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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

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2021-09-17 19:23:57

面向嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)化IGBT

電動汽車/混合動力汽車、電磁感應(yīng)加熱和開關(guān)模式電源等新興應(yīng)用的追求目標(biāo)。例如,將續(xù)流二極管集成至IGBT的晶元設(shè)計(圖1d),帶來了全新導(dǎo)器件(RC-IGBT)。由于總體系統(tǒng)硅成本降低,這些器件成為
2018-12-03 13:47:00

高價回收三菱系列產(chǎn)品IGBT模塊英飛凌系列IGBT大量收購

價收購英飛凌IGBT模塊回收各種品牌IGBT模塊151-5220-9946江工 大量回收拆機IGBT模塊 高價回收原裝功率模塊QQ 2360670759現(xiàn)金回收拆機IGBT模塊 高價回收原裝IGBT
2020-08-07 14:07:29

高價大量上門回收收購英飛凌(FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊)

高價大量上門回收英飛凌IGBT模塊(FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊),功率可控硅,晶閘管,整流橋模塊(TT/TZ/TD/DT/TX系列模塊)專業(yè)焊機IGBT模塊,電機控制IGBT模塊,變頻器IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:49:08

英飛凌IGBT模塊

FF100R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加層被稱為電場終止(fieldstop
2023-01-10 11:29:08

英飛凌IGBT模塊

FZ600R12KE4FZ600R12KE4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加層被稱為電場
2023-01-12 11:28:56

英飛凌IGBT模塊

英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個
2023-02-07 09:50:06

英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3

英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n
2023-02-07 09:58:53

英飛凌IGBT模塊

FF300R17KE3 IGBT模塊FF300R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加
2023-02-07 10:50:02

英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

FF450R17ME3英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT模塊是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加
2023-02-07 13:46:10

英飛凌IGBT模塊

FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個
2023-02-07 13:52:10

英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3

FZ400R17KE3 英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層
2023-02-07 14:31:30

英飛凌IGBT模塊

FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加
2023-02-07 14:36:09

英飛凌IGBT模塊

FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加層被稱為
2023-02-07 14:38:49

英飛凌IGBT模塊

英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08

英飛凌IGBT模塊

FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47

英飛凌IGBT模塊FF300R06KE3

FF300R06KE3英飛凌igbt模塊FF300R06KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個
2023-02-24 15:28:34

英飛凌發(fā)布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMA

英飛凌發(fā)布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro 英飛凌(Infineon Technology)宣布推出具備最高傳輸速率的第二代LTE射頻收發(fā)器樣片──SMARTi
2009-01-27 17:52:511417

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù) 英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT
2010-05-11 17:32:472392

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:101061

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,并且減小了永磁電機驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610

英飛凌推出可信平臺模塊(TPM)芯片

英飛凌科技推出可信平臺模塊(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架構(gòu)不可或缺的組成部分。英飛凌成為適合與面向網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的全新操作系統(tǒng)結(jié)合使用的TPM芯片的首家供應(yīng)商
2011-08-04 08:45:342126

雜散電感對高效IGBT逆變器設(shè)計的影響

IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。
2011-08-10 11:21:003649

英飛凌推出全新XMC4000 32位單片機

英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機產(chǎn)品家族,它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開發(fā)針對應(yīng)用而優(yōu)化的外設(shè),并具備出色的實時功能的單片機方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:591285

英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT

英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件,再次擴充逆導(dǎo)(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H系列的擴展,重點關(guān)注感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25827

英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級換代了?

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用進行芯片優(yōu)化,實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361

英飛凌igbt型號及參數(shù)大全

英飛凌igbt型號及參數(shù)大全 英飛凌(Infineon)是德國西門子半導(dǎo)體集體(Siemens)的獨立上市公司。前身也叫歐派克(EUPEC:歐洲電力電子公司)。 一.拓撲圖與型號的關(guān)系:型號開頭
2023-02-08 14:17:295593

英飛凌IGBT

英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高,在設(shè)計靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級,適用于
2023-02-16 16:30:581136

igbt可控硅有什么區(qū)別?

igbt可控硅有什么區(qū)別?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)與可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)都是功率
2023-08-25 14:57:315661

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號

Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531479

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:35653

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36527

英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業(yè)自動化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469

可控硅和igbt區(qū)別

可控硅和igbt區(qū)別? 可控硅和IGBT是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點和應(yīng)用等方面存在著顯著差異。下文
2023-12-07 16:45:323214

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