2016年下半年開(kāi)始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開(kāi)始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并沒(méi)有
2018-10-31 09:49:01
2076 從2016年下半年開(kāi)始，全球存儲(chǔ)芯片進(jìn)入了新一輪的旺季，DRAM內(nèi)存、NAND閃存價(jià)格從那時(shí)候起大幅上漲，一直持續(xù)到2018年。如今NAND閃存價(jià)格今年已經(jīng)暴跌了，徹底扭轉(zhuǎn)了價(jià)格走勢(shì)，而DRAM內(nèi)存
2018-11-06 10:30:412355 本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
2016-12-27 15:49:1320415 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類(lèi)型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:321684 
2月份DRAM與NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲，DRAM上漲最主要的動(dòng)力來(lái)自于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心正在快速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強(qiáng)勁。
2020-03-10 10:39:541182 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專(zhuān)為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001984 
）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盤(pán)（MICRODRIVE）。這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的。NAND FLASH和NOR FLASH都是現(xiàn)在用得比較多的非易失性
2012-08-15 17:11:45
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM（Dynamic RAM）,即動(dòng)態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成。請(qǐng)看下圖： [/hide]
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
NAND 上面都是壞塊怎么辦?。縰-boot 上執(zhí)行nand bad 發(fā)現(xiàn)nand 上都是壞塊，下載內(nèi)核時(shí) ，執(zhí)行 nand scan 時(shí) nand上也都是壞塊!!難道 u-boot和內(nèi)核的nand驅(qū)動(dòng)都寫(xiě)錯(cuò)了？？請(qǐng) 南方大哥 指點(diǎn)一下！?。?！
2019-05-20 03:50:13
NAND和NOR flash的區(qū)別
2012-08-09 14:17:12
最近工程師群里都會(huì)出現(xiàn)一個(gè)CS品牌的SD NAND的存儲(chǔ)芯片，那么很多人的疑問(wèn)什么是SD NAND？今天就帶大家詳細(xì)的了解一下。SD NAND俗稱(chēng)貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存
2019-06-24 17:09:28
` 本帖最后由 島嶼云煙 于 2016-6-14 15:40 編輯
知道USB Type-C的接口是怎么樣的不？就不告訴你！艾瑪，被打了。下面是科普時(shí)間引腳定義點(diǎn)擊看大圖點(diǎn)擊看大圖數(shù)據(jù)傳輸主要有
2016-06-03 17:53:22
親愛(ài)的FPGA專(zhuān)家，美好的一天！有人可以告訴我BRAM，DRAM和DMA之間的區(qū)別嗎？在什么特定情況下，每個(gè)適合使用？我們正在使用xilinx zedboard設(shè)備。非常感謝你。最好的祝福，格倫以上
2019-04-29 10:24:38
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
。===========================================ARM的nor flash與nand flash啟動(dòng)過(guò)程區(qū)別B，s3c2440啟動(dòng)過(guò)程詳解1:地址空間的分配2:開(kāi)發(fā)板上一般都用SDRAM做內(nèi)存，flash（nor
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非?？?，是目前讀寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要
2015-11-04 10:09:56
什么是SD NAND？它俗稱(chēng)貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡，貼片式U盤(pán)，貼片式UDP等等。雖然SD NAND 和TF卡稱(chēng)呼上有些類(lèi)似，但是SD NAND
2022-07-12 16:44:15
固態(tài)硬盤(pán)和U盤(pán)的區(qū)別，第一，主控算法不一樣，固態(tài)硬盤(pán)的速度數(shù)十倍的高于U盤(pán)。第二，壽命極大的延長(zhǎng)。第三，可以同時(shí)讀和寫(xiě)。U盤(pán)容易丟失數(shù)據(jù)的原因是因?yàn)閁SB設(shè)備經(jīng)常插拔與不同的主機(jī)之間，不正確的插拔
2019-07-17 04:20:22
eMMC和SSD都是現(xiàn)在市場(chǎng)上主流的NAND Flash，關(guān)于它們之間的聯(lián)系和區(qū)別，有許多關(guān)注存儲(chǔ)行業(yè)的朋友還不了解，宏旺半導(dǎo)體ICMAX根據(jù)多年在存儲(chǔ)行業(yè)的經(jīng)驗(yàn)，給大家科普一下其中的eMMC
2019-06-24 17:04:56
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非?？欤悄壳白x寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要
2018-08-09 10:37:07
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。 RAM有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只
2013-01-04 00:20:57
一般來(lái)說(shuō)DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
1.1 存儲(chǔ)器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
固態(tài)硬盤(pán)與內(nèi)存條這兩者都是干什么用的呢？固態(tài)硬盤(pán)與內(nèi)存條之間有什么區(qū)別呢？固態(tài)硬盤(pán)與內(nèi)存條它們之間又有什么聯(lián)系呢？
2021-06-18 07:01:46
，悲劇了！由于我們判定項(xiàng)目是空調(diào)環(huán)境，選擇的都是消費(fèi)級(jí)的固態(tài)硬盤(pán)。上機(jī)后，陸續(xù)出現(xiàn)大量的故障，公司的維保人員和成本居高不下，開(kāi)發(fā)部門(mén)更是頭疼的要死。然而我們那點(diǎn)采購(gòu)量，大公司壓根看不上。后來(lái)勉強(qiáng)同意幫我
2019-04-20 23:47:48
新一代電子電氣架構(gòu)下的Arm汽車(chē)解決方案中，L3以上的算力提升后 集中式SOC對(duì)于DRAM，NOR FLASH，以及NAND FLASH的需求會(huì)有什么樣的變化？一臺(tái)車(chē)的搭載的內(nèi)存DRAM跟現(xiàn)在相比大概會(huì)差了幾倍？
2022-08-30 15:25:27
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
傳輸模式區(qū)別： 監(jiān)控硬盤(pán)除了有我們普通硬盤(pán)的傳輸模式外還增加了一個(gè)全新的模式，叫做不間斷傳輸模式。這種模式的傳輸速度峰值可以達(dá)到65MB/S。是基于硬盤(pán)對(duì)視頻流媒體存儲(chǔ)的支持，其穩(wěn)定性更好
2020-11-30 16:33:34
、DRAM和Nand Flash，區(qū)別在于其產(chǎn)品的最終形態(tài)不同，計(jì)算機(jī)內(nèi)部的形態(tài)為CPU+內(nèi)存條+硬盤(pán)，而手機(jī)則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC
2023-02-17 14:06:29
請(qǐng)問(wèn)一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實(shí)就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
中斷和事件有啥區(qū)別？
2023-10-25 07:54:54
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存
2008-08-05 11:41:30
0 DIMM DRAM 168線內(nèi)存條引腳定義
正面，左方：
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2007-11-21 12:39:411489 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163
DIMM DRAM 168線內(nèi)存條
2009-02-12 10:39:121132 內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑，除了游戲相關(guān)的硬件之外，活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了，2016下半年開(kāi)始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24638 固態(tài)硬盤(pán)與普通硬盤(pán)的區(qū)別有哪些
2017-09-18 11:30:4711 這篇文章主要和大家介紹一下關(guān)于液態(tài)硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)哪個(gè)好_固態(tài)硬盤(pán)和液態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別，一起來(lái)了解一下。
2017-12-07 10:23:2858489 近一年來(lái)了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定，準(zhǔn)確的說(shuō)是水漲船高，明年的市場(chǎng)狀況又將迎來(lái)如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。
2017-12-25 12:40:341164 2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢？ 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊，但NAND部分，恐怕
2018-01-22 11:30:02536 
2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)大動(dòng)亂，2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化，據(jù)悉，DRAM熱度可望延續(xù)依然存在，但是2018年DRAM并無(wú)新增產(chǎn)能，同時(shí)服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)續(xù)漲。
2018-01-25 16:09:371324 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車(chē)用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 很多購(gòu)買(mǎi)電腦的同學(xué)仍然還不清楚內(nèi)存和硬盤(pán)到底有什么區(qū)別，在電腦里面有什么作用，容易把內(nèi)存當(dāng)硬盤(pán)或把硬盤(pán)當(dāng)內(nèi)存，下面小編通俗易懂的來(lái)給大家講講硬盤(pán)跟內(nèi)存有和區(qū)別，在電腦中分別扮演的是什么角色。
2018-06-12 07:08:003799 
隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫(xiě)速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫(xiě)速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類(lèi)：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來(lái)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2018-04-21 08:19:0011965 
根據(jù)Yole 預(yù)測(cè)2018年DRAM價(jià)格將上漲23%，NAND價(jià)格下降15％。
2018-06-28 17:05:015697 
DRAM就是我們一般在用的內(nèi)存，而NAND Flash 閃存，它在做的事情其實(shí)是硬盤(pán)。
2018-07-17 17:43:3918789 
硬盤(pán)與內(nèi)存的區(qū)別是很大的，這里只談最主要的三點(diǎn)：一、內(nèi)存是計(jì)算機(jī)的工作場(chǎng)所，硬盤(pán)用來(lái)存放暫時(shí)不用的信息。二、內(nèi)存是半導(dǎo)體材料制作，硬盤(pán)是磁性材料制作。三、內(nèi)存中的信息會(huì)隨掉電而丟失，硬盤(pán)中的信息可以長(zhǎng)久保存。
2018-08-14 11:48:0212925 日前DRAMeXchange發(fā)表報(bào)告稱(chēng)Q3季度DRAM內(nèi)存價(jià)格微幅上漲2%，但Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降幾成定局，這也意味著漲了三年的DRAM內(nèi)存價(jià)格終于要下跌了。與內(nèi)存相比，NAND閃存價(jià)格
2018-09-10 16:26:321827 你如果問(wèn)當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng)，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過(guò)，在內(nèi)存天下三分的大背景下，新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D
2018-09-29 16:05:515499 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示，本應(yīng)該是購(gòu)物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購(gòu)價(jià)均呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢(shì)，其中DRAM預(yù)估下滑5％或更多。所以大家所關(guān)心的內(nèi)存和SSD產(chǎn)品在接下來(lái)的一段時(shí)間內(nèi)有希望迎來(lái)一波降價(jià)浪潮。
2018-10-11 16:12:29836 大家都知道，機(jī)械硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)是現(xiàn)在常見(jiàn)的兩種硬盤(pán)類(lèi)型。以前，電腦最開(kāi)始的時(shí)候基本都是用的機(jī)械硬盤(pán)，而隨著固態(tài)硬盤(pán)問(wèn)世，機(jī)械硬盤(pán)的地位也開(kāi)始動(dòng)搖，尤其是對(duì)于熱愛(ài)玩網(wǎng)絡(luò)游戲的朋友而言，他們更加喜歡固態(tài)
2019-01-27 17:17:521695 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:18641 說(shuō)到內(nèi)存，很多人容易將電腦里面的內(nèi)存條跟內(nèi)存卡之類(lèi)的混淆，其實(shí)，電腦里面的內(nèi)存跟手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存是一樣的，它們都是運(yùn)行內(nèi)存。也可以說(shuō)內(nèi)存條才是電腦真正的內(nèi)存，而硬盤(pán)是電腦的外存，屬于存儲(chǔ)設(shè)備，內(nèi)存決非
2019-03-12 15:23:087773 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 電腦的運(yùn)作需要有內(nèi)存和硬盤(pán)兩個(gè)部件來(lái)共同完成數(shù)據(jù)儲(chǔ)存：內(nèi)存速度快但容量小、斷電后記憶會(huì)丟失，硬盤(pán)速度慢但容量大并且能夠長(zhǎng)久保存數(shù)據(jù)。有沒(méi)有可能讓內(nèi)存和硬盤(pán)合二為一呢？ SCM存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存兼具二者之長(zhǎng)
2020-09-16 14:37:473196 ，我的手機(jī)內(nèi)存都128G了，你讓我買(mǎi)8G的能做什么？真是大寫(xiě)的尷尬呀。所以有必要為電腦小白們科普一下內(nèi)存容量和硬盤(pán)容量的區(qū)別。
2019-09-14 12:35:0032481 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156 很多購(gòu)買(mǎi)電腦的同學(xué)仍然還不清楚內(nèi)存和硬盤(pán)到底有什么區(qū)別，在電腦里面有什么作用，容易把內(nèi)存當(dāng)硬盤(pán)或把硬盤(pán)當(dāng)內(nèi)存，下面小編通俗易懂的來(lái)給大家講講硬盤(pán)跟內(nèi)存有和區(qū)別，在電腦中分別扮演的是什么角色。
2019-12-22 11:13:539753 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤(pán)密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44647 今天我們來(lái)聊一聊固態(tài)硬盤(pán)和機(jī)械硬盤(pán)的，在固態(tài)硬盤(pán)誕生之前，我們使用的都是機(jī)械硬盤(pán)，很多朋友搞不清楚這兩兄弟的區(qū)別和他們優(yōu)劣性。
2020-03-21 11:00:218681 內(nèi)存條對(duì)于電腦來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的。隨著電腦技術(shù)的飛速發(fā)展，SSD固態(tài)硬盤(pán)也越來(lái)越普遍，那么內(nèi)存條和固態(tài)硬盤(pán)區(qū)別有什么？下面就為大家詳細(xì)介紹一下兩者之間的區(qū)別。
2020-05-25 10:12:5712864 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:331589 DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
通俗的說(shuō)法： 凡是硬盤(pán)上有對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，占用的內(nèi)存，就是非計(jì)算內(nèi)存，非計(jì)算內(nèi)存需要被別的進(jìn)程用到時(shí)，其中的數(shù)據(jù)無(wú)需page out，因?yàn)樵俅涡枰x取的時(shí)候從硬盤(pán)文件中拿出來(lái)即可。 凡是硬盤(pán)上沒(méi)有
2020-11-04 11:38:511981 日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。
2020-12-02 09:51:261705 
很多電腦小白還會(huì)有疑問(wèn)，就是內(nèi)存跟硬盤(pán)到底有什么區(qū)別？為什么同樣是300塊錢(qián)，買(mǎi)內(nèi)存只能買(mǎi)到8GB容量的，而硬盤(pán)能買(mǎi)到250GB以上的。 內(nèi)存又被稱(chēng)為內(nèi)部存儲(chǔ)器，你可以把它理解成為硬盤(pán)數(shù)據(jù)跟CPU
2021-01-04 14:34:384731 緩存，大家都知道DDR內(nèi)存的帶寬遠(yuǎn)高于閃存，都是數(shù)GB/s甚至數(shù)十GB/s的，可以大幅提升SSD的讀寫(xiě)速度。 但是另一方面，使用DRAM內(nèi)存做緩存的SSD也面臨著成本增加的問(wèn)題，通常SSD中70-75
2021-01-26 11:31:301966 上周，美光科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到，可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來(lái)幾個(gè)季度的NAND和DRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:172554 事項(xiàng)前，小編就為大家科普下，關(guān)于內(nèi)存二三事： 內(nèi)存從早的EDO，SRAM，DRAM，SDRAM，DDR，DDR2，DDR3經(jīng)過(guò)這幾代的發(fā)展現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展的DDR4代，甚至在一些顯卡上面已經(jīng)有用到DDR5代。簡(jiǎn)單的講內(nèi)存經(jīng)過(guò)這幾代的技術(shù)的改進(jìn)無(wú)非是提升空間和
2021-05-27 10:16:431588 由于行業(yè)整合和半導(dǎo)體短缺導(dǎo)致供需平衡完全失衡，內(nèi)存價(jià)格和利潤(rùn)率處于高位。內(nèi)存行業(yè)的一個(gè)共同主題是持續(xù)的整合。我們只有3家領(lǐng)先的DRAM生產(chǎn)商，即使有新的中國(guó)廠商進(jìn)入該領(lǐng)域，NAND生產(chǎn)商的數(shù)量
2021-11-21 15:39:471877 在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤(pán)屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191544 內(nèi)存和外存是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的兩種不同形式，兩者雖然都是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方式，但是卻有許多區(qū)別。本文將從定義、結(jié)構(gòu)、速度、容量、使用、價(jià)格等方面探討內(nèi)存與外存的關(guān)鍵區(qū)別。
2023-06-10 15:06:004325 閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤(pán)等。
2023-06-28 16:25:495232 相對(duì)于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)，固態(tài)硬盤(pán)采用了閃存存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤(pán)成為了相對(duì)便宜和可靠的存儲(chǔ)解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072138 內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093293 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類(lèi)型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2023-09-11 14:48:23556 
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 從2024年第四季度開(kāi)始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 門(mén)。盡管它們都是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，但在構(gòu)造、功能、性能和應(yīng)用方面存在很多區(qū)別。 首先，DRAM和NAND的構(gòu)造方式不同。DRAM是由一個(gè)個(gè)存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容和一個(gè)開(kāi)關(guān)組成。在讀寫(xiě)數(shù)據(jù)
2023-12-08 10:32:003921 什么是SD NAND？它俗稱(chēng)貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱(chēng)呼上有些類(lèi)似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57864 
固態(tài)硬盤(pán)（SSD）和機(jī)械硬盤(pán)（HDD）是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)設(shè)備，它們?cè)诩夹g(shù)原理、速度、可靠性、功耗、噪音等方面有著相當(dāng)大的區(qū)別。在本文中，將詳細(xì)介紹固態(tài)硬盤(pán)和機(jī)械硬盤(pán)的特點(diǎn)和區(qū)別。 一、技術(shù)
2024-01-18 09:43:56457
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