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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>使用 Si 和 SiC 器件的電力電子教育工具箱

使用 Si 和 SiC 器件的電力電子教育工具箱

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一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
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我無法在modustoolbox?工具箱中打開新應(yīng)用程序。 如何解決這個問題?
2024-01-31 07:32:05

可以在Modus工具箱eclipse中使用DAVE?創(chuàng)建的項目嗎?

我們可以將項目(在 IDE 中創(chuàng)建 DAVE? )使用 Modus 工具箱 eclipse IDE 嗎? 如果是,怎么做? 如果不是,為什么不呢?
2024-01-26 06:55:14

使用自定義BSP的空項目出現(xiàn)Modus工具箱編譯錯誤的原因?

的日志。 有人能為我指出有關(guān)這個錯誤的方向嗎? 也許使用 BZI 芯片然后嘗試在 LQI 芯片上加載代碼是更好的主意嗎? (我可以確認(rèn) BZI 芯片成功兼容空應(yīng)用程序)。 看來這是我要問的關(guān)于 modus 工具箱的眾多問題之一。
2024-01-23 06:32:19

請問KitProg2是否支持加載使用Modus工具箱構(gòu)建的程序閃存?

我明白 KitProg3 或更高版本的工具(例如 需要 miniProg4) 才能調(diào)試使用 Modus 工具箱創(chuàng)建的項目。 但是,我想使用 KitProg2(例如 miniProg3) 加載程序閃存
2024-01-19 06:29:58

碳化硅晶片為什么存在C面和Si

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。
2024-01-18 09:42:01520

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361219

SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別

的特點。SiC是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的熱導(dǎo)性、較高的電擊穿電場強(qiáng)度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統(tǒng)的硅(Si)材料,SiC具有更好的高溫特性、更低的導(dǎo)通損耗和更高的開關(guān)頻率。因此,使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:24274

功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡

眾所周知,硅(Si)材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。硅材料從沙子中提煉,構(gòu)筑了遠(yuǎn)比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今,碳化硅(SiC)材料作為一種衍生技術(shù)進(jìn)入了市場——相比硅材料,它可以實現(xiàn)更高
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碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢

SiC材料具有兩倍于Si電子飽和速度,使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻(1/100 于Si),導(dǎo)通損耗低;SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度,泄漏電流比Si 器件減少了幾個數(shù)量級,從而可以減少功率器件的功率損耗。
2023-12-20 15:47:44169

SiC相對于Si有哪些優(yōu)勢?

的 R sp將導(dǎo)致更低的損耗,從而產(chǎn)生更高的效率。 電子漂移速度是電子由于電場而在材料中移動的速度。SiC 半導(dǎo)體的電子漂移速度比 Si 基半導(dǎo)體高 2 倍。電子移動得越快,設(shè)備開關(guān)的速度就越快。系統(tǒng)
2023-12-19 09:41:36348

SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率 MOSFET 已在電動汽車車載充電器中得到
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為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?

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碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的電力電子器件,以其獨特的優(yōu)勢逐漸受到人們的關(guān)注。
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如何在TSMaster面板和工具箱中實現(xiàn)多語言切換

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碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能,在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。
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2023-11-07 09:37:08773

碳化硅SiC器件到底有多強(qiáng)

與目前廣泛使用的Si材料相比,KeepTops的碳化硅材料具有更高的導(dǎo)熱性,這決定了其高電流密度特性;其更高的帶隙寬度決定了SiC器件的高擊穿場強(qiáng)和高工作溫度。其優(yōu)點可歸納為以下幾點
2023-10-08 16:10:56310

【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應(yīng)用

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碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

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下,消費者對電動汽車的接受度也在不斷提高。 本文討論了在電動汽車電力電子系統(tǒng)中快速采用碳化硅(SiC)和寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的好處,以及晶圓級襯底制造的價值?;?b class="flag-6" style="color: red">SiC的電力電子設(shè)備使電動汽車能夠?qū)崿F(xiàn)更長的行駛里程、更快的充電速度和更低的系
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平面磁件如何提高電力電子器件性能

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SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么?碳化硅的實際應(yīng)用優(yōu)勢

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一文看懂SiC功率器件

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在功率電子領(lǐng)域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說是第二,就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能,已經(jīng)是大勢所趨。 與傳統(tǒng)
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使用雷達(dá)工具箱構(gòu)建雷達(dá)信號處理流程

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AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

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我正在嘗試在我們的產(chǎn)品開發(fā)中為 RT1062 評估基于模型的 FW 開發(fā)方法(SiL、PiL)。我可以訪問 NXP 提供的 Matlab 工具箱。第一個問題是我在哪里可以找到有關(guān)修改此工具箱(我假設(shè)
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1. 打開工具箱 MATLAB R2017a及以后的版本才有自動駕駛工具箱。 在MATLAB的APPS中選擇AUTOMOTIVE下面的Driving Scenario Designer 也可以命令行
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常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT
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2023-05-12 14:53:49

UF3SC120009K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC120009K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:47:58

UF3SC065040B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 14:41:53

UF3SC065030B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 14:35:49

UF3SC065007K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 14:29:40

UF3C170400K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3C170400K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:20:38

UF3C120400K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 14:11:46

UF3C120150B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 12:44:42

UF3C120080K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 12:26:54

UF3C120080B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3C120080B7S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 11:54:23

UF3C065080K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 S
2023-05-11 20:45:39

UF3C065080B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級
2023-05-11 20:38:23

UF3C065080B3 柵極驅(qū)動 SiC 器件

UF3C065080B3產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-11 20:28:32

如何將MC33771C與S32K3XX工具箱一起使用?

我正在嘗試選擇可以與 S32K3 工具箱一起使用的組件。我想使用 teh MC33771C,但看起來 Simulink 工具箱只支持我無法獲得的 MC33775 和僅適用于 6 個電池
2023-05-09 08:21:10

瑞薩FLASH開發(fā)工具箱3.07用戶手冊

瑞薩FLASH開發(fā)工具箱3.07用戶手冊
2023-05-04 19:45:171

瑞薩FLASH開發(fā)工具箱4.01(用于Windows?2000和Windows?XP)用戶手冊

瑞薩FLASH開發(fā)工具箱4.01(用于Windows?2000和Windows?XP)用戶手冊
2023-04-27 18:59:120

安裝S32K1/MPC57xx工具箱后的Matlab命令窗口錯誤日志是怎么回事?

安裝S32K1/MPC57xx工具箱后的Matlab命令窗口錯誤日志
2023-04-21 08:26:23

老電工師傅工具箱中的寶貝#電子

器件電工技術(shù)工具使用
未來加油dz發(fā)布于 2023-04-16 10:26:46

SiCSi的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

新功能發(fā)布 | TSMaster工具箱集成開發(fā)環(huán)境系列3-工具箱調(diào)用小程序庫

前言今天繼續(xù)TSMaster工具箱系列第三章,如何用Python腳本調(diào)用自己編寫的API函數(shù)。安裝小程序庫Installtheappletlibrary/打開TSMaster,拖入一個dbc文件
2023-04-09 11:12:17532

為S12ZVMx安裝MBD工具箱,許可證錯誤是怎么回事?

License Invalid。我檢查了MATLAB和toolbox的版本,也看了所有社區(qū)的方法,仍然無法解決問題。一些信息如下:1.Matlab版本為R2020a,MBD工具箱為S12ZVMx V1.4.0
2023-04-06 07:32:50

電力電子器件的概念及分類

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類,目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:433951

新功能發(fā)布 | TSMaster工具箱集成開發(fā)環(huán)境系列1-工具箱設(shè)計開發(fā)

前言今天給大家介紹TSMaster新功能—工具箱設(shè)計開發(fā)。有了這個模塊,任何人都能夠用Python來設(shè)計專業(yè)的TSMaster用戶界面并集成到自己的工程中。在此,需要大家更新TSMaster軟件
2023-04-03 09:45:08650

新功能發(fā)布 | TSMaster工具箱集成開發(fā)環(huán)境系列2-工具箱極簡開發(fā)流程

前言本章節(jié)繼續(xù)介紹TSMaster工具箱集成開發(fā)環(huán)境系列第二章,基于Python的界面設(shè)計。下面我們一起來看看在TSMaster環(huán)境下如何進(jìn)行工具箱的極簡開發(fā)。創(chuàng)建空間Createspace/1.
2023-04-03 09:42:00534

是時候從Si切換到SiC了嗎?

(BEV)驅(qū)動系統(tǒng)中采用,但現(xiàn)在,越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么
2023-03-31 10:51:34293

Freemaster中是否有用于S32K344 MBDT工具箱的CAN連接?

Freemaster 中是否有用于 S32K344 MBDT 工具箱的 CAN 連接?如果有我怎么用就可以。如果有人知道你能幫幫我嗎?
2023-03-31 06:27:45

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵,SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13

安森美推出仿真工具,助力加速復(fù)雜電力電子應(yīng)用上市周期

和PLECS模型自助生成工具,使工程師在開發(fā)周期的早期階段,通過對復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級仿真,獲得有價值的參考信息。這些工具提供尖端前沿的精確仿真數(shù)據(jù),從而讓客戶根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行EliteSiC產(chǎn)品選型,無需耗費成本和時間進(jìn)行硬件制造和測試,為電力電子工程師節(jié)省時間。 ?
2023-03-24 14:12:47359

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