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電子發(fā)燒友網(wǎng)>EDA/IC設(shè)計(jì)>DDR怎么學(xué)習(xí),從仿真開(kāi)始

DDR怎么學(xué)習(xí),從仿真開(kāi)始

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電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-08 09:13:44

基于Cadence的DDR仿真設(shè)計(jì)

通過(guò)Cadence軟件建立DDRⅡ信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、仿真信號(hào)的串?dāng)_、碼間干擾、過(guò)沖等與信號(hào)質(zhì)量相關(guān)的參數(shù),從仿真波形中可以測(cè)量出與信號(hào)時(shí)序相關(guān)的參數(shù),從而計(jì)算出信號(hào)的時(shí)序裕量,并為DDR
2012-02-13 15:16:2252

DDR仿真總結(jié)#硬聲創(chuàng)作季

DDR
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-09 14:47:09

基于Xilinx的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)控制器的用戶接口設(shè)計(jì)與仿真

基于Xilinx的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)控制器的用戶接口設(shè)計(jì)與仿真,本設(shè)計(jì)通過(guò)采用多路高速率數(shù)據(jù)讀寫操作仿真驗(yàn)證,可知其完全可以滿足時(shí)序要求,由綜合結(jié)果可知其使用邏輯資源很少,運(yùn)行速
2013-01-10 14:12:452990

MPC8379E與DDR2之間的PCB布線及仿真設(shè)計(jì)

研究了MPC8379E處理器的相關(guān)資料和DDR2的特性,以及它們之間PCB布線的規(guī)則和仿真設(shè)計(jì)。由于MPC8379E和DDR2都具有相當(dāng)高的工作頻率,所以他們之間的走線必須滿足高速PCB布線規(guī)則,還要結(jié)
2013-03-12 15:22:2680

DRAM開(kāi)始松動(dòng),連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先走跌

繼儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格走跌之后,原本報(bào)價(jià)尖挺的DRAM也開(kāi)始松動(dòng),其中,連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先走跌,臺(tái)灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品,將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:143377

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341

DDR仿真處理多級(jí)IO的慣性延遲問(wèn)題

DDR驗(yàn)證是任何SoC中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因?yàn)樗婕拔挥贒UT內(nèi)部的控制器和位于DUT外部的外部DDR存儲(chǔ)器。 DDR系統(tǒng)由控制器,I/O,封裝,插座,電源,時(shí)鐘和外部存儲(chǔ)器組成,它們共同
2019-08-12 11:29:173917

DDR3和DDR4的設(shè)計(jì)與仿真學(xué)習(xí)教程免費(fèi)下載

DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000

美光最新DDR5內(nèi)存開(kāi)始出樣,性能更強(qiáng)功耗更低

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:244664

美光宣布開(kāi)始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:382778

DDR串?dāng)_仿真的使用指導(dǎo)書詳細(xì)概述

首先按PowerSI提取s參數(shù)仿真指導(dǎo)書步驟將DDR的PORT點(diǎn)設(shè)置好(如下圖所示)并提取出s參數(shù)
2020-04-14 08:00:000

DDR內(nèi)存條為例教你進(jìn)行SI仿真

容易引起電路的 SI 問(wèn)題,信號(hào)測(cè)試驗(yàn)證也變得越來(lái)越困難。一般 DDR 信號(hào)測(cè)試、仿真驗(yàn)證,大多數(shù)用 SPEED2000,大家在學(xué)習(xí) DDR 仿真前,可以先補(bǔ)充 SPEED2000 的時(shí)域波形仿真
2023-02-07 16:37:34896

DDR仿真需要提取多少頻率 不同的頻率對(duì)波形有何差別

DDR仿真作為一個(gè)非常普遍的仿真模塊,基本上入門SI行業(yè)的人都會(huì)首先接觸到。記得本人剛接觸這個(gè)行業(yè)的時(shí)候,也是先接觸DDR模塊的仿真。從DDR2到DDR4,可能很多同行都一直使用同一套的仿真方法
2021-03-31 14:01:182448

國(guó)內(nèi)廠商已開(kāi)始布局DDR5內(nèi)存明年量產(chǎn)

DDR5的量產(chǎn)。 有知情人透露,嘉合勁威目前正積極與芯片廠商溝通,引入和研發(fā)最新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù),并且已經(jīng)開(kāi)始籌備DDR5生產(chǎn)線,最快將在2021年的第二季度推出單條16GB的DDR5內(nèi)存條。 雖然,嘉合勁威不太可能是全球最早推出DDR5內(nèi)存條的廠商,不過(guò)很有可能
2020-12-08 17:14:252447

如何利用ADS仿真軟件輔助進(jìn)行DDR的電路仿真?

前言 上文中,我們介紹了DDR芯片的物理層及協(xié)議測(cè)試,本文我們繼續(xù)給大家揭秘如何利用是德科技的ADS仿真軟件輔助進(jìn)行DDR的電路仿真,驗(yàn)證和分析。 是德科技ADS簡(jiǎn)介 是德科技PathWave
2021-05-17 09:28:0510208

新建仿真工程如何開(kāi)始仿真

4.1 新建仿真工程在開(kāi)始動(dòng)手仿真之前,首先,我們需要?jiǎng)?chuàng)建一個(gè)文件夾用來(lái)放置我們的 ModelSim 仿真工程文件,這里我們就在之前創(chuàng)建的 Quartus 工程目錄下的 simulation 文件夾中創(chuàng)建一個(gè)manual_modelsim 文件夾。
2022-07-11 11:05:211152

DDR I/II總線的仿真分析方法

DDR2總線的仿真方法,基于Agree公司最新的網(wǎng)絡(luò)處理器APP300和HY的 DDR2 SDRAM HY5PS121621。
2022-10-21 16:09:580

DDR設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)詳解

DDR2設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)詳解。
2022-10-24 15:10:182

FPGA學(xué)習(xí)-DDR3

一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915

從數(shù)字硬件工程師“跨界”DDR仿真與測(cè)試之路

第一次接觸DDR仿真我也是比較茫然的,首先各種仿真軟件基本沒(méi)有使用過(guò),研究生階段雖然使用過(guò)ADS、HFSS等仿真軟件,但主要還是進(jìn)行無(wú)源鏈路的仿真
2023-02-11 09:59:441011

DDR3緩存模塊仿真平臺(tái)構(gòu)建步驟

復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905

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