 的誤工作，但這種寄生電感的影響是三種主要寄生電感中最小的。整個(gè)器件的過(guò)沖電壓通常由功率回路電感（有時(shí)也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)回路電感）造成，而這會(huì)產(chǎn)生高開(kāi)關(guān)損耗。共源極電感會(huì)在開(kāi)關(guān)瞬變過(guò)程中產(chǎn)生對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)
2022-03-24 18:03:24
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開(kāi)關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
封裝還是TO-247-4引腳封裝。 圖5. 在800V、15A和150°C時(shí)，不同1200V碳化硅MOSFET技術(shù)能實(shí)現(xiàn)的最小導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗。被測(cè)器件的標(biāo)稱(chēng)通態(tài)電阻為60-80mΩ，在柵極電壓18
2023-02-27 13:53:56
近年來(lái)，因?yàn)樾履茉雌?chē)、光伏及儲(chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
組件高出一大截，但其開(kāi)關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，因此電源開(kāi)關(guān)的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11
電路的管理。管理門(mén)控時(shí)序是一項(xiàng)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。一種方法是平衡SiC器件的速度，以確保將損耗保持在最低水平，這可以通過(guò)精確的柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)?；赟iC的開(kāi)關(guān)器件的主要優(yōu)勢(shì)之一是在惡劣環(huán)境(600℃) 中運(yùn)行
2022-06-13 11:27:24
4：柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)關(guān)頻率之間的關(guān)系熱耗散功率損耗會(huì)導(dǎo)致溫度升高，因此需要使用外部散熱器或更厚的印刷電路板 (PCB) 銅層，這會(huì)使系統(tǒng)熱管理問(wèn)題變得更加復(fù)雜。高驅(qū)動(dòng)力有助于降低柵極驅(qū)動(dòng)器的管殼
2022-11-03 07:38:51
碳化硅MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器需要精確的控制和電壓限制，以實(shí)現(xiàn)可靠的性能。氮化鎵HEMT單元與產(chǎn)生隔離柵氧化物的硅MOSFET和碳化硅MOSFET具有完全不同的柵特性。氮化鎵柵極像一個(gè)壓降約為3-4V
2023-02-05 15:14:52
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車(chē)充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
，提高開(kāi)關(guān)的速度，從而降低開(kāi)關(guān)損耗，但是過(guò)高的開(kāi)關(guān)速度會(huì)引起EMI的問(wèn)題。（2）提高柵極驅(qū)動(dòng)電壓也可以提高開(kāi)關(guān)的速度，降低開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)，高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)增加驅(qū)動(dòng)損耗，特別是輕載的時(shí)候，對(duì)效率
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過(guò)基于功率MOSFET的漏極特性理解其開(kāi)關(guān)過(guò)程，也討論過(guò)開(kāi)關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識(shí)，就可以估算功率MOSFET在開(kāi)關(guān)
2017-02-24 15:05:54
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性?xún)r(jià)比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
通時(shí)由電容驅(qū)動(dòng)的柵極 - 源極電壓，其源于半橋配置中第二個(gè)碳化硅MOSFET的高dv/dt開(kāi)關(guān)。 硅MOSFET設(shè)計(jì)中在此類(lèi)問(wèn)題一般可以通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器和硅MOSFET柵極之間插入一個(gè)高阻值電阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
得到更低柵極開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗（圖1）.碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
下降低開(kāi)關(guān)損耗?！ ×硪环矫妫沁@種高開(kāi)關(guān)速度會(huì)對(duì)電機(jī)絕緣等其他組件的使用壽命產(chǎn)生負(fù)面影響，并可能導(dǎo)致EMI問(wèn)題。憑借其新型柵極驅(qū)動(dòng)器 BM60059FV-C，ROHM 可在有限的 dv/dt 下將
2023-02-21 16:36:47
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可輕松用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷改進(jìn)使功率轉(zhuǎn)換器更加高效和緊湊。碳化硅 CoolSiC? MOSFET因其卓越的效率，尤其是在部分負(fù)載下而被視為電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新趨勢(shì)。甚至可以實(shí)現(xiàn)無(wú)風(fēng)扇設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)集成度更高
2023-02-22 16:42:00
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的結(jié)電容更小，柵極電荷低，因此，開(kāi)關(guān)速度極快，開(kāi)關(guān)過(guò)程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開(kāi)關(guān)損耗顯著降低，但傳統(tǒng)封裝中雜散電感參數(shù)較大，在極高的 di/dt 下會(huì)產(chǎn)生更大
2023-02-22 16:06:08
位功能，可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專(zhuān)用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間(trr)及反向恢復(fù)電荷(Qrr)從而降低二極管開(kāi)關(guān)損耗及操聲,便于實(shí)現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)。 接下來(lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化的圖像。圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)
2018-06-05 09:39:43
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁（電動(dòng)汽車(chē)充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:05
38 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354532 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開(kāi)關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開(kāi)關(guān)損耗隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加亦快速增長(zhǎng)。 為進(jìn)一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動(dòng)、可再生能源和能源管理展覽及會(huì)議。 CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動(dòng)器板，該板針對(duì)額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
2019-05-16 09:10:563764 Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。 Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問(wèn)題限制了開(kāi)關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計(jì)人員在性能上做出妥協(xié)并使用
2021-08-12 11:14:191807 ，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，為系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)行并滿足嚴(yán)格的運(yùn)輸要求。 對(duì)于基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人 員
2021-10-09 16:17:461644 在工業(yè)應(yīng)用中，碳化硅半導(dǎo)體在效率、外形尺寸和工作溫度方面提供尖端技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛接受為可靠的硅替代品。一些功率模塊和功率逆變器制造商已在其產(chǎn)品路線圖中為 SiC 的使用奠定了基礎(chǔ)。電磁干擾 (EMI)、過(guò)壓和過(guò)熱是 SiC 存在的一些設(shè)計(jì)問(wèn)題。
2022-08-03 09:43:09628 
碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性，發(fā)展勢(shì)頭迅猛。基于碳化硅特性，碳化硅驅(qū)動(dòng)器相較于硅器件驅(qū)動(dòng)器有其特殊要求，面臨不同的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)針對(duì)碳化硅的應(yīng)用特點(diǎn)，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驅(qū)動(dòng)器，可滿足多樣化需求。
2022-12-29 11:34:26964 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾**幾個(gè)方面。
2023-02-03 14:54:471076 特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗（包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17387 MOSFET和IGBT等的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題，那就是帶有驅(qū)動(dòng)器源極引腳（所謂的開(kāi)爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗”中，將介紹功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果以及使用注意事項(xiàng)。
2023-02-09 10:19:18634 
－接下來(lái)，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開(kāi)關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為
2023-02-20 15:46:150 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車(chē)和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151180 的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設(shè)計(jì)原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導(dǎo)損耗：碳化硅MOSFET比超結(jié)MOSFET要求更高的G級(jí)電壓
2022-11-30 15:28:282647 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32732 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
增高后切換損耗的增加非常小。最后，碳化硅（SiC）MOSFET的跨導(dǎo)曲線更加平滑，柵極電壓的小變化對(duì)電流的影響較小，易于在多個(gè)設(shè)備間進(jìn)行動(dòng)態(tài)的電流共享。
2023-12-19 11:59:32142 
碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開(kāi)關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357
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