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日本設立共同研究室 加快新一代功率半導體氮化鎵功研發(fā)
- 氮化鎵(114707)
- 功率半導體(42383)
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5G和電動車的興起讓化合物半導體成為新貴
。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。三大化合物半導體材料
2019-05-06 10:04:10
5G無線與對集成度更高、速度更快的多功能設備有哪些新要求呢？
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡技術的并行發(fā)展共同助力提高設計和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導體到基站系統(tǒng)架構再到網(wǎng)絡拓撲的無線基礎設施。在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
5G相關核心產(chǎn)業(yè)鏈有哪些？
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
8英寸！第四代半導體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進展，產(chǎn)業(yè)化再進一步
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
氮化鎵: 歷史與未來
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動氮化鎵價格戰(zhàn)伊始。
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現(xiàn)更高的效率？
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術助力電源管理革新
的選擇?！ ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵發(fā)展評估
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟高效的替代品，并成為實現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵技術在半導體行業(yè)中處于什么位置？
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化鎵技術推動電源管理不斷革新
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵激光器的技術難點和發(fā)展過程
限制層，為像GaN材料體系這樣性質差異大的半導體激光器提供了新的研究思路，有望進一步提高氮化鎵激光器性能。 未來GaN基藍光激光器的效率將進一步提升，接近GaAs基紅外激光器的電光轉化效率
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應用實現(xiàn)規(guī)模化、供應安全和快速應對能力
應對能力以及供應鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無線基礎設施獨一無二的出色半導體技術，硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結構實現(xiàn)優(yōu)異的氮化鎵性能，并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出
集成在一顆芯片中。合封的設計消除了寄生參數(shù)導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN基微波半導體器件材料的特性
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
MACOM：適用于5G的半導體材料硅基氮化鎵（GaN）
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導體技術。這就
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
ST助力NTT Plala推出先進新一代智能IPTV機頂盒
21ic訊 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，日本知名網(wǎng)絡/IPTV服務商NTT Plala株式會社于4月17日推出的新一代先進機頂盒采用了意法半導體Orly 系統(tǒng)級
2013-09-22 11:35:00
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2013-11-08 10:36:06
《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵發(fā)展技術
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
《炬豐科技-半導體工藝》n-GaN的電化學和光刻
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關氮化物半導體在藍綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應用備受關注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學
2021-10-13 14:43:35
【基礎知識】功率半導體器件的簡介
在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結效應，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。從此功率半導體器件的研制及應用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
【技術干貨】氮化鎵IC如何改變電動汽車市場
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
三星電子在日本新設半導體研發(fā)中心，聚焦系統(tǒng)LSI芯片業(yè)務
韓國《每日經(jīng)濟新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個新的半導體研發(fā)中心，將現(xiàn)有的兩個研發(fā)機構合二為一，旨在推進其芯片技術并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用呢？
推廣應用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授，一直在從事高品質的半導體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發(fā)情況、研究成果對未來的應用前景產(chǎn)生的影響，森教授進行了訪談。目前，功率半導體的應用廣泛，其
2023-02-23 15:46:22
主流的射頻半導體制造工藝介紹
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
什么是氮化鎵功率芯片？
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐嫾?納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵技術
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵（GaN）？
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵（GaN）？
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件？
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產(chǎn)中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268
概述：NV6127是一款升級產(chǎn)品，導通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
光隔離探頭應用場景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
國內(nèi)功率半導體需求將持續(xù)快速增長
技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
國防威脅減除局尋求抗輻射高頻模擬和射頻半導體
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質結雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
基于微帶W ilkinson功分器的功率合成電路的研究
隨著半導體材料和工藝的不斷發(fā)展，微波/毫米波功率半導體器件的輸出功率量級越來越大， L 波段功率晶體管的脈沖功率已達千瓦量級; X波段功率砷化鎵場效應管連續(xù)波達到幾十瓦，脈沖功率達到500W。但限于
2019-07-09 06:15:48
如何學習氮化鎵電源設計從入門到精通?
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
安森美半導體與奧迪攜手建立戰(zhàn)略合作關系
安森美半導體已成為主要汽車半導體技術的一個全球領袖。 安森美半導體是自動駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領域的一個公認的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
將低壓氮化鎵應用在了手機內(nèi)部電路
帶半導體，相比常規(guī)的硅材料，開關速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時，還能提供更高的過電壓保護能力，防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS，氮化鎵低阻抗優(yōu)勢可以
2023-02-21 16:13:41
微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化鎵
這樣的領導者正在將氮化鎵和固態(tài)半導體技術與這些過程相結合，以更低的成本進行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
意法半導體與遠創(chuàng)達簽署LDMOS技術許可合作協(xié)議
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意法半導體LDMOS產(chǎn)品的應用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
摩爾定律對半導體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩
步榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點“剩余價值”外，尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN和SiC同屬
2019-07-05 04:20:06
有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
未來5年，GaN功率半導體市場會發(fā)生哪些變化？
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
求MC9S12XDT256共同研究的小伙伴
本人剛剛接觸MC9S12XDT256，求MC9S12XDT256共同研究的小伙伴，共同學習共同進步，或者來個大神幫忙指導下！！QQ：1139471346
2016-06-30 19:48:28
硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢？
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
碳化硅與氮化鎵的發(fā)展
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
第三代半導體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術應用
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
的一種最具有優(yōu)勢的半導體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀90年代.目前已成為新型功率半導體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
第三代半導體科普，國產(chǎn)任重道遠
未來電動汽車的動力全要靠三代半導體的功率器件了，碳化硅、氮化鎵都會在電動汽車里有很大的市場。僅功率器件一項，每輛車就會增加大約300美元的需求。（5）機器人我的天，你是要把未來世界都劃進來嗎？可是事實
2017-05-15 17:09:48
誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片？
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件
”的器件。它有多好呢？擊穿電壓是功率晶體管的關鍵指標之一，達到這個臨界點，半導體阻止電流流動的能力就會崩潰。東脅研究的開創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下，氮化鎵花了近20年的時間才達到這一
2023-02-27 15:46:36
重磅突發(fā)！又一家芯片公司被收購，價格57億
，共同開發(fā)氮化鎵功率器件。之后，兩家企業(yè)還與富達投資（Fidelity）一道，于2021年底向GaN Systems投資1.5億美元，推動公司的產(chǎn)品研發(fā)和市場推廣。另外，公司還與車規(guī)半導體重要原廠瑞薩
2023-03-03 16:48:40
高壓氮化鎵的未來分析
的應用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經(jīng)電路開關內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
日本將與歐洲聯(lián)手共同研究面向下一代通信標準后的5G
據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》4月15日報道，日本與歐洲的政企學將聯(lián)手，面向下下一代通信標準“后5G”啟動共同研究。共同研究由日本早稻田大學教授川西哲也主導，歐洲的大學、NEC和德國電信公司等將參與其中。后5G技術的通信速度將達目前普及的通信標準4G的1000倍以上，一張藍光光碟的高畫質電影可在2秒鐘內(nèi)下載完。
2019-04-17 10:07:04
470
470電裝深耕SiC功率半導體的研發(fā)生產(chǎn)
為實現(xiàn)低碳社會，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質SiC（碳化硅）功率半導體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI”車型就搭載了該產(chǎn)品。 持續(xù)布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192
3192美日聯(lián)手共同研發(fā)2納米半導體芯片
7月29日，美國和日本啟動了“2+2”部長級對話的新經(jīng)濟版本。美國和日本宣布，他們將為新一代半導體研究成立一個“新的研發(fā)機構”。
2022-08-02 11:28:371017
1017電裝研究：日本車載半導體“核心”
向臺積電工廠投資400億日元 “半導體的經(jīng)濟安全保障非常成問題”，11月11日宣布以在日本國內(nèi)量產(chǎn)新一代半導體為目標的新公司“Rapidus”成立的記者會在東京都內(nèi)召開。主導設立工作的社長小池
2022-11-23 10:34:13893
893非極性氮化鎵基半導體研究
生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場，這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進行對非極性或半極性氮化鎵基半導體層的研究。
2023-02-05 14:23:451979
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日企Resonac控股宣在硅谷設立半導體封裝及材料研發(fā)中心
11月22日，日本化工企業(yè)Resonac控股宣布，計劃在美國加利福尼亞州硅谷設立半導體封裝技術和半導體材料研發(fā)中心。
2023-11-27 11:27:13619
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工商網(wǎng)監(jiān)
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