就在Intel稍早以公開信件說明近期處理器產(chǎn)能受限，并且針對(duì)市場供貨短缺情況致歉，市場傳出三星將協(xié)助Intel生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產(chǎn)能需求。 根據(jù)韓聯(lián)社引述消息來源
2019-11-29 09:36:41
3979 根據(jù)最新報(bào)告，華為子公司海思半導(dǎo)體已從中芯國際半導(dǎo)體制造公司訂購了新的14nm工藝，同時(shí)也已收到臺(tái)積電（臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司）的訂單。 前者于2015年開始研發(fā)14nm工藝，并自2019年第三季度開始
2020-01-14 11:21:195461 2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)新的合作協(xié)議，四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:483472 
三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241298 
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744 格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個(gè)最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破，成功量產(chǎn)，這似乎為半導(dǎo)體代工廠GF近數(shù)年的頹勢帶來一股希望，不過在筆者看來，GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運(yùn)，不過是GF與那些半導(dǎo)體廠商豪門恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:206622 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對(duì)于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033179 
三星半導(dǎo)體（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高層透露了該公司晶圓代工廠技術(shù)藍(lán)圖細(xì)節(jié)，包括將擴(kuò)展其FD-SOI產(chǎn)能，以及提供現(xiàn)有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 芯片制造的重點(diǎn)永遠(yuǎn)是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝，將會(huì)增加50%的成本，這個(gè)代價(jià)值得嗎？雖然FinFET能實(shí)現(xiàn)令人印象深刻的性能數(shù)據(jù)。
2016-05-11 09:33:191337 
Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:22845 半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 07:56:012534 ，臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電2月23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 08:25:501308 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 一、前言：14nm的巔峰！Intel主流平臺(tái)迎來10核心 曾經(jīng)有一段時(shí)間筆者也難以理解，為什么早在2018年筆記本端的i3-8121U處理器就用上了10nm制程工藝，而桌面上最新十代酷睿還在堅(jiān)持
2020-07-28 16:27:2118704 
中芯國際第1季收入預(yù)計(jì)為全年相對(duì)低點(diǎn)，比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率進(jìn)一步提升，同時(shí)12nm制程開發(fā)也取得突破。
2019-02-17 20:31:531241 3 月 10 日消息從供應(yīng)鏈獲悉，中芯國際 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約 90%-95%。目前，中芯國際各制程產(chǎn)能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
年代的第一年，半導(dǎo)體工藝制程發(fā)展的狀況又會(huì)如何變化呢？是否會(huì)帶來一些新的進(jìn)展呢？ 英特爾 10nm快速崛起，重返Tick-Tock時(shí)代 英特爾的發(fā)展步伐一直是業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn)。2019年下
2020-07-07 11:38:14
14nm工藝的肖特基二極管和與非門導(dǎo)通延時(shí)是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
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2023-06-01 14:52:23
們的投入中，80%的開支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
摘要 : 導(dǎo)讀：ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類元器件，在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的，就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程導(dǎo)讀
2018-11-08 11:10:34
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構(gòu)的智能手機(jī)、平板機(jī)處理器，而接下來的14nm路線圖也已經(jīng)曝光了。 根據(jù)規(guī)劃，在平板機(jī)平臺(tái)上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號(hào)：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé)，而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級(jí)階段，畢竟在14nm的制程下，一個(gè)模具上就有超過10億個(gè)晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
，年底會(huì)開發(fā)完畢。簡山杰表示，截止到現(xiàn)在，我們14nm的產(chǎn)能雖然不多，但其利用率還不錯(cuò)。至于是否再繼續(xù)投資14nm制程的產(chǎn)能，簡山杰說：“要再觀察?！盧F-SOI談到越來越火熱的RF-SOI工藝時(shí)，簡
2018-06-11 16:27:12
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 英特爾（Intel）日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾（Intel） CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先
2012-05-30 11:31:11989 
為與臺(tái)積電爭搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
2012-10-09 12:02:37911 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 在2012年度的國際電子元件大會(huì)上，有專家指出，半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點(diǎn)上會(huì)迎來大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。
2012-12-13 08:51:371035 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913 ，而臺(tái)積電在16/10nm之間搗鼓了一個(gè)12nm，其實(shí)就是16nm的深度改良版，號(hào)稱可帶來更高的晶體管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地競爭三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141234 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 全球半導(dǎo)體業(yè)中還能繼續(xù)跟蹤14nm工藝節(jié)點(diǎn)者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方得、聯(lián)電、東芝、海力士、美光等。顯然在半導(dǎo)體業(yè)中領(lǐng)軍尺寸縮小的企業(yè)是NAND閃存及CPU制造商及一批
2018-04-09 16:24:001952 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425128 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來的先進(jìn)工藝之爭，專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來某天有可能殺回來，但是這對(duì)市場已經(jīng)沒什么影響了。
2018-09-04 11:08:362165 先進(jìn)制程的研發(fā)令人有些惋惜，不過格芯倒是顯得穩(wěn)重、平和。日前舉行的GTC大會(huì)，格芯還是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)制程不是市場唯一方向，當(dāng)前旗下22納米FD-SOI制程，以及14/12納米FinFET制程依然大有市場。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了6532億元，復(fù)合增長率為20.3%，其中國內(nèi)公司的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)水平達(dá)到了7nm級(jí)別，半導(dǎo)體制造上也即將量產(chǎn)14nm工藝，但與國外先進(jìn)水平依然有很大的差距。
2019-04-10 14:39:423730 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
雖然從技術(shù)水平上看，臺(tái)積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產(chǎn)技術(shù)，格芯和聯(lián)電等掌握了高端14nm的量產(chǎn)技術(shù)，而中芯國際，28nm已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前良率較低，技術(shù)處于逐步成熟階段，不過在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問題，于是 14nm++++ 成為未來兩三年內(nèi)英特爾的主力制程，這也是消費(fèi)者所不想要看到的。然而事實(shí)便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:328187 這兩年中國公司受國外技術(shù)限制最多的領(lǐng)域就是半導(dǎo)體芯片了，從內(nèi)存、閃存到CPU，再到5G射頻等等，卡脖子的問題依然沒有解決。不過2020年就是一個(gè)分水嶺了，明年中國公司將掌握多項(xiàng)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，比如14nm工藝、國產(chǎn)的內(nèi)存、閃存等。
2019-12-30 09:05:112540 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，存在著明顯的金字塔模型。市場上的主流制程工藝節(jié)點(diǎn)從22nm、16/14nm一直到目前最先進(jìn)7nm，越往上玩家越少，即將到來的5nm更是只有臺(tái)積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 華為旗下的海思半導(dǎo)體已經(jīng)向中芯國際下單，通過后者最新的14nm工藝生產(chǎn)芯片。
2020-01-14 17:56:224930 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38739 我們要不要過分夸大中芯國際呢，14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平？如果說14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 梁孟松在會(huì)議上表示：中芯國際的14nm在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。良率意對(duì)芯片至關(guān)重要，這意味著其14nm已經(jīng)進(jìn)入真正意義上的量產(chǎn)。總體來說，我們正在與國內(nèi)和海外客戶合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。
2020-12-11 14:16:442648 要說誰是CPU領(lǐng)域的常青樹，那就非14nm莫屬了，自從2014年推出首款14nm的產(chǎn)品之后，英特爾的這代工藝已經(jīng)使用了7年之久，要知道在日新月異的半導(dǎo)體領(lǐng)域，制程水平能夠保持7年之久實(shí)在是一件極其
2021-01-15 10:58:288387 從 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率來說，中芯國際生產(chǎn)水平已經(jīng)快等同于臺(tái)積電，制程工藝產(chǎn)品良率可達(dá)90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 :? 片上高頻電磁仿真與PDK建模 IRIS——Virtuoso無縫銜接的電磁仿真工具：該工具在三星多項(xiàng)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上獲得認(rèn)證，包括三星8nm/14nm LPP FinFET 工藝及28FDS FD-SOI
2021-11-17 18:00:165893 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551 此外，美商科磊、應(yīng)用材料等半導(dǎo)體設(shè)備還收到通知，禁止向中國大陸出口用于生產(chǎn)14nm及以下先進(jìn)芯片的設(shè)備，不過當(dāng)時(shí)還沒有具體可執(zhí)行的細(xì)節(jié)和時(shí)間。而日前據(jù)外媒報(bào)道，美國已經(jīng)確定于10月再強(qiáng)化出口管制措施，包括嚴(yán)管14nm以下半導(dǎo)體設(shè)備出口到中國大陸。
2022-09-15 09:37:271725 2019年第四季度，中芯國際就表示14nm已投入量產(chǎn)。2021年時(shí)傳出消息，中芯國際14nm的良率達(dá)到95%，已經(jīng)追平臺(tái)積電。（目前7nm也已小規(guī)模投產(chǎn)）
2022-11-17 15:22:38104629 的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117915 于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請(qǐng)到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369
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