N溝道 耗盡型MOSFET
1) N溝道 耗盡型MOSFET 的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43 23374 LT8672 是用于反向 輸入保護(hù) 的有源整流器控制器。該器件驅(qū)動(dòng)一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 以取代一個(gè)功率肖特基二極管。
2017-10-16 15:46:36 8829 本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET 的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET 的反向 恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路 將使用上一篇文章中給出的基本電路 圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合
2020-12-21 14:25:45 7583 用P溝道 MOSFET 設(shè)計(jì)反向 電壓保護(hù) 電路
2022-04-29 17:42:36 14394 用N溝道 MOSFET 設(shè)計(jì)反向 電壓保護(hù) 電路
2022-04-29 17:59:34 15878 該電路 實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓保護(hù) 的主要原理與 圖2 電路 基本一致。不過(guò)當(dāng)電路 觸發(fā)過(guò)流、過(guò)壓保護(hù) 功能時(shí)，僅是電流方向?yàn)镈→S的MOSFET 實(shí)現(xiàn)保護(hù) 作用。對(duì)于另外一顆MOSFET ，當(dāng)電流較小、其體二極管還未正向?qū)〞r(shí)，電流會(huì)從其溝道 流過(guò)；當(dāng)其體二極管正向?qū)ê?，電流?huì)同時(shí)從溝道 、體二極管流過(guò)。
2023-11-07 14:42:49 634 硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫(huà)一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET ，或是N溝道 MOSFET 或是P溝道 MOSFET
2023-11-21 15:05:31 779 電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù) ，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET ：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道 MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道
2022-06-28 11:01:01 750 `深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 3415 20V SOT-23 P 溝道 MOS 帶ESD保護(hù) HN3415D，庫(kù)存現(xiàn)貨HN3415D采用先進(jìn)的溝道 技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開(kāi)），低柵極電荷和低至1.8V
2021-03-11 11:14:52
和工作原理 功率MOSFET 的種類(lèi)：按導(dǎo)電溝道 可分為P 溝道 和N溝道 。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道 ，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P ）溝道 器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在
2019-06-14 00:37:57
MOSFET 晶體管是可以電壓驅(qū)動(dòng)電流。常用的是N溝道 MOSFET ，P 溝道 的制作成本高。簡(jiǎn)單功率MOSFET 電機(jī)控制器。這是一個(gè)典型的 MOSFET 開(kāi)關(guān)電路 。由于電動(dòng)機(jī)負(fù)載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
相反。由于其中存在可用的P 型雜質(zhì)，因此該MOSFET 中的通道是預(yù)先構(gòu)建的。一旦在柵極端施加負(fù) (-) 電壓，N型中的少數(shù)電荷載流子(如電子)就會(huì)被吸引到P 型溝道 。在這種情況下，一旦漏極反向 偏置，則器件
2022-09-27 08:00:00
IC圖2：用自舉電路 對(duì)高側(cè)N溝道 MOSFET 進(jìn)行柵控極性決定了MOSFET 的圖形符號(hào)。不同之處在于體二極管和箭頭符號(hào)相對(duì)于端子的方向。圖3：P 溝道 和N溝道 MOSFET 的原理圖注意體二極管和箭頭相對(duì)漏極
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P 溝道 增強(qiáng)型功率MOSFET ，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù) ，或PWM開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
通道MOSFET 來(lái)在反向 電壓情況出現(xiàn)時(shí)提供保護(hù) 功能。然而，這樣的控制電路 比較復(fù)雜，并且高電流p 通道MOSFET 也比較昂貴，并且會(huì)增加總體系統(tǒng)成本。P 通道MOSFET 常見(jiàn)的Rds(on) 會(huì)在低輸入電壓
2018-09-04 14:59:07
`AON7544 N溝道 MOSFET 采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路 中
2020-05-29 08:39:05
型號(hào)：G16P 03VDS：-30VIDS ：-16A封裝: DFN3*3-8L溝道 ：P 溝道 種類(lèi)：絕緣柵(MOSFET )G16P 03 原裝，G16P 03庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用
2020-11-05 16:48:43
MOSFET 的浮柵驅(qū)動(dòng)。高速度（HS）比較器保護(hù) 公共總線通過(guò)關(guān)閉短路的電源將MOSFET 置于300ns以下并保證低反向 當(dāng)前。一種外接電阻可編程HS檢測(cè)電平比較器允許用戶(hù)設(shè)置N溝道 MOSFET
2020-09-28 16:35:05
Q2體二極管中的電流比正常工作狀況下大很多。導(dǎo)致了MOSFET Q2的P -N結(jié)上存儲(chǔ)更多電荷。 在t2~t3時(shí)段，MOSFET Q2施加門(mén)極信號(hào)，在t0~t1時(shí)段劇增的諧振電流流經(jīng)MOSFET Q2溝道
2019-09-17 09:05:04
。該控制器可保護(hù) 電路 免受可能過(guò)高，過(guò)低或過(guò)低的輸入電壓的影響。它通過(guò)控制兩個(gè)背對(duì)背連接的N溝道 MOSFET 的柵極來(lái)工作，以將輸出保持在安全范圍內(nèi)。 UV和OV設(shè)定點(diǎn)由UV和OV輸入上的電阻分壓器配置
2019-02-21 09:48:51
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET ）兩大類(lèi)。按溝道 材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道 和P 溝道 。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
Multisim10.0元件庫(kù)沒(méi)P 溝道 耗盡型MOSFET 管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒(méi)P 的啊
2012-11-03 10:45:54
`<p ><font face="Verdana">N溝道 MOSFET 概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
N溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點(diǎn)LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET 。N溝道 場(chǎng)效應(yīng)管與P 溝道 場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道 MOSFET 的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET 是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
小編在接到客戶(hù)咨詢(xún)關(guān)于MOS管的時(shí)候，總會(huì)被問(wèn)到一個(gè)問(wèn)題：怎么選擇合適的MOS管？關(guān)于這一個(gè)問(wèn)題，昨天針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋?zhuān)裉煳覀儊?lái)看其他方面的影響。確定N、P 溝道
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET 有二種類(lèi)型：N溝通和P 溝道 ，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P 管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道 的功率MOSFET 的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8腳貼片封裝，實(shí)為一只復(fù)合MOSFET ，內(nèi)含一只P 溝道 和N溝道 場(chǎng)效應(yīng)管，如下圖所示，其最大漏源電流Idsm為7A，最大漏源電壓Vds為30V，該元件在TCL液晶電
2021-04-06 06:53:57
一般說(shuō)明PW2307采用先進(jìn)的溝道 技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至4.5V時(shí)工作。該裝置適用于電池保護(hù) 或在其他交換應(yīng)用中 特征VDS=-20V ID=-7ARDS（開(kāi)）
2020-12-23 13:05:52
一般說(shuō)明PW2309采用先進(jìn)的溝道 技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù) 或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（開(kāi)）
2020-12-10 15:57:49
一般說(shuō)明PW2319采用先進(jìn)的溝道 技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù) 或在其他交換應(yīng)用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（開(kāi)）
2020-12-04 14:28:06
`一般說(shuō)明PW2337采用先進(jìn)的溝道 技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù) 或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（開(kāi)）&
2020-12-10 16:01:03
`SUN2310SGP溝道 增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET ） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道 技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路 。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
我想知道STL62P 3LLH6 P 溝道 MOSFET 的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
概述： UCC3957是德州儀器公司生產(chǎn)的一款采用BiCMOS工藝的3/4節(jié)鋰離子電池組充電器保護(hù) 用控制集成電路 。它與外部的P 溝道 MOSFET 晶體管一起對(duì)電池組充電實(shí)現(xiàn)兩級(jí)過(guò)電流保護(hù) ，如果達(dá)到第一
2021-05-18 07:43:37
圖1為二個(gè)P 溝道 的功率MOSFET 組成的充電電路 ，P 溝道 的功率MOSFET 的型號(hào)為：AO4459。Q3和R1實(shí)現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路 的工作。圖1：P 溝道 MOSFET 組成充電電路 電路 工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù) 典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
高精度電壓MOSFET 檢測(cè)電路 和延遲電路 。XB6042系列DFN1X1x0.37-4包裝，只有一個(gè)外部組件使其成為理想的電池組空間有限的解決方案。XB6042系列具有所有的保護(hù) 功能電池應(yīng)用所需的功能包括過(guò)
2021-04-07 16:46:59
維持溫度穩(wěn)定性。（它有A版本1%或B版本0.5%精度可選擇），R1和R2選擇精度1%以上的電阻。該電路 的真值表如下所示2.該過(guò)壓保護(hù) 電路 使用具有推挽輸出級(jí)的高電壓比較器來(lái)控制將電源連接到負(fù)載的P 溝道
2019-07-10 09:12:53
特征充分增強(qiáng)N溝道 功率mosfet 8μA IQ待機(jī)電流電流為85μA IQ無(wú)外部電荷泵電容器4.5V至18V電源范圍短路保護(hù) 通過(guò)PTC熱敏電阻進(jìn)行熱關(guān)機(jī)狀態(tài)輸出指示停機(jī)提供8針SOIC應(yīng)用筆
2020-09-08 17:28:16
在通孔板上建立電路 數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET 時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過(guò)搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET 或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET 。對(duì)我來(lái)說(shuō)非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
N溝道 和P 溝道 MOSFET 哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
DC2418A-B，演示電路 旨在演示具有雙向斷路器的LTC4368-2 100V欠壓（UV），過(guò)壓（OV）和反向 保護(hù) 控制器的性能。 LTC4368-2可保護(hù) 電路 免受雙向過(guò)流和輸入電壓的影響，輸入電壓
2019-02-19 07:01:31
變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。二、功率MOSFET 的反向 導(dǎo)通等效電路 （1）1）等效電路 （門(mén)極不加控制）：2）說(shuō)明：即內(nèi)部二極管的等效電路 ，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體
2021-08-29 18:34:54
變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。功率MOSFET 的反向 導(dǎo)通等效電路 （1）（1）：等效電路 （門(mén)極不加控制）（2）：說(shuō)明即內(nèi)部二極管的等效電路 ，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體
2021-09-05 07:00:00
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路 簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET 的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
MOSFET ，也可以直接驅(qū)動(dòng)。對(duì)于一個(gè)橋式電路 的上下橋臂，上管使用P 溝道 的功率MOSFET ，可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路 設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。如果上管選用N溝道 的功率MOSFET ，那么必須采用浮驅(qū)或自舉電路 ，驅(qū)動(dòng)電路
2016-12-07 11:36:11
分享功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù) 電路 方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
≥5V時(shí)，N導(dǎo)電溝道 暢通(它相當(dāng)于一個(gè)極小的電阻)而大部分電流是從S流向D的(ID為負(fù))。而當(dāng)電 池裝反時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET )不通，電路 得以保護(hù) 。2．觸摸調(diào)光電路 一種簡(jiǎn)單的觸摸調(diào)光電路 如圖10
2011-12-19 16:52:35
的型號(hào)多，成本低；P 溝道 MOSFET 選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET 的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道 就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路 復(fù)雜；P 溝道 可以直接驅(qū)動(dòng)
2019-04-04 06:30:00
惡劣的工作條件，本文將介紹功率MOSFET 在這種工作狀態(tài)的特點(diǎn)，以及如何選取功率MOSFET 型號(hào)和設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路 ?！ ?b class="flag-6" style="color: red">電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用特點(diǎn) 電動(dòng)自行車(chē)的磷酸鐵鋰電池保護(hù) 板的放電電路 的簡(jiǎn)化模型如圖1
2018-09-30 16:14:38
的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的
MOSFET 電路 之一。圖 1：傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)
反向 保護(hù) 對(duì)于負(fù)載側(cè)
電路 而言，這種方法比使用二極管更好，因?yàn)殡娫?/div>
2021-12-28 09:37:46
，電路 中的可用電壓為電源電壓減去二極管壓降。在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中，大多數(shù)前端接口要求反向 極性保護(hù) ，而這一保護(hù) 功能通常由二極管或MOSFET 提供。由于它不需要電荷泵，p 通道MOSFET 一直用于高電流應(yīng)用…
2022-11-17 07:18:32
LTC4365 將迅速把負(fù)載與電源斷接。圖 1：完整的 12V 汽車(chē)欠壓、過(guò)壓及電源反向 保護(hù) 電路 雙路 N 溝道 MOSFET 負(fù)責(zé)在 VIN 上隔離正電壓和負(fù)電壓。在標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)作期間，LTC4365 為外部
2018-10-29 16:59:59
。功率 MOSFET 的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類(lèi)似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道 和 P 溝道 兩大類(lèi)；每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
MOSFET 在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P 溝道 。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P 溝道 MOSFET 或N溝道 MOSFET 作為主開(kāi)關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道 技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
有沒(méi)有人用過(guò)SI2307 P 溝道 MOSFET ?不知道為什么5V的電壓無(wú)法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計(jì)問(wèn)題？
2016-08-28 18:29:46
窗口之外，則 LTC4365 將迅速把負(fù)載與電源斷接。圖 1：完整的 12V 汽車(chē)欠壓、過(guò)壓及電源反向 保護(hù) 電路 雙路 N 溝道 MOSFET 負(fù)責(zé)在 VIN 上隔離正電壓和負(fù)電壓。在標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)作期間
2022-05-09 14:49:27
LTC4365 將迅速把負(fù)載與電源斷接。圖 1：完整的 12V 汽車(chē)欠壓、過(guò)壓及電源反向 保護(hù) 電路 雙路 N 溝道 MOSFET 負(fù)責(zé)在 VIN 上隔離正電壓和負(fù)電壓。在標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)作期間，LTC4365 為外部
2019-03-24 11:17:53
的性能。該控制器可保護(hù) 電路 免受可能過(guò)高，過(guò)低或過(guò)低的輸入電壓的影響。它通過(guò)控制兩個(gè)背對(duì)背連接的N溝道 MOSFET 的柵極來(lái)工作，以將輸出保持在安全范圍內(nèi)。 UV和OV設(shè)定點(diǎn)由UV和OV輸入上的電阻分壓器配置
2019-02-19 09:30:42
是不起作用的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的
MOSFET 電路 之一。圖 1：傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)
反向 保護(hù) 對(duì)于負(fù)載側(cè)
電路 而言，這種方法比使用二極管更好，因?yàn)?/div>
2021-12-22 07:00:00
是不起作用的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的
MOSFET 電路 之一。圖 1：傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)
反向 保護(hù) 對(duì)于負(fù)載側(cè)
電路 而言，這種方法比使用二極管更好，因?yàn)?/div>
2021-12-02 09:18:17
器件。一旦在MOSFET 的柵極端施加電壓，源極溝道 的漏極電阻將變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí)，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡型MOSFET 有兩種類(lèi)型，分別是P 溝道 和N溝道
2022-09-13 08:00:00
K9是單片機(jī)控制信號(hào)，OUT_12V_1是時(shí)鐘（脈沖）信號(hào)，IN1B會(huì)有幾種輸出狀態(tài)呢？光耦LTV-357T-D接P 溝道 MOSFET 的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
*附件：power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無(wú)法供電故障，此電源電路 采用P 溝道 MOS限流保護(hù) 設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路 ，限制
2023-06-05 22:50:12
鋰離子/聚合物電池保護(hù) 集成電路 XB7608AJ系列產(chǎn)品是鋰離子/聚合物電池保護(hù) 的高集成度解決方案。XB7608AJ包含了先進(jìn)的powe MOSFET 、高精度的電壓檢測(cè)電路 和延時(shí)電路 ，XB7608AJ被放入
2021-04-15 21:12:45
時(shí)，形成兩個(gè)反向 偏置的PN結(jié)：P 和垂直導(dǎo)電N+、P +和外延epi層N-。柵極下面的的P 區(qū)不能形成反型層產(chǎn)生導(dǎo)電溝道 ，P 和垂直導(dǎo)電N+形成PN結(jié)反向 偏置，PN結(jié)耗盡層增大，并建立橫向水平電場(chǎng)；同時(shí)，P +和外延
2018-10-17 16:43:26
承受80V的瞬態(tài)或DC過(guò)壓。LTC4361具有由/ON引腳控制的軟停機(jī)功能，并為可選的外部P 溝道 MOSFET 提供柵極驅(qū)動(dòng)輸出，以實(shí)現(xiàn)電壓反向 保護(hù) 。
2021-04-19 07:32:06
。逆向電池保護(hù) 電路 也節(jié)省了電子電路 的任何回流從電池。反向 電池保護(hù) 電路 可以建立使用二極管，MOSFET 或 BJT。在本教程中，逆向電池保護(hù) 電路 從這些組成部分將設(shè)計(jì)和測(cè)試的功率效率與不同的負(fù)載。實(shí)驗(yàn)中不
2022-03-23 10:26:13
20V N-溝道 增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道 增強(qiáng)型MOSFET 簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:33:33 15 20V P 溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管
20V P 溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:36:20 23 20V N溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管
20V N溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:39:00 26 30V N溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管
30V N溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:00 20 30V P 溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管
30V P 溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:09 29 N加P溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管
N加P溝道 增強(qiáng)型MOSFET 管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:39 25 N溝道 增強(qiáng)型MOSFET
N溝道 增強(qiáng)型MOSFET 的工作原理
1) N溝道 增強(qiáng)型MOSFET 的結(jié)構(gòu)N 溝道 增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:18 10460 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù) 電路 的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功
2012-03-05 15:56:44 134 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù) 電路 的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功
2012-10-10 16:32:58 3880 MOSFET 多數(shù)是載流子器件， N溝道 MOSFET 在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道 在導(dǎo)電期間使用被稱(chēng)為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道 的管芯尺寸大約是N溝道 的三倍。因此N溝道 的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:15 21279 MOSFET 及其應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，以幫助設(shè)計(jì)人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道 耗盡型功率MOSFET N溝道 耗盡型功率MOSFET 的電路 符號(hào)在圖1中給出。端子標(biāo)記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET 具有稱(chēng)為垂直雙擴(kuò)散MOSFET 或DMOSFET的結(jié)構(gòu)，與市場(chǎng)上的其
2021-05-27 12:18:58 7444 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù) 的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12 9 為反向 極性保護(hù) 設(shè)計(jì)一個(gè)電路
2022-11-03 08:04:40 1 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道 MOSFET 在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道 。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道 MOSFET 或N溝道 MOSFET 作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:21 2478 在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中，大多數(shù)前端接口要求反向 極性保護(hù) ，而這一保護(hù) 功能通常由二極管或MOSFET 提供。由于它不需要電荷泵，p通道MOSFET 一直用于高電流應(yīng)用。然而，p通道MOSFET 的Rds
2023-04-15 10:50:46 1357 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道 和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 ，該電路 可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路 。
2023-04-29 09:35:00 5290 在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)BPS電路 的理想方法。
2023-06-27 17:29:31 599 在H橋電路 中實(shí)現(xiàn)P溝道 MOSFET 可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02 957 有四個(gè)主要元件可滿(mǎn)足電池反向 保護(hù) ，分別是恢復(fù)整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET 。
2023-08-10 14:00:10 263 電力MOSFET 的反向 電阻工作區(qū) 電力MOSFET 在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，例如電源、驅(qū)動(dòng)電路 、LED控制等。MOSFET 是一種基于場(chǎng)效應(yīng)管的晶體管，其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19 435 已全部加載完成
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