Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。
2013-04-19 09:08:31
1795 （Sapphire）與碳化矽（SiC）基板為主，且重大基本專利掌握在日本、美國和德國廠商手中。有鑒于專利與材料種種問題，開發(fā)矽基氮化鎵（GaN-on-Si）磊晶技術(shù)遂能擺脫關(guān)鍵原料、技術(shù)受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192417 今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場發(fā)展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風(fēng)光宣布，共同成功開發(fā)出基于8吋GaN-on-Si基板技術(shù)的發(fā)光二極體（LED
2013-06-21 09:18:321888 業(yè)界對GaN功率元件的期待已達(dá)到最高峰。實(shí)際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時(shí)尚早。英飛凌科技負(fù)責(zé)汽車用高壓功率半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)IC等業(yè)務(wù)的電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)部高級總監(jiān)Mark Muenzer介紹了對GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:051598 市場調(diào)查公司Yole Developpement（以下簡稱Yole）認(rèn)為，市場規(guī)模方面，2020年GaN器件市場整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從（2020年將支配市場的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 
就在20多年前，Nichia推出了第一款氮化鎵（GaN）發(fā)光二極管（LED）。此舉開始廣泛使用具有成本效益的藍(lán)色LED。從那時(shí)起，GaN LED的輸出功率和光頻率都有所增加，這使得可以將這些器件與熒光粉結(jié)合使用作為照明源。
2019-03-13 08:56:004364 
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開關(guān)速度、更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:00991 
近年來，電動(dòng)汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體
2022-08-22 09:44:013651 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293615 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴(kuò)展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產(chǎn)品組合。
2019-01-30 13:50:576526 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
的開關(guān)損耗能夠得到有效的降低。如圖5所示是在維持100W的輸出功率下30min測得的器件熱成像圖（環(huán)境溫度25℃），在GaN器件無外加散熱措施的情況下，可以看到上管溫度僅為73.4℃，下管僅為62.2
2023-06-25 15:59:21
為什么
GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅
技術(shù)而言，
GaN這一材料
技術(shù)，大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅
技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻器件材料
技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系統(tǒng)的架構(gòu)怎樣去選擇？LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)是怎樣降低電視機(jī)的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
LED的特點(diǎn)是工作電壓低，即使是白光LED的工作電壓也不會(huì)高于4V，相對于有效值220V的交流市電來說，就需要降壓或限流。降壓是通過工頻變壓器或高頻逆變器將市電降低到與LED工作電壓相匹配的電壓等級
2019-09-17 07:26:41
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
頻率：3 GHzTheta J-C：5.3 C / W最高頻率：4,000 MHz最低頻率：0 MHzNPTB00025B 產(chǎn)品詳情MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技術(shù)提供商。我們提供
2019-11-01 10:46:19
描述該參考設(shè)計(jì)為客戶提供有關(guān)電源設(shè)計(jì)中 GaN 與 SI 使用情況的對比研究。該特定的設(shè)計(jì)使用 TPS40400 控制器來驅(qū)動(dòng) CSD87381（對于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進(jìn)行了超百萬小時(shí)的加速測試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
，隨后進(jìn)一步將電壓降低到數(shù)字電路所需要的電壓電平。現(xiàn)在，客戶可以使用更少的轉(zhuǎn)換器，從而減少功率損耗。 在未來的幾年內(nèi)，GaN可以在提供更大輸出功率的同時(shí)減小適配器尺寸。隨之而來的將是易于攜帶，同時(shí)又支持
2018-09-11 14:04:25
，GaN-on-Si 將實(shí)現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個(gè)很大的優(yōu)勢。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰(zhàn)。第一個(gè)具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
功率密度射頻應(yīng)用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達(dá)6 英寸。GaN-on-Si 合并的熱學(xué)性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品
2019-09-11 11:51:15
對市場驅(qū)動(dòng)因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實(shí)現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導(dǎo)致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價(jià)WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲(chǔ)能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
驅(qū)動(dòng)許多技術(shù)進(jìn)步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，GaN 較之現(xiàn)在的技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢。GaN 能夠提供更高的功率密度，具有多種優(yōu)點(diǎn)：· 尺寸減小· 功耗降低· 系統(tǒng)效率提高我們已經(jīng)
2017-07-28 19:38:38
市場上已有的解決方案，以降低開發(fā)成本。在當(dāng)今對成本和功耗都非常敏感的“綠色”環(huán)境下，對于高技術(shù)企業(yè)，兩種挑戰(zhàn)都有什么影響呢？第一種挑戰(zhàn)意味著開發(fā)全新的產(chǎn)品，其功能是獨(dú)一無二的，具有較低的價(jià)格以及較低
2019-08-09 07:41:27
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
電子組件。由于功率變換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)組件的尺寸過大，而且能效不高，它們通常安裝在單獨(dú)的機(jī)柜中，并通過長距離的布線連接到機(jī)器人手臂。這便降低了工業(yè)機(jī)器人單位立方米的生產(chǎn)效率。利用GaN技術(shù)，可以更簡單地將驅(qū)動(dòng)
2019-03-01 09:52:45
問題：如何通過驅(qū)動(dòng)高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
可靠性的綜合性方法很重要。如需了解與TI計(jì)劃相關(guān)的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，請參考Sandeep Bahl的白皮書，一個(gè)限定GaN產(chǎn)品的綜合方法。為了降低成本，功率GaN目前采用的是6英寸硅基板。由于硅和GaN晶格
2019-07-12 12:56:17
盡可能多天線以達(dá)到目標(biāo)容量，而將GaN－on－Si器件技術(shù)與模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)相結(jié)合，便能夠設(shè)計(jì)并部署更小、更輕的產(chǎn)品。”顯然，GaN的使用的確會(huì)帶來許多優(yōu)勢，如集成度更高、高功率密度、低功耗及具有
2019-12-20 16:51:12
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此?！ ∪缃翊嬖诘膬煞N主要GaN技術(shù)為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優(yōu)勢在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI最優(yōu)秀的人才討論當(dāng)今最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機(jī)遇和挑戰(zhàn) ④ 針對寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比（優(yōu)勢、驅(qū)動(dòng)上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響）五、活動(dòng)報(bào)名電話：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送?，自動(dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
的產(chǎn)值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優(yōu)勢，仍是各大科技廠矚目的焦點(diǎn)。除了高規(guī)格產(chǎn)品使用GaN-on-SiC的技術(shù)外，GaN-on-Si透過其成本優(yōu)勢，成為目前GaN功率組件的市場
2019-05-09 06:21:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
方向?yàn)楦叩?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導(dǎo)體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
MAMG-100227-010C0L 是一款 GaN-on-Si 混合功率放大器 (PA)，工作頻率為 225 至 2600 MHz。它提供 10 W CW 的輸出功率、22 dB 的功率增益
2022-08-22 16:27:29
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶體管，適用于脈沖 L 波段雷達(dá)系統(tǒng)，適用于 1.2 至 1.4 GHz 的機(jī)場監(jiān)視雷達(dá) (ASR) 應(yīng)用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
透過先進(jìn)的MOCVD技術(shù)降低LED制造成本
隨著LED的主流應(yīng)用從平板電視背光源進(jìn)入到一般照明的市場，高亮度LED的成長可說是一片看好
2010-03-27 09:31:46682 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281388 
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達(dá)成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。
2012-07-10 15:36:06918 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 來自德國的AZZURRO成立于2003年，主要是提供新型態(tài)晶圓給功率半導(dǎo)體與LED廠商使用。AZZURRO擁有獨(dú)家專利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術(shù)。
2012-10-22 10:54:411198 松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 
控制多LED的功率和成本eng
2017-04-13 09:22:180 21IC訊 恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)展其豐富的GaN和硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Si-LDMOS）蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合，推動(dòng)創(chuàng)新，以緊湊的封裝提供行業(yè)領(lǐng)先的性能，助力下一代5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)發(fā)展。
2018-06-29 10:30:001973 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001243 在蜂窩網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用當(dāng)中，市場需要提高數(shù)據(jù)容量，但不能忍受成本的大幅提升。與LDMOS相比，Macom的硅基GaN技術(shù)能夠以更小的封裝提供更高的功率和能效，實(shí)現(xiàn)提高容量并降低成本的效果。以目前中國的4G基站為例，如果全部替換成GaN技術(shù)，300萬個(gè)基站每年總共可以節(jié)省數(shù)十億元的費(fèi)用。
2018-05-30 03:05:001196 
2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬美元，研究機(jī)構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計(jì)到2022年該市場將成長到4.6億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)79%。
2018-05-22 17:02:218235 
浙江大學(xué)近期首次報(bào)道了沒有電流折疊（即沒有動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過了目前最先進(jìn)的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:514990 面積大幅減少，并簡化周邊電路設(shè)計(jì)，達(dá)成減少模塊、系統(tǒng)周邊零組件及冷卻系統(tǒng)體積目標(biāo)，GaN應(yīng)用范圍包括射頻、半導(dǎo)體照明、激光器等領(lǐng)域。 現(xiàn)行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進(jìn)行制造，其中GaN-on-SiC強(qiáng)調(diào)適合應(yīng)用在高溫、高頻的操作環(huán)境，因此在散熱性能
2018-11-09 11:44:01220 今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。
2018-12-18 16:52:144894 GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
本文將概述GaN在硅的開發(fā)方面的最新技術(shù)，以及通過利用大批量，大尺寸，晶圓尺寸的半導(dǎo)體加工技術(shù)，它可以降低生產(chǎn)成本。在英國，Plessey Semiconductors是首批在Si晶圓上使用GaN
2019-03-13 08:54:003755 自從20年前第一批商用產(chǎn)品問世，GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時(shí)
2019-05-09 10:25:184319 
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:037275 
增加了四款新產(chǎn)品硅氮化鎵（GaN-on-Si）高功率白光LED。 TL1L4-DW0，TL1L4-NT0，TL1L4-NW0和TL1L4-WH0有助于提高發(fā)光效率并降低LED照明的功耗。新型TL1L4系列
2019-08-09 15:21:401945 本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
2020-03-01 19:45:152726 科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時(shí)，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進(jìn)現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時(shí)該技術(shù)還可擴(kuò)展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:573363 
MACOM是世界上唯一的RF上GaN-on-Si技術(shù)供給商。 MACOM供給普遍的陸續(xù)波（CW）硅上GaN射頻功率放大器產(chǎn)品，這些產(chǎn)品是設(shè)計(jì)用于DC至6 GHz的別離器件和模塊。 MACOM的高功率
2020-07-17 09:26:49446 Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降低每片芯片的成本。今年初，這家初創(chuàng)公司宣布
2021-03-30 16:37:202990 1月5日消息，知名供應(yīng)鏈媒體 Digitimes 昨日報(bào)道稱，Unikorn 開始生產(chǎn) 100W 的 GaN-on-Si 芯片，且有望在今年為蘋果生產(chǎn)相應(yīng)的產(chǎn)品。當(dāng)然，蘋果的 GaN 充電器大概率是用于 Mac 系列電腦而非手機(jī)，
2021-01-05 10:40:331564 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
與硅 MOSFET 相比，電氣端子可以更接近 10 倍。這導(dǎo)致 GaN 和硅之間有一個(gè)明顯的區(qū)別因素：中壓 GaN 器件可以建立在平面技術(shù)上，而這對于硅器件來說成本過高。為了具有競爭力，硅器件采用垂直技術(shù)制造，因此在同一芯片中不可能有兩個(gè)功率器件。EPC 的 GaN-on-Si 平面技術(shù)沒有這個(gè)必須垂直構(gòu)建的限制，
2022-07-29 11:12:341625 
四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進(jìn)速度已顯著放緩
2022-08-04 11:17:55587 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計(jì)人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
微反射器和預(yù)聚焦 LED 制造工藝顯著節(jié)省空間
2022-08-24 18:04:59969 
可以在各種襯底上生長，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵（GaN）外延層可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施，從而
無需使用高成本的特定生產(chǎn)設(shè)施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
付出更大的成本？本文會(huì)以適配器（Adaptor）的應(yīng)用來做說明。圖1目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用種類氮化鎵（GaN）是橫向結(jié)構(gòu)的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的閘極電荷（
2022-12-09 14:41:082746 
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 16:10:10555 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11292 
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、以及1200V HEMT產(chǎn)品，推動(dòng)氮化鎵向更高壓、更高功率應(yīng)用領(lǐng)域邁進(jìn)。
2023-11-16 11:56:22596 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
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