數(shù)字化目標。 自動蝕刻機是利用金屬對電解作用的反應(yīng)，將金屬進行腐蝕刻畫，從而蝕刻出各種圖紋、花紋、幾何形狀，產(chǎn)品精度極高，因此對設(shè)備運行穩(wěn)定的要求也很高。對此，物通博聯(lián)提供基于工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)的自動蝕刻機數(shù)據(jù)采集解
2024-03-20 17:52:39
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基于國際標準ISO 14064-1，TüV萊茵對南通瑞翔進行溫室氣體排放量核查，并按照《零碳工廠評價規(guī)件》團體標準，綜合考量其基礎(chǔ)設(shè)施、能源和碳排放智能化管理系統(tǒng)、能耗、溫室氣體減排措施和碳中和策略等多方位
2024-03-10 14:06:06399 在英特爾簡化的工藝流程中（見圖 5），該工藝首先制造出鰭式場效應(yīng)晶體管（finFET）或全柵極晶體管，然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。
2024-02-28 11:45:25223 
齊納管的兩種不同的工作機制：齊納擊穿（低壓下）和雪崩擊穿（高壓下），這兩種擊穿方式對齊納管的反向電壓電流以及齊納管的壽命有什么影響和區(qū)別？
如果僅需齊納管實現(xiàn)穩(wěn)定的電壓參考源，就無需關(guān)心具體電壓
2024-01-26 23:28:52
采用高安全和電化學(xué)穩(wěn)定的聚合物固態(tài)電解質(zhì)取代有機電解液，有望解決液態(tài)鋰金屬電池的產(chǎn)氣和熱失控等問題。
2024-01-22 09:56:02204 
全固態(tài)鋰金屬電池有望應(yīng)用于電動汽車上。相比于傳統(tǒng)液態(tài)電解液，固態(tài)電解質(zhì)不易燃，高機械強度等優(yōu)點。
2024-01-16 10:14:14246 
較高，極易吸附雜質(zhì)粒子，從而導(dǎo)致硅片表面被污染且性能變差，比如顆粒雜質(zhì)會導(dǎo)致硅片的介電強度降低，金屬離子會增大光伏電池P-N結(jié)的反向漏電流和降低少子的壽命等。當前越來越多的新材料被廣泛
2024-01-11 11:29:04348 
之間的連接是理解該器件工作原理的關(guān)鍵。 MOS管結(jié)構(gòu)簡介： MOS管是由一片半導(dǎo)體材料（通常是硅）構(gòu)成的，通過在硅片上摻雜不同類型的雜質(zhì)形成兩個PN結(jié)。這些雜質(zhì)摻入?yún)^(qū)域形成了源極和漏極，而柵極是通過在硅片上形成一層金屬（通常是鋁）來實現(xiàn)的。源極和漏極之間的區(qū)
2024-01-10 15:34:25853 鋰金屬負極的能量密度很高，當與高電壓正極結(jié)合時，鋰金屬電池可以實現(xiàn)接近 500 Wh kg?1 的能量密度。然而，鋰金屬負極并不穩(wěn)定，會與電解質(zhì)反應(yīng)生成固體電解質(zhì)界面 (SEI)。
2024-01-02 09:08:56401 
這次晨控智能與某光伏大廠合作，為光伏硅片生產(chǎn)帶來透明化與可追溯性，確保光伏硅片的質(zhì)量和追溯性。
2023-12-26 13:59:37161 狀態(tài)，無機械部件運動，因此可靠性高。
浮球式液位傳感器中磁鐵會吸附水中雜質(zhì)，易導(dǎo)致水垢產(chǎn)生，且因為其結(jié)構(gòu)松散，不便于清洗。
而光電式液位傳感器頭部光滑，清洗容易，符合食品衛(wèi)生認證標準。
光電式液位
2023-12-16 14:45:02
在微電子制造領(lǐng)域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們在制造半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
20多米的四氟傳輸帶在運行的過程中老是跑偏，控制是變頻控制，求各位大俠幫忙?謝謝
電機的功率；3KW
2023-12-11 07:01:06
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCB設(shè)計要不要去除死銅?PCB設(shè)計去除死銅的必要性。PCB死銅也叫PCB孤島，是指在PCB中孤立無連接的銅箔，一般都是在鋪銅時產(chǎn)生，那 PCB設(shè)計 中是否應(yīng)該去除
2023-11-29 09:06:24432 
產(chǎn)品詳情 PTT-03A硅片厚度測試儀產(chǎn)品簡介PTT-03A薄膜厚度測試儀是一款高精度接觸式薄膜、薄片厚度測量儀器；適用于金屬片、塑料薄膜、薄片、紙張、 橡膠、電池隔膜、箔片、無紡布
2023-11-27 14:51:47
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
Python是一個強大的編程語言，提供了許多解決問題的方法和功能。其中一個常見的問題是如何去除列表中的重復(fù)數(shù)據(jù)。在本文中，我們將詳細介紹Python中去除列表中重復(fù)數(shù)據(jù)的幾種方法，包括使用循環(huán)
2023-11-21 15:49:14271 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 自動蝕刻機是利用電解作用或化學(xué)反應(yīng)對金屬板進行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設(shè)備，廣泛應(yīng)用于芯片、數(shù)碼、航空、機械、標牌等領(lǐng)域中?，F(xiàn)有一家蝕刻機設(shè)備制造商，要求對全國各地的蝕刻機設(shè)
2023-11-08 13:59:52146 
在PCB設(shè)計中，是否應(yīng)該去除死銅（孤島）呢？ 在PCB（Printed Circuit Board）設(shè)計中，死銅（也稱之為孤島）是指沒有用于任何電氣連接的銅。孤島的存在并不影響電路的功能，但是可能會
2023-10-31 14:43:30928 硅片是大多數(shù)芯片的載體。但是一塊硅片中卻隱藏了很多不為人知的細節(jié)，比如：硅片有哪幾種晶向？有幾種定位邊？定位邊是如何定位的？定位邊與定位槽有什么區(qū)別？等等。今天就來詳細講解一下。
2023-10-29 10:33:303765 
一、太陽能電池硅片測厚儀概述太陽能電池硅片測厚儀是一種專門用于測量太陽能電池硅片厚度的設(shè)備。在太陽能電池的生產(chǎn)過程中，硅片厚度的準確測量對于提高電池效率和使用壽命具有重要意義。機械接觸式太陽能電池
2023-10-27 16:19:11
在全球能源危機和環(huán)境污染日益嚴重的背景下，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)以其清潔、可再生的特點受到了越來越多的關(guān)注。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，光伏設(shè)備中使用的材料和組件也在不斷進行優(yōu)化和升級。其中，華林科納的PFA
2023-10-17 10:19:25199 隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過程中需要經(jīng)過多個工藝步驟，而每個步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 華林科納的高純度聚四氟乙烯（PFA）管在太陽能光伏行業(yè)中的應(yīng)用 引言 太陽能光伏行業(yè)正在日益發(fā)展壯大，其作為一個可持續(xù)的能源來源，與越此來同越時受，到高全純球度的聚關(guān)四注氟。乙烯（PFA）管道在這
2023-10-16 14:01:53217 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 ;激光除銹機產(chǎn)品特點 高效性：激光除銹機可以快速、高效地去除各種金屬表面的氧化層、銹蝕層、油污等污染物。精度高：激光除銹機可以精確控制激光束的能量和焦點
2023-09-15 09:56:53
很多半導(dǎo)體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道時，都喜歡選擇華林科納的高純PFA管，選擇華林科納生產(chǎn)的高純PFA管作為化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道有以下幾個重要原因： 1、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:48266 關(guān)于硅材料雜質(zhì)濃度測試，經(jīng)研究，參考肖特基二極管雜質(zhì)濃度測試方案，兩者幾乎一致，因此，針對硅材料雜質(zhì)濃度測試亦采用CV法測量。
2023-09-11 15:59:34392 
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
該設(shè)備用途：硅片在加工運輸過程中，需要將硅片從一個花籃內(nèi)，傳送到另一個花籃內(nèi)，提高導(dǎo)片效率，同時減少人為污染。 我們華林科納研發(fā)的全自動晶舟轉(zhuǎn)換器，它是一款用于調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列
2023-09-06 17:23:46416 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
今天我們來聊一下非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的應(yīng)用，說起半導(dǎo)體清洗，是指對晶圓表面進行無損傷清洗，用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能產(chǎn)生的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和性能。而非接觸精密除塵設(shè)備可以大幅提升芯片良率，為企業(yè)實現(xiàn)降本增效的目的。
2023-09-04 18:47:39787 
由于其卓越的能量密度和長壽命，鋰離子電池(LIBs)廣泛用于電動設(shè)備，如軍用無人機、電動車輛和動力輔助服，這些設(shè)備需要高重量或體積能量密度。然而，盡管在各種電動裝置中使用，它們?nèi)匀痪哂嘘P(guān)鍵的問題，例如由于不穩(wěn)定的界面狀態(tài)導(dǎo)致的在超快速充電條件下低穩(wěn)定性的低里程和差的循環(huán)容量。
2023-09-04 08:50:48176 
鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介質(zhì)的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經(jīng)常被用于各種應(yīng)用，包括光催化劑、化學(xué)傳感器和醫(yī)療植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
硅通孔（TSV）有望成為電子器件三維芯片堆疊技術(shù)的未來。TSV互連的結(jié)構(gòu)是通過首先在晶片表面蝕刻深過孔，然后用所需金屬填充這些過孔來形成的。目前，銅基TSV是最具成本效益的大規(guī)模生產(chǎn)TSV。一旦過孔
2023-08-30 17:19:11326 
的容器，耐酸耐堿耐腐蝕(強酸、強氟酸、強堿)，能做激光雕刻，能夠安裝RFID。保持載體和物料的跟蹤。主要用于半導(dǎo)體蝕刻部門之酸堿制程中使用、傳送晶圓。我司PFA花
2023-08-29 08:57:51
我們華林科納通過光學(xué)反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594139 7月25日，深開鴻與南通皇儲新能源科技有限公司（以下簡稱“南通皇儲”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在以開源鴻蒙場景化創(chuàng)新為牽引， 圍繞綠色智能長江生態(tài)平臺建設(shè)、“零碳智港”管理系統(tǒng)開發(fā)、行業(yè)標準建設(shè)方面
2023-07-27 16:30:06244 
一、產(chǎn)品概述HM-301全自動界面張力測定儀，按照GB6541-86《石油產(chǎn)品油對水界面張力測定法》（圓環(huán)法）標準要求，測量各種液體的表面張力（液—氣相界面）及礦物油與水的界面張力（液
2023-07-25 09:45:07
金屬膜電阻是一種電子元器件，常用于電路中的電阻器部分。它是通過在陶瓷或玻璃紙基板上鍍上一層由鉻、鎳、鎢等金屬組成的膜層，再通過刻蝕、蝕刻等工藝形成指定大小和形狀的電阻器。金屬膜電阻的特點是精度高、線性好、穩(wěn)定性好、溫度系數(shù)小等，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。
2023-07-20 10:19:31616 硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結(jié)晶硅的薄片。
2023-07-18 15:44:513716 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會在江蘇南通市成功召開。會議共邀請42家企業(yè)參會，參會人員96人。本期交流會安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報告、流體展示
2023-07-14 08:47:03356 從市場形勢來看，“硅片雙寡頭”紛紛大舉調(diào)降硅片報價，也在業(yè)界意料之中。畢竟，上游多晶硅價格在5-6月份再次出現(xiàn)大幅下跌，僅6月份的跌幅就超過40%。光伏產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品價格全線下滑，硅片實際上成交均價也低于公示的報價。因此，下調(diào)報價也是情理之中的事情。
2023-07-13 16:15:55315 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03189 
1.產(chǎn)品概述 DAQ-GP-TLL4G無線液位傳感器終端是上海數(shù)采物聯(lián)網(wǎng)科技有限公司推出的一款無線液體水位測量產(chǎn)品。原理是利用擴散硅片上的一個惠斯通電橋，被測介質(zhì)（氣體或液體）施壓使橋壁
2023-07-05 11:17:44
國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進行一對一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
在循環(huán)過程中，鈉金屬負極的鈉枝晶生長不受控制，SEI形成不穩(wěn)定，導(dǎo)致庫侖效率差，壽命較短。為了解決這一問題，本文研究了一系列鈉離子導(dǎo)電合金型保護界面(Na-In, Na-Bi, Na-Zn, Na-Sn)作為人工SEI層
2023-06-29 09:31:35897 
都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質(zhì)提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應(yīng)。
2023-06-27 13:24:11318 
光電液位傳感器是一種利用光電原理進行液位檢測的傳感器，其優(yōu)點和應(yīng)用如下：
優(yōu)點：
精度高：光電液位傳感器具有高精度的檢測能力，能夠精確測量液體的水平高度，誤差小于0.5%。
反應(yīng)速度快：光電液位
2023-06-26 13:59:50
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
太陽能硅片又稱為“太陽能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。
硅片就是大塊兒硅切割成片子太陽能電池片，一般主流的就是硅片做成晶硅太陽能電池片，一般有N型硅片P型硅片。太陽能硅片中的N型和P型有以下區(qū)別：
2023-06-20 16:59:448127 在PCB設(shè)計中，框選加銅，會在線與線之間出現(xiàn)死銅(孤島)?是否應(yīng)該去除死銅(孤島)呢?
2023-06-20 15:37:51720 
所以城市 NOA 短期小范圍推送尚且可以使用高精地圖， 但是長期來看，想要更快推廣，或者降低成本從智能駕駛部分獲得正向現(xiàn)金流的話，去除高精地圖勢在必行。
2023-06-19 15:49:26595 
上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
可靠的液位檢測方案有沒有，大家做過哪種？檢測液位深度和液面位置。
2023-06-15 07:25:52
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計將在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
5月18日-5月19日，由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會在江蘇南通市成功召開。會議共邀請42家企業(yè)參會，參會人員96人。本期交流會安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報告、流體展示及實操等多種形式的活動，交流高純流體在濕法領(lǐng)域的技術(shù)與應(yīng)用，并展示了超100種高純流體產(chǎn)品。
2023-06-09 17:30:34418 等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
越南通訊展會將于6月份在越南盛大舉行！易天光通信作行業(yè)新秀，對于創(chuàng)新、卓越和發(fā)展充滿激情。因此，我們非常自豪地宣布，易天光通信將參加這備受矚目的通訊展會，并展示我們最新的產(chǎn)品和解決方案。
2023-05-29 14:52:58359 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 硅片是一種薄而平整的硅材料，通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。
2023-05-18 10:33:472135 
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38488 
企業(yè)責(zé)任，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷在高性能熱界面材料領(lǐng)域開展前沿研究，為客戶提供性能更優(yōu)良的原創(chuàng)產(chǎn)品。 03 圖文導(dǎo)讀 圖1.液態(tài)金屬的制備流程示意圖。 ? 圖2.(a)理想固體基質(zhì)上的一滴液體
2023-05-12 09:15:37466 
晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學(xué)雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。晶圓表面必須保持不受影響，這樣粗糙、腐蝕或點蝕會抵消晶圓清潔過程的結(jié)果
2023-05-11 22:03:03783 硅片切割作為硅片加工工藝過程中最關(guān)鍵的工藝點， 其加工質(zhì)量直接影響整個生產(chǎn)全局及后續(xù)電池片工藝制備。 圖1-硅片切割示意圖 圖2-硅片樣品圖 目前各類硅片平均厚度為 75μm~140
2023-05-11 18:58:02864 
進行發(fā)出口傳遞，當波遇到材料界面時，波被反射并返給接收頭，通過接收到的返回波的時間計算出目標材料的高度。
這種技術(shù)優(yōu)勢在于精度高，可以達到毫米級別，同時也能夠測量高度限制較高的液位，例如高熱或易燃液體
2023-05-05 15:19:42
清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 
太陽能電池板的藍色大多是指硅晶太陽能電池板。硅賦予太陽能電池板藍色主要是因為硅具有半導(dǎo)體特性，硅晶太陽能電池板中的硅片是通過加工成薄片的形式進行制作的。在制備硅片時，最初的硅材料是灰黑色的，但是經(jīng)過多次的加工和制作，使硅片中去除雜質(zhì)，純度提高，這時候就會呈現(xiàn)出藍色。
2023-04-24 16:40:402940 本文涉及一種用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝；晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室，安裝在艙內(nèi)側(cè)，包括通過加熱晶片激活晶片上殘存雜質(zhì)的加熱手段、通過將晶片上激活的雜質(zhì)吸入真空以使晶片上激活的雜質(zhì)排出外部的真空吸入部、以及通過向通過加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部
2023-04-23 10:22:02337 
導(dǎo)線及符號等。蝕刻劑有許多種類，常用的蝕刻溶液有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵等?！ ∪然F（FeCl3）在電子學(xué)、印制電路、照相制版、金屬精飾等加工和生產(chǎn)中，被廣泛用作銅、銅合金、Ni-Fe合金
2023-04-20 15:25:28
半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機 ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
鋰金屬/固態(tài)電解質(zhì)（SSEs）的界面不良接觸會導(dǎo)致界面高阻抗并誘導(dǎo)鋰枝晶的生長，這些問題嚴重影響了固態(tài)電池（SSBs）的實際應(yīng)用。
2023-04-14 11:56:48608 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 電解質(zhì)作為與鋰金屬直接接觸的成分，它們所產(chǎn)生的電極/電解質(zhì)界面（EEI，包括電解質(zhì)/正極或電解質(zhì)/負極界面）的性質(zhì)與電解質(zhì)的成分密切相關(guān)，同時對于鋰金屬的穩(wěn)定性有著很大的影響。
2023-04-06 14:11:541089 清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
基于無機固態(tài)電解質(zhì)的金屬電池因其能量密度和安全性的優(yōu)勢在電化學(xué)儲能領(lǐng)域具有巨大應(yīng)用潛力。
2023-03-30 10:54:39524 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
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