賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險”狀態(tài)，無論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:26
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在同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
ram在計算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
RAM——隨機(jī)存取存儲器“隨機(jī)”表示存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需的時間與數(shù)據(jù)所在的位置無關(guān)RAM掉電數(shù)據(jù)丟失，分為SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲存取器）和DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲存取器）。SRAM存儲數(shù)據(jù)的時間相對較長
2021-12-10 06:39:26
RMA是內(nèi)存得簡稱，叫做Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲器) 是計算機(jī)得重要組成部分 1、Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲器)：在計算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一
2009-10-13 17:04:10
說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機(jī)存取存儲器，隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫，訪問速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機(jī)存取存儲器，是一種可讀/寫存儲器，一般用于計算...
2021-07-26 08:08:39
設(shè)計（重點(diǎn)）位擴(kuò)展（位并聯(lián)法）字節(jié)擴(kuò)展（地址串聯(lián)法）【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來講【3】SRAM基本原理：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
隨機(jī)存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
存儲器的主機(jī)和多個通信外圍設(shè)備ECC內(nèi)存設(shè)計MTBF超過400年 當(dāng)今處理器的功能和性能過多依賴于內(nèi)部和外部存儲器，因此專注于管理影響多種存儲器類型的瞬態(tài)錯誤至關(guān)重要。糾錯碼（ECC）、奇偶校驗位和循環(huán)
2018-08-30 14:43:15
領(lǐng)域，被成為數(shù)據(jù)閃存信盈達(dá)嵌入式企鵝要妖氣嗚嗚吧久零就要。2、RAM存儲器（1）SRAM的特點(diǎn)：SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，只要供電它就會保持一個值，它沒有刷新周期，由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元，集成度低
2017-09-19 14:22:55
(Dynamic RAM,DRAM)。SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。同步是指Memory
2020-06-10 10:02:12
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
實驗二靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實驗
2021-12-03 08:22:16
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機(jī)存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲器和片外存儲器以及外部存儲設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
ram介紹ram（隨機(jī)存取存儲器），在計算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中有一個很重要的部分就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機(jī)來說有了存儲器才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其
2022-10-25 15:08:10
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
它們寫入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。對靜電敏感。正如
2021-12-03 15:47:25
時，開發(fā)者通?？紤]使用 SDRAM。別問我為什么你的 MCU 不支持 SDRAM。SDRAM 是同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的縮寫。在微控制器應(yīng)用中，微控制器通過使用外部存儲控制器（EMC）操作訪問 SDR...
2021-11-04 08:03:56
的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機(jī)存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
驅(qū)動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導(dǎo)體存儲器則主要分為三類：動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM) 和閃存。計算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
（StaticRandom-AccessMemory）即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所謂“靜態(tài)”是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存...
2021-08-12 06:14:59
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯碼（ECC）的管理和實現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對保護(hù)內(nèi)部存儲器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
Erasable PROM）。 ?。?） 混合型?！ 《?、半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 ?。?）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計呢？
2019-08-02 06:49:22
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
描述此參考設(shè)計介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器接口的系統(tǒng)注意事項。其中
2018-10-22 10:20:57
什么是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
方式隨機(jī)存取存儲器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動態(tài) RAM（DRAM）動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴(kuò)展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
針對數(shù)字簽名，探討了糾錯碼理論和技術(shù)在數(shù)字簽名中的重要作用，介紹了一類糾錯碼數(shù)字簽名方案；提出了一種將簽名與加密、糾錯相結(jié)合的公鑰密碼新體制，新體制比較充分
2009-08-13 10:49:14
6 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
第三十一講 隨機(jī)存取存儲器
9.3 隨機(jī)存取存儲器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名稱 RAM（隨機(jī)存取存儲器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592215 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Reed-Solomon 以下稱 RS 碼 是性能優(yōu)良的糾錯碼在線性分組碼中它的糾錯能力和編碼效率是最高的例如日本的BEST 糾錯碼是(272 190)大數(shù)邏輯碼可以糾8 個錯誤比特編碼效率是69% 利用82b 的冗余
2011-07-21 15:20:3335 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機(jī)存儲設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation （簡稱Ramtron） 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會議 （Silicon Valley Design West/Embedde
2012-04-06 08:55:12632 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。
2014-09-11 15:14:541500 糾錯碼與通信系統(tǒng)的保密，有需要的下來看看。
2016-07-29 19:05:180 適用于SRAM_PUF的糾錯碼研究_馮志華
2017-01-08 15:15:599 sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對一種特定的應(yīng)用。本文旨在對目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評述。
2017-11-03 18:03:052730 針對空域圖像信息隱藏（IH）算法健壯性較差的缺陷，研究了基于糾錯碼的圖像信息隱藏算法。利用糾錯碼能夠糾正隨機(jī)錯誤的特性提高空域信息隱藏算法抵抗攻擊者修改載體的能力。給出了兩類不同的算法：基于糾錯碼
2018-01-07 10:12:470 提供卓越性能和高可靠性。Excelon鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）系列具有高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在惡劣的汽車和工業(yè)環(huán)境中，以及處于極端溫度的情況下均可防止數(shù)據(jù)的丟失。
2018-03-17 09:40:004456 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點(diǎn)。這兩個接口都支持異步存儲器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SBSRAM）和同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:063 隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819724 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機(jī)存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143325 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，只要供電它就會保持一個值，它沒有刷新周期，由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元，集成度低，每個SRAM存儲單元由6個晶體管組成，因此其成本較高。
2019-09-11 16:26:212554 我們許多人都知道，隨機(jī)存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。
2020-01-13 11:50:271949 Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計易于實現(xiàn)，無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支持。Everspin MRAM技術(shù)的強(qiáng)大
2020-05-29 14:31:28828 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲存器是計算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機(jī)存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 
UG-1755：評估ADG5401F故障保護(hù)，6Ω隨機(jī)存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護(hù)和檢測，20?隨機(jī)存取存儲器，雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨(dú)配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤Ｓ玫?CSn單獨(dú)選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M32XS64XX2V12是一種高速、高度集成的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，包含8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。每個銀行都有16位接口，并通過特定的#CS。它特別適用于高可靠性、高性能和高密度系統(tǒng)應(yīng)用程序，如固態(tài)質(zhì)量記錄器、服務(wù)器或工作站。
2022-06-08 11:55:591 VDSR8M16XS54XX2V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256K×的獨(dú)立區(qū)塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨(dú)配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481 SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 14:53:32893 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
相變隨機(jī)存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 RAM ：隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”。
2023-04-25 15:58:205064 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲器（RAM），今天的計算機(jī)甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317 隨機(jī)存取存儲器（RAM）用于實時存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271950 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32H7系列內(nèi)部存儲器保護(hù)的糾錯碼(ECC)管理.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:39:420 本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34818 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56303 引起的故障等。當(dāng)這些情況發(fā)生時，RAM中存儲的數(shù)據(jù)可能會發(fā)生位翻轉(zhuǎn)或完全丟失。 在了解糾錯碼(ECC)如何修復(fù)位翻轉(zhuǎn)之前，我們首先需要了解ECC的工作原理以及它在RAM中的應(yīng)用。 ECC是“Error Correcting Code”的縮寫，它是一種能夠檢測和糾正數(shù)據(jù)錯誤的技術(shù)。
2023-12-15 09:58:08767 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39359
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