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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>Power Box Board幫助學生更好地了解Si和SiC技術

Power Box Board幫助學生更好地了解Si和SiC技術

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2019-11-08 11:41:5317036

學校使用沉浸式技術進行輔助學習 虛擬和增強現(xiàn)實幫助學生集中注意力

在K12中,輔助學習可能是一個棘手難以應對的問題。學校有責任照顧到每一個學生的需求,但是要創(chuàng)建一個可以滿足所有學生需求的課程卻很難,特別是在越來越多優(yōu)秀的、名片靠前的學校面臨著學生過度擁擠的情況下。
2019-12-23 08:39:351039

半導體材料:Si、SiC和GaN

作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導,SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156

i.MX7 96Board Power Tree

i.MX7 96Board Power Tree
2021-03-11 08:55:091

為何在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si ?

硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好地契合當前的工業(yè)趨勢,正在獲得越來越多的采用
2021-06-17 18:20:045732

SiC MOSFET的特性及使用的好處

樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等應用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性,其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅(SiC)的介電擊穿強度大約是硅(Si)的
2021-08-13 18:16:276630

使用 SiSiC 器件的電力電子教育工具箱

我們知道,技術教育不僅需要理論知識,還需要實踐知識和動手經(jīng)驗,讓學生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學生理解諸如電路設計概念之類的主題。用于電子教學的工具,如 Power
2022-08-04 09:55:26360

SiCSi產(chǎn)線差異和轉(zhuǎn)換

來源:半導體芯科技編譯 SEMI最近與PowerAmerica聯(lián)盟的執(zhí)行董事兼首席技術官Victor Veliadis合作,舉辦了一次題為SiC-碳化硅材料特性、制造基礎知識和關鍵應用的在線研討會
2022-08-19 16:53:301022

W406812AS2D2 Gerber PCB Flag Box Board開源

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《W406812AS2D2 Gerber PCB Flag Box Board開源.zip》資料免費下載
2022-08-22 16:32:209

SiC 器件取代服務器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管

SiC 器件取代服務器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645

何謂SiC(碳化硅)?

碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結(jié)合力非常強,在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:083923

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-08 13:43:18378

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢

關于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18704

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-22 09:18:59140

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構比較!

碳化硅(SiC技術改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)出更好的功率密度和效率。
2023-02-24 09:22:00723

SiCSi的應用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術,具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

為什么在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si?

硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好地契合當前的工業(yè)趨勢,正在獲得越來越多的采用
2023-05-20 16:45:131890

SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構與Si肖特基勢壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30233

AR地鐵拆解教學將虛擬模型與實際場景相結(jié)合,提高學生實踐操作技能

AR地鐵拆解教學是一種基于增強現(xiàn)實技術的教育工具,通過將虛擬模型與實際場景相結(jié)合,幫助學生更好地理解和掌握地鐵車輛的結(jié)構和工作原理。該教學工具解決了傳統(tǒng)教學難以深入了解地鐵車輛結(jié)構、難以模擬真實場景
2023-07-20 14:35:40326

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半導體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144

SiCSi它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀初期半導體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導體材料發(fā)展到了第四代半導體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導體材料si和第三代半導體材料sic了。
2023-08-23 14:43:38372

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么?碳化硅的實際應用優(yōu)勢

如今,大多數(shù)半導體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-05 10:56:05277

了解SiC器件的命名規(guī)則

了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49357

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258

SICSI有什么優(yōu)勢?碳化硅優(yōu)勢的實際應用

SiC的導熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導熱率是指熱量從半導體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下工作,而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490

為什么SiC在功率應用中戰(zhàn)勝了Si?

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。
2023-12-11 11:29:35196

SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別

的特點。SiC是一種寬禁帶半導體材料,具有優(yōu)異的熱導性、較高的電擊穿電場強度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統(tǒng)的硅(Si)材料,SiC具有更好的高溫特性、更低的導通損耗和更高的開關頻率。因此,使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:24274

一文了解碳化硅(SiC)半導體結(jié)構及生長技術

SiC 是一種二元化合物,其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?,這個間距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻機光刻精度3nm,就是30?的距離,光刻精度是原子距離的8倍。
2024-01-14 14:09:522108

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