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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>意法半導(dǎo)體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

意法半導(dǎo)體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

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Velankani和半導(dǎo)體合作開發(fā)“印度制造”智能電表

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[ST新聞] 瞄準(zhǔn)先進(jìn)工業(yè)感測應(yīng)用,半導(dǎo)體推出新型高精度MEMS傳感器,并為新產(chǎn)品提供不低于10年供貨承諾

`?新型低噪3軸加速度計(jì),為工業(yè)傾角計(jì)廠商提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的高精度傳感器解決方案?新產(chǎn)品屬于半導(dǎo)體10年供貨承諾計(jì)劃之列?2018年將推出更多的高精度、高穩(wěn)定性的工業(yè)級(jí)傳感器 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域
2018-05-28 10:23:37

[ST新聞]半導(dǎo)體新型移動(dòng)APP:簡化穩(wěn)壓器、轉(zhuǎn)換器和基準(zhǔn)電壓芯片的選型與采購過程

`中國, 2018 年 5 月 24 日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商半導(dǎo)體( STMicroelectronics ,簡稱 ST ;紐約證券交易所代碼: STM )推出
2018-05-28 10:35:07

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號(hào):JFSJ-21-064作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11

【合作伙伴】ST半導(dǎo)體--科技引領(lǐng)智能生活

ST半導(dǎo)體半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者,掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM),半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34

【新聞】半導(dǎo)體技術(shù)助力Neonode為任意物品、表面或空間增加觸控交互功能

的FingerSense技術(shù)半導(dǎo)體(ST)發(fā)布世界領(lǐng)先的防水壓力傳感器,首張訂單來自三星高性能穿戴式產(chǎn)品半導(dǎo)體(ST)聯(lián)手訊飛開放平臺(tái)提供中文語音識(shí)別
2018-02-06 15:44:03

借力FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃

半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來技術(shù)突破,快速發(fā)展,為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年,三星與半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議,授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00

光寶科技與半導(dǎo)體合作推出針對物聯(lián)網(wǎng)市場超低功耗的 Sigfox 認(rèn)證模塊

物聯(lián)網(wǎng)( IoT )市場的成長需求。 光寶的新模塊集成了來自橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先半導(dǎo)體供貨商半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱 ST ;紐約證券交易所代碼
2018-07-13 11:59:12

出門問問最新智能手表TicWatch Pro搭載半導(dǎo)體NFC技術(shù),提升用戶非接觸式支付體驗(yàn)

在2018年世界移動(dòng)大會(huì)(MWC)-上海展會(huì)上,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,中國領(lǐng)先的人
2018-07-13 13:06:48

基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用?

基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用?
2021-06-26 07:14:03

如何將半導(dǎo)體環(huán)境傳感器集成到Linux/Android系統(tǒng)

本應(yīng)用筆記為將半導(dǎo)體環(huán)境傳感器 (氣壓、濕度、紫外線傳感器)成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。
2023-09-05 06:08:58

堯遠(yuǎn)通信科技選用賽肯通信和半導(dǎo)體合作開發(fā)的CLOE IoT平臺(tái)為全球市場開發(fā)追蹤設(shè)備

(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)今天宣布,中國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品及集成解決方案提供商上海堯遠(yuǎn)通信科技有限公司選用賽肯通信和半導(dǎo)體合作開發(fā)的CLOE物聯(lián)網(wǎng)追蹤器平臺(tái),為北美、日本和中國市場開發(fā)
2018-02-28 11:41:49

開啟萬物智能:半導(dǎo)體攜最新的解決方案和生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品亮相2018年世界移動(dòng)大會(huì)-上海

半導(dǎo)體,與智能同在”中國上海,2018年6月26日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)將參展
2018-06-28 10:59:23

深圳半導(dǎo)體招聘molding工程師

大家好,首次發(fā)帖。本人為半導(dǎo)體工程師,因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職,繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求:一.熟悉molding制程,需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53

用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體WBG解決方案

半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝,并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn):? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00

簡單便捷、開箱即用的IoT連接方案——半導(dǎo)體STM32蜂窩-云端探索套件經(jīng)銷商到貨

專利和商標(biāo)局注冊。相關(guān)新聞半導(dǎo)體的新STM32探索套件簡化移動(dòng)網(wǎng)至云端連接,并提供免費(fèi)試用的第三方服務(wù)半導(dǎo)體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一代智能產(chǎn)品“吃得少,干得多”半導(dǎo)體
2018-07-09 10:17:50

能否提供ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?

尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08

講一下半導(dǎo)體官方的庫怎么搞

半導(dǎo)體官方的庫怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43

STM32F103C8T6,中密度性能,2個(gè)ADC、9個(gè)通信接口,ST半導(dǎo)體處理器

STM32F103C8T6,中密度性能,2個(gè)ADC、9個(gè)通信接口,ST半導(dǎo)體處理器
2023-02-17 11:55:11

STM32H725ZGT6,ST/半導(dǎo)體,ArmCortex-M7 32位550 MHz MCU

STM32H725ZGT6,ST/半導(dǎo)體,Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU,最高1 MB閃存,564 KB,RAM、以太網(wǎng)、USB、3個(gè)FD-CAN、圖形、2個(gè)16位
2023-10-16 15:52:51

FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508

IBM和ARM正進(jìn)行小功率SOI芯片研究

IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃,打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427

看好28奈米FD-SOI技術(shù) 意法借力成該技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者

日前,意法半導(dǎo)體ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793

意法半導(dǎo)體獲2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE)能源技術(shù)獎(jiǎng)

意法半導(dǎo)體ST)宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE)能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略,FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗,使終端設(shè)備可更快散熱,并實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913

ST通過CMP提供先進(jìn)MEMS制程設(shè)計(jì)芯片原型

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)將通過硅中介服務(wù)商CMP(Circuits Multi Projets)為研發(fā)組織提供意法半導(dǎo)體的THELMA MEMS制程,大專院校
2017-12-07 13:57:01268

意法半導(dǎo)體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975

格羅方德宣布新一代處理器解決方案

性應(yīng)用的新一代處理器解決方案。 格羅方德指出,意法半導(dǎo)體在業(yè)界率先部署 28 納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)后,決定擴(kuò)大投入及發(fā)展藍(lán)圖,采用格羅方德生產(chǎn)就緒的 22FDX 制程及生態(tài)系統(tǒng),提供第 2 代 FD-SOI 解決方案,打造未來智能系統(tǒng)。
2018-01-10 20:44:02707

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作

GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導(dǎo)體ST)的大單進(jìn)補(bǔ),在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411

FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完善 與FinFET勢均力敵

集中在28nm,但是下一代的18nm將不會(huì)太遠(yuǎn)。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎(chǔ),提供基礎(chǔ)的工藝服務(wù),未來將開發(fā)RF和eMRAM技術(shù)。
2018-04-10 17:30:001703

FD-SOI技術(shù)有何優(yōu)勢?還是物聯(lián)網(wǎng)的理想解決方案?

物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368

三星預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單,其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上,專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394

三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段

生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計(jì)劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:244402

盤點(diǎn)FD-SOI工藝現(xiàn)狀和路線圖

FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603

格芯退出7納米制程或?qū)е翴BM訂單轉(zhuǎn)交臺(tái)積電

晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110

格芯表示退出7納米制程不一定是壞事 12納米以下制程規(guī)模依然穩(wěn)固

先進(jìn)制程的研發(fā)令人有些惋惜,不過格芯倒是顯得穩(wěn)重、平和。日前舉行的GTC大會(huì),格芯還是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)制程不是市場唯一方向,當(dāng)前旗下22納米FD-SOI制程,以及14/12納米FinFET制程依然大有市場。
2018-09-27 16:14:004321

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec 2019上半年財(cái)報(bào)強(qiáng)勁增長 FD-SOI技術(shù)迎來發(fā)展的春天

隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777

Soitec攜手新傲科技,擴(kuò)大中國區(qū)200mm SOI晶圓產(chǎn)量,保障未來增長

Soitec攜手新傲科技,擴(kuò)大中國區(qū)200mm SOI晶圓產(chǎn)量,保障未來增長 作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司今日與中國領(lǐng)先的硅基半導(dǎo)體材料企業(yè)上海
2019-02-23 12:08:01210

FD-SOI與深度耗盡溝道DDC MOS器件的詳細(xì)資料介紹

當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí),提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開發(fā) 看好后續(xù)市場發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

格芯與Soitec宣布簽署多個(gè)SOI芯片長期供應(yīng)協(xié)議

日前,格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長期的300 mm SOI芯片長期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上,此份協(xié)議即刻生效,以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333457

云天勵(lì)飛、Blink現(xiàn)身說法談FD-SOI優(yōu)勢

事實(shí)勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級(jí)工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

如何通過Soitec優(yōu)化襯底技術(shù)助力汽車產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)智能創(chuàng)新

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-06 17:03:361984

FD-SOI應(yīng)用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出FPGA產(chǎn)品加強(qiáng)邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產(chǎn)業(yè)

于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化,FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化? ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193

意法半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲(chǔ)器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369

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