比較短的情況下，都會(huì)考慮使用SRAM，這已經(jīng)成為一個(gè)常識(shí)。歷史上SRAM存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)曾經(jīng)幾度起伏，大多數(shù)時(shí)候整個(gè)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)需求量會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">一個(gè)新的SRAM應(yīng)用而暴漲。
2020-12-10 16:44:18
Static RAM（SRAM），指的是一種具有靜止時(shí)存取功能，在不需要刷新電路的情況下依然可以保持內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)芯片。 一般來(lái)說(shuō)有兩個(gè)主要的規(guī)格：1. 一種是放置于單片機(jī)CPU與主存儲(chǔ)之間
2017-06-02 10:45:40
SRAM 即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成，SRAM的高速和靜態(tài)特性使它們通常被用來(lái)作為Cache存儲(chǔ)器。計(jì)算機(jī)的主板上都有Cache插座。下圖所示的是一個(gè)SRAM的結(jié)構(gòu)框圖。由上圖看出SRAM一般由
2022-11-17 14:47:55
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開(kāi)始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類(lèi)：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。?b class="flag-6" style="color: red">靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上，在一
2020-06-05 15:18:24
，那么就設(shè)定BL為0且BL#為1。隨后，WL設(shè)定為上拉電阻，這般，基準(zhǔn)線的情況就被加載sram芯片的基礎(chǔ)模塊了。深入分析全過(guò)程，能夠自身畫(huà)一下。
2020-09-02 11:56:44
SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種?！?b class="flag-6" style="color: red">靜態(tài)”是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM功耗取決于它的訪問(wèn)頻率。如果用高頻率訪問(wèn)
2020-12-28 06:17:10
sram存儲(chǔ)原理是依靠，概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
學(xué)單片機(jī)C語(yǔ)言一定要熟悉關(guān)鍵字的用法，本文介紹一下關(guān)鍵字extern的用法。1、extern的定義是：extern可以置于變量或者函數(shù)前，以標(biāo)示變量或者函數(shù)的定義在別的文件中，提示編譯器遇到此變量
2021-07-15 06:38:41
今天我來(lái)簡(jiǎn)單向大家介紹一下關(guān)于74LS系列芯片的一個(gè)基本情況：74ls00 2輸入四與非門(mén)74ls01 2輸入四與非門(mén)(oc)74ls02 2輸入四或非門(mén)74ls03 2輸入四與非門(mén)(oc
2021-07-22 09:20:28
單元的通路，稱(chēng)為位線。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析。 圖1 六管單元的讀出操作 SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析存儲(chǔ)單元的讀操作是指被
2020-04-29 17:27:30
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下
2019-04-16 09:20:18
1、第一個(gè)圖中的由CPLD傳來(lái)的信號(hào)存儲(chǔ)到SRAM中，但是SRAM之后沒(méi)有連接別的芯片，信號(hào)一直待在存儲(chǔ)器里嗎，這個(gè)SRAM存儲(chǔ)器有什么用？。2、第二個(gè)圖中的SRAM存儲(chǔ)器連接在CPLD和USB芯片之間，起到信號(hào)暫存的作用，很好理解。兩種CPLD和SRAM的連接方式有什么區(qū)別？求解答謝謝大佬們
2020-04-01 17:45:39
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)SRAM工藝
2020-12-29 07:26:02
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (Low Power SRAM); 高速靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (High Speed SRAM); 虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
2010-09-03 13:05:24
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
大片地擦除，而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
考慮串行SRAM是一種解決方案，也是可以的，但價(jià)格是串行SRAM比SRAM還要昂貴。如果是從降低成本的方向考慮，這里介紹一種偽靜態(tài)SRAM也叫PSRAM，只需要SPI接口或者QPI接口，就可以簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單
2016-12-21 11:35:39
1. 程序和數(shù)據(jù)在Flash和SRAM上的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在講解 STM32 啟動(dòng)過(guò)程之前，我們先來(lái)了解一下 STM32 的程序和數(shù)據(jù)在 Flash 和 SRAM 上到底是如何存儲(chǔ)的，因?yàn)橛辛诉@方面的知識(shí)
2022-02-18 06:13:34
malloc申請(qǐng)。 小白我看了一下，一個(gè)是flash.ld文件，該文件有堆棧的相關(guān)配置，另一個(gè)是通過(guò)項(xiàng)目屬性-》Toolchain-》ARM/GNU Linker下有關(guān)于Memory Settings的設(shè)置。 目的：通過(guò)配置，程序中所有的malloc申請(qǐng)的空間自動(dòng)分配到外部SRAM空間請(qǐng)大家多多指教！謝謝
2018-01-09 13:51:48
本篇文章存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子簡(jiǎn)單介紹一下關(guān)于ram使用的注意事項(xiàng)。
2021-06-18 07:00:41
有沒(méi)有大神可以指點(diǎn)一下關(guān)于DSP2406C語(yǔ)言編程，控制逆變器的學(xué)習(xí)，或者提供點(diǎn)資料，指導(dǎo)我如下門(mén)
2014-06-10 20:58:29
其中一款近期非常熱銷(xiāo)的ESP-PSRAM64芯片。ESP-PSRAM64 和 ESP-PSRAM64H 是 64 Mbit 偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)? (Pseudo SRAM)，采用高性能高可靠性的 CMOS
2020-05-11 09:56:38
RT-Thread操作系統(tǒng)組件，請(qǐng)移步到《基于 STM32CubeMX 添加 RT-Thread 操作系統(tǒng)組件(一）- 詳細(xì)介紹操作步驟》文章閱讀。好了，喝杯茶先^_^，繼續(xù)前行。上一篇介紹關(guān)于《單線程SRAM動(dòng)態(tài)內(nèi)存如何使用》...
2021-08-24 06:57:57
各位大神，我想問(wèn)一下關(guān)于Xilinx的Virtex系列system genarator for DSP模塊和Matlab相連接，來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)閉環(huán)反饋算法，現(xiàn)在可不可以實(shí)現(xiàn)??？能否做到實(shí)時(shí)？有人做過(guò)嗎？（不用編寫(xiě)Verilog程序，直接生成網(wǎng)表文件）
2015-07-01 12:25:53
能不能講解一下關(guān)于存儲(chǔ)器映射實(shí)例：256KB Flash 48KB SRAM？
2021-04-02 06:06:14
英尚國(guó)際是EMLSI中國(guó)區(qū)授權(quán)指定一級(jí)代理商,同時(shí)我們也是專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器產(chǎn)品及RAM方案提供商.Ramsun is the authorized agent as designated
2013-08-23 11:00:03
今天總結(jié)一下關(guān)于串口雙機(jī)通信的方法，我們?cè)谌粘ｍ?xiàng)目開(kāi)發(fā)中經(jīng)常會(huì)用到串口，需要將一包數(shù)據(jù)從一個(gè)單片機(jī)發(fā)到另一個(gè)單片機(jī)上，經(jīng)常會(huì)有人在這塊兒遇到困難，要么會(huì)出現(xiàn)不能發(fā)送，或者不能接收，或者數(shù)據(jù)出現(xiàn)亂碼
2022-02-10 07:12:01
看到了貴公司在不久前收購(gòu)液晶波導(dǎo)技術(shù)的相關(guān)新聞，想請(qǐng)教一下關(guān)于液晶波導(dǎo)的知識(shí)。想了解一下液晶波導(dǎo)的原理簡(jiǎn)要介紹、結(jié)構(gòu)組成和應(yīng)用等情況
2019-01-10 11:47:50
想請(qǐng)教一下關(guān)于TRF372017 這款PLL芯片的壓控振蕩器增益參數(shù)問(wèn)題，我在網(wǎng)上看見(jiàn)說(shuō)TRF372017 的壓控振蕩器增益是45MHz/V,電荷泵輸出電流Icp 2mA，我在TRF372017數(shù)據(jù)
2019-08-28 11:38:19
想自己研究一下關(guān)于超聲波的清洗應(yīng)用供電是直流DC12V原理大概就是產(chǎn)生一個(gè)高頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)超聲波換能器，將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能。但是我對(duì)如何產(chǎn)生這個(gè)高頻信號(hào)有點(diǎn)疑問(wèn)，而且好像還要用到高頻電感和高頻變壓器
2020-10-13 11:02:14
家人們，想問(wèn)一下Proteus導(dǎo)入的stm32的芯片怎么燒錄keil的代碼呀？我導(dǎo)入的芯片就和圖片一樣，沒(méi)有燒錄的地方了。
2023-06-11 22:39:18
大家好，我是新手，很新的那種我想請(qǐng)教一下關(guān)于PLL的使用問(wèn)題比如，我用Verilog寫(xiě)一段LED每秒翻轉(zhuǎn)一次的代碼，使用PIN28的時(shí)鐘，因?yàn)榫д袷?0MHz，所以 每 32'd20_000_000
2013-02-27 17:04:36
大大增加，而且中斷的設(shè)置也更加復(fù)雜。今天就將來(lái)探討一下關(guān)于STM32中的中斷系統(tǒng)。1 基本概念A(yù)RM Coetex-M3內(nèi)核共支持256個(gè)中斷，其中16個(gè)內(nèi)部中斷，2
2021-08-17 08:29:50
這篇和大家探討一下關(guān)于電機(jī)軸承的數(shù)據(jù)集電機(jī)軸承的數(shù)據(jù)集目前較多采用的是CWRU（凱斯西儲(chǔ)大學(xué)軸承數(shù)據(jù)中心）這是一個(gè)針對(duì)于全球?qū)W者的公開(kāi)數(shù)據(jù)集，下面給大家分享一下該數(shù)據(jù)集的獲取
2021-09-08 06:52:05
開(kāi)關(guān)電路，搭建存儲(chǔ)器編程開(kāi)發(fā)環(huán)境，讀寫(xiě)國(guó)產(chǎn)Lyontek的SRAM芯片：LY62L5128。國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)器好像比較少，支持一下。 一，LY62L5128 CMOS SRAM 靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）是由
2016-08-30 04:32:10
有哪位大神可以分享一下關(guān)于S5P6818的一些學(xué)習(xí)筆記嗎
2022-01-06 07:18:26
求大神介紹一下關(guān)于高速板4層以上的設(shè)計(jì)流程
2021-04-23 06:29:05
新入門(mén)的大學(xué)狗，最近在做關(guān)于環(huán)境數(shù)據(jù)采集的項(xiàng)目，參考的是Arduino和Labview實(shí)戰(zhàn)的那本書(shū)，里面關(guān)于環(huán)境數(shù)據(jù)采集用到了四個(gè)節(jié)點(diǎn)，那意思是我需要四個(gè)下位機(jī)等待上位機(jī)選擇節(jié)點(diǎn)的時(shí)候 傳輸數(shù)據(jù)，我這么理解是對(duì)的么？求大神解釋一下
2016-05-09 15:52:44
求大神詳細(xì)介紹一下關(guān)于類(lèi)的封裝與繼承
2021-04-28 06:40:35
組成該存儲(chǔ)器需要多少片ROM芯片和SRAM芯片？ROM芯片、SRAM芯片各需連接CPU的那幾根地址線和數(shù)據(jù)線？
2021-10-27 06:52:43
能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？
2023-04-28 07:00:20
能給一下關(guān)于鍵盤(pán)應(yīng)用案例的方案嗎
2022-07-29 06:49:41
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
請(qǐng)問(wèn)一下關(guān)于Matlab要學(xué)習(xí)哪些知識(shí)呢？
2021-11-19 07:17:03
需要移到上面去嗎，就是需要拖到跟Demo_archive.vi在project里同一級(jí)嗎？謝謝。還有在做安裝包的時(shí)候也是一樣么？今天試驗(yàn)了一下，有幾個(gè)不懂的地方：1. dependencies 下的文件移到上面去后就不能再回去了，為啥？2. 如果移動(dòng)了，影響原VI的路徑么？
2015-06-11 15:13:41
求大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于電阻負(fù)載系數(shù)的精密測(cè)量方法
2021-04-12 06:28:22
誰(shuí)可以分享一下關(guān)于IC設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)有哪些??？
2021-06-25 07:18:34
誰(shuí)能給我介紹一下關(guān)于16APSK原理和MATLAB仿真啊？沒(méi)學(xué)過(guò)，教科書(shū)也沒(méi)查到從哪兒看，找的資料都不詳細(xì)，求詳細(xì)的適合初學(xué)者的！感激不盡！
2016-09-29 19:45:37
在看PCB布線規(guī)則之類(lèi)的資料時(shí)候，都會(huì)提到把數(shù)字器件和模擬器件分開(kāi)，亦或是劃分模擬電路和數(shù)字電路，那這兩塊怎么判別呢？還勞煩各位前輩能夠把你們關(guān)于這塊的經(jīng)驗(yàn)給我分享一下。感激不盡
2016-07-22 17:13:00
SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:32
8479 設(shè)計(jì)了一種靜態(tài)隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器( SRAM ) 的B iCMOS 存儲(chǔ)單元及其外圍電路。HSp ice仿真結(jié)果表明, 所設(shè)計(jì)的SRAM 電路的電源電壓可低于3 V 以下, 它既保留了CMOS SRAM 低功靜態(tài)存儲(chǔ)器和便攜式數(shù)
2011-08-18 17:35:01
32 sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:052730 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（static RAM），簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設(shè)備中，常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）、FLASH（閃速存儲(chǔ)器）、DRAM（動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性
2017-11-16 10:19:550 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)報(bào)告書(shū)免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲(chǔ)器也有很多種類(lèi)。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器兼具優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234 SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多
2020-04-28 14:16:361185 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細(xì)介紹
2020-04-30 15:48:132878 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ)，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管
2020-05-10 10:10:547053 SRAM存儲(chǔ)器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則就會(huì)出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會(huì)消失，因此SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能。SRAM雖然只是存儲(chǔ)
2020-06-22 13:36:091116 速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM（異步SRAM）、Sync SRAM（同步SRAM）等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)。 半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲(chǔ)矩陣，譯碼驅(qū)動(dòng)電路和讀/寫(xiě)電路等等。 下面介紹幾個(gè)重要的概念： 讀寫(xiě)電
2020-07-16 14:07:445228 
cpu與其周邊控制器等類(lèi)似需要直接訪問(wèn)存儲(chǔ)器或者需要隨機(jī)訪問(wèn)緩沖器之類(lèi)的器件之間進(jìn)行通信的情況。下面專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售sram芯片，PSRAM等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商介紹關(guān)于雙端口SRAM中讀干擾問(wèn)題。 從存儲(chǔ)單元來(lái)看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎(chǔ)上加上了兩個(gè)
2020-07-23 13:45:021927 
上的SRAM數(shù)量已達(dá)到數(shù)百兆位。這導(dǎo)致了兩個(gè)具體挑戰(zhàn)。接下來(lái)由專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存儲(chǔ)芯片的宇芯電子介紹關(guān)于SRAM兩大問(wèn)題挑戰(zhàn)。 第一個(gè)挑戰(zhàn)是使用FinFET晶體管的最新CMOS技術(shù)使單元尺寸的效率越來(lái)越低。在圖1中可以看到這一點(diǎn)，其中SRAM單元大小是CMOS技
2020-07-30 16:32:30763 
正確的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的選擇對(duì)于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì)，以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲(chǔ)器。 決定正確的同步
2020-08-03 15:32:331159 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說(shuō)白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類(lèi)存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對(duì)性下，動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（DRAM）里邊所存儲(chǔ)
2020-08-10 16:43:2413590 SRAM的S是Static的縮寫(xiě)，全稱(chēng)是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫(xiě)，全稱(chēng)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場(chǎng)效應(yīng)管組成一個(gè)存儲(chǔ)bit單元的結(jié)構(gòu)：
2020-08-22 09:21:0018044 
系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。 下面 EEworld 小編就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是 SRAM。 ? 在了解 SRAM 之前，有必要先說(shuō)明一下 RAM。RAM 主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供 CPU 在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米
2022-12-09 15:05:02931 隨著諸如醫(yī)療電子和無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)等應(yīng)用的興起，低功耗芯片受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。這類(lèi)芯片對(duì)性能和功耗要求苛刻。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）作為芯片的重要組成部分，大程度上影響著芯片的面積和功耗，因此
2020-12-02 16:29:37734 且速度更快，但是更加的昂貴，集成度不如DRAM高。 在實(shí)際應(yīng)用中的存儲(chǔ)器所需要的容量通常比所生產(chǎn)的芯片容量大得多，所以需要對(duì)多芯片進(jìn)行組合以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)充。本文以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴(kuò)充存儲(chǔ)容量的方法。 通常微處理器的
2020-12-06 09:48:005684 
隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，可讀可寫(xiě)，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來(lái)越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來(lái)越重要。下面EMI代理英尚微介紹一款EMI504NL16LM-55IT國(guó)產(chǎn)低功耗SRAM兼容
2021-06-08 16:49:321933 介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理過(guò)程的緩沖，MCU遠(yuǎn)程升級(jí)的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國(guó)產(chǎn)SPI SRAM存儲(chǔ)器，EMI7064MSMI是一款具有SPI 接口的SRAM芯片。隨著電子系統(tǒng)應(yīng)用對(duì)SRAM芯片
2021-08-24 17:22:231545 SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM
2021-09-22 15:48:252082 靜態(tài)SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非?？?，通常能以20ns或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。
2021-09-28 16:46:051368 靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)，醫(yī)療，商業(yè)，汽車(chē)和軍事應(yīng)用?？焖?b class="flag-6" style="color: red">SRAM是諸如交換機(jī)和路由器，IP電話，測(cè)試設(shè)備和汽車(chē)電子產(chǎn)品之類(lèi)的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。
2021-10-11 16:33:1112541 記錄一下關(guān)于MPC5744P CAN總線學(xué)習(xí)主要是針對(duì)開(kāi)發(fā)出busoff管理，NXP感覺(jué)都是一個(gè)套路，無(wú)論powerpc，還是arm_mstatus_t FLEXCAN_DRV_Init
2021-12-04 16:51:0414 的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來(lái)越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來(lái)越重要。 ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位靜態(tài)RAM，位寬為16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可產(chǎn)生高性
2021-12-21 16:34:391137 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 上篇對(duì)雙極性晶體管的放大作用做了一下簡(jiǎn)單分析，知道了要實(shí)現(xiàn)放大作用，不但靜態(tài)下要滿(mǎn)足條件，動(dòng)態(tài)下也對(duì)電路有所要求。本篇就介紹一下關(guān)于靜態(tài)分析的相關(guān)內(nèi)容。
2022-08-14 16:39:071849 
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31637
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