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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>緩沖/存儲技術(shù)>媒體聚焦 | FRAM——高可靠系統(tǒng)的存儲神器

媒體聚焦 | FRAM——高可靠系統(tǒng)的存儲神器

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本文以星載測控系統(tǒng)為背景,提出了一種基于 Actel Flash FPGA的可靠設(shè)計方案。采用不易發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的 flash FPGA芯片,結(jié)合 FPGA內(nèi)部的改進型三模冗余、分區(qū)設(shè)計和降級重構(gòu),實現(xiàn)了實時、可靠系統(tǒng)。
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基于FRAM的低功耗LED照明解決方案

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富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應(yīng)用?

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無線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)的相關(guān)技術(shù)有哪些?無線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)組網(wǎng)特點是什么?無線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)是有哪些部分組成的?無線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域?
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純討論——到底FRAM可不可以替代EEPROM?

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圓我“鐵電夢”,關(guān)于FRAM網(wǎng)友有話說!

近幾年,FRAM(鐵電存儲器)比較火,特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術(shù)的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得,發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915

在高端醫(yī)療設(shè)備中,FRAM有著100%的應(yīng)用!

的人經(jīng)常會看到,配置有電子標(biāo)簽的注射器具。手術(shù)器具要用伽瑪射線進行消毒,能夠抵抗照射劑量高達50kGy伽瑪射線消毒的只有內(nèi)置FRAM(非易失性隨機存儲器)的電子標(biāo)簽。我們可以肯定高可靠性的FRAM是適用于高端醫(yī)療領(lǐng)域的為數(shù)不多的電子產(chǎn)品。
2017-03-28 15:26:181564

FRAM不怕輻射,解決醫(yī)療應(yīng)用難題!

今天,像EEPROM和SRAM這些標(biāo)準(zhǔn)存儲器器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專家對助聽器噪聲,或是需要更換所用設(shè)備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產(chǎn)品
2017-03-28 18:11:581494

媒體聚焦 | FRAM應(yīng)用淺記——只談創(chuàng)新案例

遇到的縮寫還是以FeRAM居多)作為一種新的存儲方式來報道,而現(xiàn)在,越來越多的應(yīng)用借FRAM的特性實現(xiàn)了自身在可靠性、性能等方面的突破。
2017-03-28 18:41:571055

FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的應(yīng)用及發(fā)展

與傳統(tǒng)非易失性存儲器相比,FRAM的功耗要低很多,而且寫入速度更快。對于類似的寫入,FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000,達到SRAM
2017-03-29 11:46:291659

FRAM MCU 解決物聯(lián)網(wǎng)存儲非易失性

隨著物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 的擴張,新連接的設(shè)備數(shù)有望到 2020 年達到數(shù)十億。連接這些設(shè)備的主要原因之一是要通過數(shù)據(jù)處理實現(xiàn)更智能的自動化系統(tǒng)。這些設(shè)備收集的數(shù)據(jù)越多,越有利于作出更明智的決策以及改進整個系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。
2017-04-26 17:19:17775

獨立FRAM存儲器方案設(shè)計,特點有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢?
2017-09-17 16:34:229447

FRAM FRID在物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用

  富士通在開發(fā)高質(zhì)量、高可靠存儲FRAM的方面,具有17年以上的豐富量產(chǎn)經(jīng)驗,并在智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,已取得卓越的應(yīng)用成果。與時俱進,富士通正積極投入
2017-09-20 12:43:0815

FRAM 或是目前選用存儲器的最佳選擇

次)和抗輻射特性,非常適合許多工業(yè)類和醫(yī)療類應(yīng)用。 在前不久的工業(yè)計算機與嵌入式系統(tǒng)展上,富士通半導(dǎo)體公司(Fujitsu)市場部高級產(chǎn)品工程師伍宏杰告訴記者,FRAM是嵌入式領(lǐng)域一個比較有優(yōu)勢的產(chǎn)品,對設(shè)計有幫助,很多工程師都有興趣使用這樣一款存儲器。
2018-06-02 02:46:0014464

FRAM 中常見的問題及解答

FRAM是ferroelectric random access memor}r(鐵電隨機存取存儲器)的首字母縮寫,它是非易失性存儲器,即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說,FRAM是鐵電存儲器,但它不受磁場的影響,因為芯片中不含鐵基材料(鐵)。鐵電材料可在電場中切換極性,但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309

可穿戴電子應(yīng)用的FRAM

關(guān)鍵詞:FRAM , 存儲器 引言: FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文: 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01270

PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532

媒體聚焦丨瑞薩電子兩大科技令嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)邊緣智能和擺脫電池束縛

媒體聚焦丨瑞薩電子兩大科技令嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)邊緣智能和擺脫電池束縛
2019-07-02 14:11:521784

微雪電子FRAM存儲模塊存儲器FM24CLXX簡介

FM24CL FRAM 存儲模塊 I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴存儲 型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331

FRAM鐵電存儲器在汽車應(yīng)用方面的優(yōu)勢

和FLASH非易失性內(nèi)存相比,FRAM在EDR應(yīng)用上有三大關(guān)鍵優(yōu)勢。對于那些有精確時間要求的應(yīng)用來說,FRAM會立即具備非易失性。這些應(yīng)用在系統(tǒng)發(fā)生故障時,最重要的數(shù)據(jù),如數(shù)據(jù)記錄器通常會面臨風(fēng)險。FRAM擦寫周期為10E+14,而EEROM為10E+6,F(xiàn)LASH為10E+5,。因此FRAM是數(shù)據(jù)記錄
2020-05-26 11:03:431080

SPI-MRAM如何替換SPI-FRAM

SPI-FRAM之前,有幾個參數(shù)需要進行一些系統(tǒng)級分析,包括輸出負(fù)載,啟動時間以及加電和斷電斜坡。 比較的可靠性考慮 CY15B104QN FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲設(shè)備。這些材料的固有電偶極子
2020-09-19 10:07:311628

FRAM器件提供非易失性存儲

FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數(shù)據(jù)保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727

FRAM是一種鐵電存儲器,它的自身優(yōu)勢是什么

FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

非易失性存儲器MRAM與FRAM到底有什么區(qū)別

“永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能,可字節(jié)尋址的非易失性存儲設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優(yōu)勢:低電壓運行,長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038

fram是什么存儲器_FRAM技術(shù)特點

鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣,如只讀存儲器和閃存)結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166108

FRAM技術(shù)和工作原理

獨特性能成就技術(shù)“硬核”,FRAM存儲界的實力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲
2021-04-08 15:42:02824

什么是FRAM,它的優(yōu)勢都有哪些

FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:001850

關(guān)于FRAM在新能源汽車技術(shù)中的應(yīng)用分析

監(jiān)控,記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設(shè)計。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級的存儲FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。 FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用 高燒寫耐久性,高速寫入操作: ?系統(tǒng)每0.1或1秒,
2021-05-04 10:18:00377

富士通FRAM一路走來,它是如何崛起的

FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性鐵電存儲FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器,FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689

FRAM車規(guī)級是滿足汽車電子無延遲要求的優(yōu)先存儲器選擇

開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規(guī)級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優(yōu)先存儲器選擇。 為什么這么說?這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開始說起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲,
2021-05-11 17:17:09704

鐵電存儲FRAM的優(yōu)劣勢

FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點,符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

FRAM的應(yīng)用場景

FRAM是電力計量系統(tǒng)中使用的主要存儲器,由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點,FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場;隨著電子設(shè)備和存儲數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用,FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616

串行FRAM存儲器CY15B104Q-LHXI的功能特點

賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了由串行閃存,EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性,開銷和系統(tǒng)可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲

器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了由串行
2021-06-08 16:35:041683

串行FRAM存儲器64K MB85RS64概述及特點

富士通FRAM是新一代非易失性存儲器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394

鐵電存儲FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲器都用在了哪里

操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導(dǎo)體的FRAM器件從開始交付給工業(yè)市場已超過21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量產(chǎn)制造經(jīng)驗的高性能和高度可靠存儲器。 這么優(yōu)質(zhì)的存儲器都用在了哪里呢?今天小編就為大家梳理一下FRAM的應(yīng)該領(lǐng)域。 物聯(lián)
2021-10-28 10:26:562565

ST系列FRAM MCU開發(fā)方案

便攜式和無線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器,集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身,但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046

FRAM存儲器芯片集成到汽車EDR設(shè)計中

本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況,以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設(shè)計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086

非易失性存儲FRAM的常見問題解答

什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是一種非易失性存儲器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取存儲器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741

鐵電存儲FRAM

鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點: 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時寫入功能的FRAM存儲

FRAM存儲器提供即時寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯誤率,以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣,因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327

鐵電存儲FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697

國芯思辰|對標(biāo)賽普拉斯FM25V01-G,拍字節(jié)鐵電存儲器(FRAM)PB85RS128用于舞臺音響上,擦寫高達100萬次

舞臺音響是一種用于舞臺演出的音響設(shè)備,舞臺音響通常會采用外掛小容量的器件來存儲數(shù)據(jù),因此就要求存儲器具有安全、可靠的特性。下圖為舞臺音響的原理框圖,在本方案中,存儲采用拍字節(jié)的鐵電存儲器(FRAM
2022-11-25 09:27:52474

什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417

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