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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>光源掩模協(xié)同優(yōu)化的原理與應(yīng)用

光源掩模協(xié)同優(yōu)化的原理與應(yīng)用

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2018-01-03 10:29:4512

能源互聯(lián)微網(wǎng)系統(tǒng)供需雙側(cè)多能協(xié)同優(yōu)化

為提高新能源利用效率,充分考慮了供給側(cè)、需求側(cè)以及能源轉(zhuǎn)換之間的影響作用,構(gòu)建了能源互聯(lián)微網(wǎng)系統(tǒng)供需雙側(cè)多能協(xié)同優(yōu)化策略模型,提出了求解混合整數(shù)非線性規(guī)劃模型的帶個體差異蟻群算法與粒子群優(yōu)化算法
2018-01-09 18:31:502

光源、面光源、線光源的區(qū)別

光源是理想化為質(zhì)點點光源,面光源是指發(fā)光的模式,線光源是建筑照明術(shù)語,指一個連續(xù)的燈或燈具,其發(fā)光帶的總長度遠(yuǎn)大于其到照度計算點之間的距離,可視為線光源。
2018-01-19 11:59:2956243

光源是什么

光源是一個物理學(xué)名詞,宇宙間的物體有的是發(fā)光的,有的是不發(fā)光的,我們把自己能發(fā)光且正在發(fā)光的物體叫做光源。太陽、打開的電燈、燃燒著的蠟燭等都是光源。
2018-12-16 09:29:2351810

PCB焊接掩模的4種類型

什么是PCB阻焊劑類型?PCB焊接掩膜作為銅跡線上的保護(hù)涂層,防止生銹并阻止焊料從形成導(dǎo)致短路的橋梁。有4種主要的PCB焊接掩模類型 - 環(huán)氧液體,液體可光成像,干膜可光成像,頂部和底部面罩。
2019-07-31 16:44:037942

通過制造插入焊接掩模的技術(shù)介紹

與普通的阻焊膜應(yīng)用技術(shù)相比,通過制造商制造的阻焊膜除了絲網(wǎng)印刷和后期印刷之外還有相同的程序。養(yǎng)護(hù)。因此,通過制造工藝優(yōu)化焊接掩模的關(guān)鍵點在于絲網(wǎng)印刷和后固化方面的合理監(jiān)控和管理。
2019-08-05 09:17:351525

為晶圓級CSP生產(chǎn)設(shè)定掩模標(biāo)準(zhǔn)

MUNICH - Karl Suss KG GmbH&公司今天宣布與硅谷的Image Technology公司合作,開發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)化9英寸掩模,用于大批量晶圓凸點和晶圓級芯片級封裝的生產(chǎn)??傮w目標(biāo)是降低晶圓級芯片級封裝的掩模成本。
2019-08-13 10:48:592262

什么是電光源_電光源的概念

能發(fā)光的物體稱為光源,靠外部供給電能而發(fā)光的光源稱為電光源。
2020-09-16 13:59:115585

極紫外(EUV)光刻技術(shù)將如何影響掩模收入?

體上,三分之二的調(diào)查參與者認(rèn)為這將產(chǎn)生積極的影響。前往EUV時,口罩的數(shù)量減少了。這是因為EUV將整個行業(yè)帶回單一模式。具有多個圖案的193nm浸入需要在高級節(jié)點處使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096

中科院研究了一種新算法,該算法優(yōu)化了源代碼和掩碼模式,社交學(xué)習(xí)策略提高了系統(tǒng)效率   

2021年3月5日消息,近日,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所的研究人員提出了一種基于厚掩模模型和社會學(xué)習(xí)的極紫外光刻(EUVL)源掩模優(yōu)化(SMO)技術(shù)粒子群優(yōu)化(SL-PSO)算法。
2021-03-08 13:46:571446

4/5G協(xié)同優(yōu)化方法的研究資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供4/5G協(xié)同優(yōu)化方法的研究資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-18 08:49:372

晶體管物理結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的兩類協(xié)同優(yōu)化技術(shù)探究

的新型晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)行的前沿研究,探究了晶體管物理結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的兩類協(xié)同優(yōu)化技術(shù),其成果有望加速CFET技術(shù)的成熟和應(yīng)用落地。 研究背景 隨著技術(shù)節(jié)點的不斷進(jìn)步,已服役十年的FinFET集成電路器件,其工藝單元設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化(DTCO)*由
2021-05-08 15:13:131900

用于光掩模清潔的兩種兆聲波裝置

引言 濕式光掩模清洗依賴于兆頻超聲波攪拌來增強工藝,但要可靠地最大化粒子去除效率并最小化損壞,還有許多挑戰(zhàn)。隨著向無薄膜EUV掩模的轉(zhuǎn)變,光掩模工藝更容易受到污染,增加了改進(jìn)清潔工藝的緊迫性。這一
2022-01-06 13:45:11556

使用標(biāo)準(zhǔn)濕法清潔從EUV掩模空白中去除納米顆粒

準(zhǔn)備好無缺陷掩模供應(yīng)是將極端紫外線光刻(EUVL)應(yīng)用于32納米半間距(HP)及更大的大批量半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。根據(jù)ITRS在2008年更新的數(shù)據(jù),對于32納米的惠普,需要去除的缺陷尺寸為25
2022-02-17 14:59:271349

光刻膠剝離和光掩模清潔的工藝順序

本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域,具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。
2022-04-01 14:26:37610

不同掩模材料對400nm瀝青光柵蝕刻特性的影響

,而蝕刻選擇性則響應(yīng)了聚合物掩模的局限性。Cr對聚合物掩模具有與Cr相同的高選擇性,減少了直接硬掩模引入的過度欠切割,通過優(yōu)化蝕刻參數(shù),我們將一個400nm的螺距光柵蝕刻到≈10.6μm的深度,對應(yīng)的高寬比為≈53。
2022-05-10 10:21:58252

移相掩模技術(shù)不同的分類方法

光刻圖形質(zhì)量的主要判據(jù)是圖形成像的對比度,移相掩模方法可使對比度得到改善,從而使得其分辨率比傳統(tǒng)方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分類方法可分為多種類型,其基本原理均為相鄰?fù)腹鈭D形透過的光振幅相位相反而產(chǎn)生相消干涉,振幅零點和(或)頻譜分布壓窄,從而改善對比度、分辦率和成像質(zhì)量。
2022-10-17 14:54:091490

計算光刻技術(shù)的發(fā)展

Technology,RET)的延伸,其關(guān)鍵技術(shù)主要包括光學(xué)成像物理仿真、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正 (Optical Proximity Correction,OPC)、光源-掩模協(xié)同優(yōu)化 (Source-Mask Optimization, SMO) 等。三種計算光刻技術(shù)的對比見表。
2022-10-26 15:46:222274

MEMS電鍍金屬掩模工藝優(yōu)化及構(gòu)建仿真模型

在微機電系統(tǒng)(MEMS)工藝中,沉積金屬作為掩模是目前較為常用的方法。金屬掩模的制備一般采用濺射與電鍍結(jié)合的方式,在襯底上先濺射用于電鍍工藝所沉積金屬的種子層,然后采用電鍍的方式生長金屬掩模。
2022-11-25 10:13:031204

***的簡易工作原理圖 掩模版都有哪些種類?

光刻掩模版,別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形,實現(xiàn)對光線的遮擋或透過功能,是微電子光刻工藝中的一個工具或者板材。
2023-02-13 09:27:292086

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165

掩模場利用率MFU簡介

掃描儀(scanner)是一種在wafer上創(chuàng)建die images的機器。它首先通過刻線(有時稱為掩模)將光照射到涂有保護(hù)性光刻膠的wafer上,以刻上刻線圖案的圖像。
2023-05-06 09:51:385204

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測、補償

光刻機需要采用全反射光學(xué)元件,掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。 這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn),包括掩模基底的低熱膨脹材料的開發(fā)、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復(fù)等。
2023-06-07 10:45:541012

Atonarp質(zhì)譜儀設(shè)備與工藝協(xié)同優(yōu)化EPCO: 380億美元的制造優(yōu)化機會

成功部署 AI/ML 的關(guān)鍵是可操作的實時數(shù)據(jù). 上海伯東 Aston? 質(zhì)譜儀的原位實時分子診斷和云連接數(shù)據(jù)是實現(xiàn)這一能力的關(guān)鍵技術(shù), 從而解鎖半導(dǎo)體設(shè)備與工藝協(xié)同優(yōu)化的潛力
2023-06-21 10:43:55247

ase寬帶光源廠家

ASE寬帶光源模塊采用高性能摻鐿光纖,結(jié)合優(yōu)化的光路結(jié)構(gòu)設(shè)計,穩(wěn)定的激光器驅(qū)動,保證光源長期穩(wěn)定、可靠工作;適合于光纖傳感、無源器件測試等應(yīng)用??芍С稚衔粰C監(jiān)控,實時監(jiān)測/配置模塊運行狀態(tài)。
2023-06-26 14:54:42248

ASE寬帶光源模塊介紹

? ? ? ?ASE寬帶光源模塊采用高性能摻鐿光纖,結(jié)合優(yōu)化的光路結(jié)構(gòu)設(shè)計,穩(wěn)定的激光器驅(qū)動,保證光源長期穩(wěn)定、可靠工作;適合于光纖傳感、無源器件測試等應(yīng)用??芍С稚衔粰C監(jiān)控,實時監(jiān)測/配置模塊運行狀態(tài)。
2023-06-28 16:14:150

考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

短波長透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長,而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件造成了嚴(yán)重的限制,因為這種近似無法考慮光刻圖像
2023-08-25 17:21:43279

光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù)的基本知識

在上一節(jié)計算光學(xué)小講堂中,我們學(xué)習(xí)了光源掩模協(xié)同優(yōu)化(source mask co-optimization, SMO)的相關(guān)知識。這一節(jié)我們將主要探索光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(Optical Proximity Correction,OPC)技術(shù)是如何用來提升光刻工藝窗口,為芯片生產(chǎn)保駕護(hù)航的。
2023-09-01 09:48:442299

光刻可制造性檢查如何檢測掩模版質(zhì)量

隨著工藝節(jié)點不斷變小,掩模版制造難度日益增加,耗費的資金成本從數(shù)十萬到上億,呈指數(shù)級增長,同時生產(chǎn)掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保證其設(shè)計有足夠高的品質(zhì),重新優(yōu)化設(shè)計并再次制造一批掩模版將增加巨大的資金成本和時間成本。
2023-11-02 14:25:59284

無錫迪思完成5.2億B輪融資,加碼高端掩模項目

據(jù)珩創(chuàng)投資官微消息,近日,國內(nèi)半導(dǎo)體光掩模領(lǐng)域龍頭企業(yè)無錫迪思微電子有限公司(以下簡稱“無錫迪思”)完成B輪5.2億股權(quán)融資,由中金資本、中信證券投資、珩創(chuàng)投資等機構(gòu)共同參與。本輪融資資金將用于無錫
2023-11-29 17:46:45581

龍圖光罩:致力于高端半導(dǎo)體掩模版國產(chǎn)化的先鋒

2020年-2023年上半年,應(yīng)用于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的掩模版是龍圖光罩最主要的收入來源,且營收和營收占比呈現(xiàn)逐年遞增的趨勢。龍圖光罩指出,在功率半導(dǎo)體掩模版領(lǐng)域,公司的工藝節(jié)點已覆蓋全球功率半導(dǎo)體主流制程的需求。
2024-01-12 10:18:06325

解析光刻芯片掩模的核心作用與設(shè)計

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用,是一類不可或缺的晶圓制造材料,在芯片封裝(構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷電路板、微機電器件等用到光刻技術(shù)的領(lǐng)域也都能見到各種掩模的身影。
2024-01-18 10:25:22146

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