CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。
2019-05-13 11:33:45
894 CMT-TIT0697柵極驅(qū)動器板被設(shè)計為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達2.5W功率的板載隔離電源（且無需降低高達125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動頻率高達100KHz的XM3模塊，從而實現(xiàn)高功率密度。
2020-01-15 08:09:001117 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
SiC碳化硅MOS驅(qū)動的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅(qū)動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動，更需認真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
和圖4所示。圖3所示，該原理圖顯示了使用雙極性柵極驅(qū)動器電源時如何實現(xiàn)SiC MOSFET的柵極驅(qū)動。如上所述，這種雙極性柵極驅(qū)動電壓不是強制性的，但它有助于最小化米勒效應(yīng)，并產(chǎn)生更好的可控開關(guān)。因此
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
?！ OM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導(dǎo)體廠商通常都通過參考設(shè)計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應(yīng)用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
圓盤的能量吸收范圍高達 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負載的觸點。變壓器、電機
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇?！ ≡谠O(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
特性比較 1、碳化硅肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)和特征 用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結(jié)的快速恢復(fù)二極管（FRD），能夠明顯減少恢復(fù)損耗，有利于開關(guān)電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動元件的體積，使
2023-02-28 16:34:16
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點，在相同的功率等級下，設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?！ 」β誓K的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
和分析，為滿足不同的市場需求，基本半導(dǎo)體為圖騰柱無橋PFC這一硬開關(guān)拓撲設(shè)計了能同時兼顧效率與性價比的混合碳化硅分立器件，同時也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
MOSFET的設(shè)計中，如果該振蕩問題是純電感性，降低振蕩方法是將碳化硅MOSFET源極分為電源極和驅(qū)動器源極，鉗位二極管連接碳化硅MOSFET柵極和驅(qū)動器源極之間。當(dāng)然首選方法并使用開爾文源極
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
不同的2A通道控制。它經(jīng)過精心設(shè)計和優(yōu)化，可驅(qū)動外部電源開關(guān)器件，可以是碳化硅（SiC）MOSFET或常開JFET器件（用戶可在板級選擇配置）。可以使用其他功率開關(guān)器件，例如常關(guān)JFET，以及IGBT甚至
2019-05-13 09:37:52
測試板。 實驗結(jié)果： 電流源驅(qū)動器和傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要能夠提供負電壓的特殊柵極驅(qū)動器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要特殊的柵極驅(qū)動器
2023-02-27 09:52:17
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
電子的發(fā)展趨勢，但瓷片電容、傳感器、柵極驅(qū)動等還無法完全匹配碳化硅的高溫高頻性能、散熱和電磁兼容問題；開發(fā)高溫電容、功率芯片片內(nèi)集成傳感器、研究 SiC CMOS 驅(qū)動芯片或者采用 SOI
2023-02-22 16:06:08
位功能，可用于各種開關(guān)拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓撲的性能特點以及在新能源汽車電源中的應(yīng)用，然后針對寬禁帶碳化硅MOSFET對兩種隔離DC/DC拓撲的應(yīng)用進行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
管子開關(guān)影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應(yīng)用。可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 商Analog Devices公司宣布推出可擴展碳化硅（SiC）驅(qū)動器參考設(shè)計解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動器。
2017-06-20 14:33:221270 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅(qū)動器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。該新型柵極驅(qū)動器板旨在為高功率密度轉(zhuǎn)換器
2020-01-14 15:00:102120 ，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現(xiàn)安全、可靠的運行并滿足嚴格的運輸要求。 對于基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計人 員
2021-10-09 16:17:461644 意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484 電動出行和可再生能源系統(tǒng)需要能夠提高性能效率和加快開發(fā)時間的電源管理解決方案。為滿足這些要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布與Mersen合作推出150千伏安（kVA）三相碳化硅電源協(xié)議棧參考設(shè)計。
2021-12-14 09:44:591588 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-15 14:23:261103 
碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復(fù)雜
2022-07-28 17:05:011903 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章： 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾**幾個方面。
2023-02-03 14:54:471076 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
和碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472090 所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動器來實現(xiàn)，許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:501693 碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
2023-05-22 17:36:411063 
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 
MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151180 SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢，盡可能
2022-11-30 15:28:282647 
來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下運行的應(yīng)用。
2023-07-21 11:42:14623 比鄰驅(qū)動(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。
2023-07-21 16:18:243392 
碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運行的應(yīng)用。
2023-08-16 10:28:21656 了堅實基礎(chǔ)，同時也標志著瞻芯電子碳化硅晶圓廠邁進新的階段。 產(chǎn)品特性 瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V，
2023-08-21 09:42:121285 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
增高后切換損耗的增加非常小。最后，碳化硅（SiC）MOSFET的跨導(dǎo)曲線更加平滑，柵極電壓的小變化對電流的影響較小，易于在多個設(shè)備間進行動態(tài)的電流共享。
2023-12-19 11:59:32142 
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