，而光刻工藝又是精密電子元器件制造的關(guān)鍵流程，這使得光刻膠在整個(gè)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)，都有著至關(guān)重要的地位。 本文簡(jiǎn)要介紹幾種代表性光刻膠的成分和機(jī)理，重點(diǎn)是光刻膠的新技術(shù)應(yīng)用，以及國(guó)產(chǎn)化機(jī)會(huì)。 ? 光刻膠主要成分 ?
2022-04-25 17:35:22
9350 
關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:131396 
光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:005380 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運(yùn)用
2018-07-12 11:57:08
在集成電路制造中的應(yīng)用，對(duì)其反應(yīng)機(jī)理及應(yīng)用性能指標(biāo)進(jìn)行闡述，重點(diǎn)從工藝的角度去提出新的研究方向。關(guān)鍵詞：光刻膠；應(yīng)用性能；反應(yīng)機(jī)理；集成電路；光刻 中圖分類號(hào)：TN305.7 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
AL-CU互連導(dǎo)線側(cè)壁孔洞形成機(jī)理及改進(jìn)方法側(cè)壁孔洞缺陷是當(dāng)前Ａｌ?Ｃｕ 金屬互連導(dǎo)線工藝中的主要缺陷之一。此種缺陷會(huì)導(dǎo)致電遷移，從而降低器件的可靠性。缺陷的產(chǎn)生是由于在干法等離子光刻膠去除工藝
2009-10-06 09:50:58
并可作永久隔層。 NR9-P 系列 負(fù)性光刻膠，具有高粘附性適用于電鍍及濕法蝕刻。 NR71-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于干法蝕刻中掩模應(yīng)用并能作為永久隔層。 NR21-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于厚度超過
2010-04-21 10:57:46
環(huán)境濕度太大，使膠與玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環(huán)境的溫，濕度及清潔工作。2）光刻膠配制有誤或膠陳舊不純，膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好，使膠與ITO層成健能力差，或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
的雜質(zhì)和油污洗凈，然后把水除去并干燥，保證下道工藝的加工質(zhì)量。C. 涂光刻膠：在ITO玻璃的導(dǎo)電層面上均勻涂上一層光刻膠，涂過光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預(yù)處理。D. 前烘：在一定的溫度下將涂有
2019-07-16 17:46:15
旋涂在基材上，旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經(jīng)過前烘并冷卻至室溫。在烘干過程中，優(yōu)先選擇加熱均勻且溫度控制精確的加熱板；不能使用鼓風(fēng)干燥箱，防止因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠表面優(yōu)先固化從而阻止內(nèi)層光刻膠溶劑的揮發(fā)。冷卻
2018-07-04 14:42:34
光刻膠(Photo Resist)，在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上藍(lán)色的的光刻膠液體，晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄、平。光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下，變得可溶，期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)
2017-05-04 21:25:46
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對(duì)光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
。正性光刻膠在半導(dǎo)體制造中使用得最多，因其可以達(dá)到更高的分辨率，從而讓它成為光刻階段更好的選擇。現(xiàn)在世界上有不少公司生產(chǎn)用于半導(dǎo)體制造的光刻膠。 光刻光刻在芯片制造過程中至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了芯片上的晶體管
2022-04-08 15:12:41
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對(duì)準(zhǔn)時(shí),硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪?duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺(tái)面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺(tái)階儀測(cè)試制作出的光刻膠斷面呈倒臺(tái)面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
招聘蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司職位月薪：面議工作地點(diǎn)：蘇州工作性質(zhì)：全職工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上最低學(xué)歷：大專招聘人數(shù)：5人 職位類別：銷售經(jīng)理職位描述要求：工作經(jīng)驗(yàn)：1年以上崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)
2015-07-28 11:38:16
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請(qǐng)哪位高人指點(diǎn)一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
`有機(jī)硅灌封膠的特點(diǎn)及固化機(jī)理有機(jī)硅材質(zhì)的灌封膠不僅擁有比環(huán)氧樹脂更優(yōu)秀的改性能力和電氣絕緣能力，抗冷熱沖擊能力也相當(dāng)?shù)膬?yōu)秀，能承受-60℃～200℃的冷熱沖擊，不開裂，且保持彈性，有提高電子元器件
2016-10-29 19:29:37
的清洗與干燥： 將用清洗劑以及去離子水（DI 水）等洗凈ITO 玻璃，并用物理或者化學(xué)的方法將ITO 表面的雜質(zhì)和油污洗凈，然后把水除去并干燥，保證下道工藝的加工質(zhì)量。 C． 涂光刻膠： 在ITO 玻璃
2016-06-30 09:03:48
。疏水性材料如光刻膠、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、蠟、聚苯乙烯、烷基烯酮二聚體等；親水性材料則是紙芯片的基質(zhì)材料，如：濾紙、硝酸纖維素膜、棉布等。目前，制作紙芯片的方法主要有光刻法、繪圖法、噴蠟打印法
2018-07-04 14:36:17
涂敷光刻膠 光刻制造過程中，往往需采用20-30道光刻工序，現(xiàn)在技術(shù)主要采有紫外線(包括遠(yuǎn)紫外線)為光源的光刻技術(shù)。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造，硅基片表面光刻膠的涂敷、預(yù)烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕
2019-08-16 11:11:34
是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會(huì)受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟?？涛g環(huán)節(jié)是復(fù)制
2020-07-07 11:36:10
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
公司名稱：蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)公司電話：0512-62872541蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
2016-10-26 17:05:04
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片、等產(chǎn)品進(jìn)行在線顆粒監(jiān)測(cè)和分析。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：離線優(yōu)勢(shì)：PMT-2離線光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器外接離線取樣裝置，可實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室、工廠
2022-12-14 10:44:24
MPS-100A化學(xué)品、光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器是普納赫科技向韓國(guó)公司訂制的一款新型在線液體顆粒監(jiān)測(cè)儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測(cè)傳感器，可以對(duì)超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水
2023-01-03 15:30:32
PMT-2在線光刻膠液體粒子計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進(jìn)行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
有害雜質(zhì)對(duì)鎳鎘電池性能的影響
在鎳鎘電池中，鐵，錳，銅，鉻，硝酸鹽，碳酸根離子，氯離子及許多有機(jī)化合物對(duì)電池性能有害。
1，鐵使正極
2009-11-05 17:15:141308 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 干膜光刻膠是由預(yù)先配制好的液態(tài)光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機(jī)上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經(jīng)烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
2019-01-30 16:49:1410707 
預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-07-19 14:08:305317 近日，上海新陽在投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機(jī)已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試，ARF193nm光刻膠配套的光刻機(jī)預(yù)計(jì)12月底到貨。
2019-12-04 15:24:457942 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來3年仍以年均5%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484098 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1416535 全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。
2020-09-21 11:28:043290 
光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 水分、雜質(zhì)對(duì)鋰電池性能影響及失效問題總結(jié) ? 原文標(biāo)題：水分、雜質(zhì)對(duì)鋰電池性能影響及失效問題總結(jié)！ 文章出處：【微信公眾號(hào)：鋰電聯(lián)盟會(huì)長(zhǎng)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。 責(zé)任編輯：haq
2021-01-26 09:30:052041 
由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國(guó)大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠
2021-06-25 16:12:28784 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 目前，在通過干燥工藝去除硅基體表面的金屬雜質(zhì)和損傷方面，濕式工藝是唯一的。因此，進(jìn)一步提高工藝很重要。
2021-12-14 09:45:391586 
引言 我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻劑中的銅雜質(zhì)穩(wěn)定，銅雜質(zhì)吸附在表面上并作
2021-12-29 17:04:31360 
光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 來源：?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個(gè)行業(yè)？ 光刻膠，又稱“光致抗蝕劑”，是光刻成像的承載介質(zhì)，可利用光化學(xué)反應(yīng)將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學(xué)能量，從而把微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到
2022-01-20 21:02:461208 
摘要 我們華林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687 
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對(duì)自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-01-27 15:55:14448 在超大規(guī)模集成生產(chǎn)中，要實(shí)現(xiàn)低溫加工和高選擇性，使硅片表面超潔凈至關(guān)重要。超凈晶圓表面必須完全 沒有顆粒、有機(jī)材料、金屬雜質(zhì)、天然氧化物和表面微粗糙度，和吸附的分子雜質(zhì)。目前的干法工藝，如反應(yīng)離子
2022-02-10 15:49:18537 
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對(duì)自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-02-11 15:24:33419 
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時(shí)不需要干等離子體灰化工藝，同時(shí)保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能。灰化步驟的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時(shí)間，釋放
2022-03-01 14:39:431351 
我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻劑中的銅雜質(zhì)穩(wěn)定，銅雜質(zhì)吸附在表面上并作
2022-03-10 16:15:56228 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23756 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42872 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
晶圓級(jí)封裝中現(xiàn)有的和發(fā)展中的需求，去除厚的交聯(lián)膜，如光刻膠和助焊劑，同時(shí)保持焊料凸點(diǎn)、暴露金屬和電介質(zhì)的預(yù)清潔完整性。
2022-05-07 15:11:11621 
本文章介紹了我們華林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對(duì)離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國(guó)家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415831 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:432574 光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營(yíng)業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50284 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧蚰z時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56442 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:16132 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50200 
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