往往會采用常見的機(jī)械零件和工具所對應(yīng)微觀模擬元件，例如它們可能包含通道、孔、懸臂、膜、腔以及其它
結(jié)構(gòu)。然而，
MEMS器件加工
技術(shù)并非機(jī)械式。相反，它們采用類似于集成電路批處理式的微制造
技術(shù)?！ 〗裉?/div>
2018-11-07 11:00:01
哪位大佬可以詳細(xì)介紹下MEMS技術(shù)到底是什么
2020-11-25 07:23:59
通常在毫米或微米級，具有重量輕、功耗低、耐用性好、價格低廉等優(yōu)點(diǎn)，是近年來發(fā)展最快的領(lǐng)域之一。下面讓我們來領(lǐng)略一下應(yīng)用MEMS技術(shù)的黑科技吧。1、膠囊胃鏡重慶金山科技有限公司生產(chǎn)的膠囊胃鏡，為消費(fèi)者開創(chuàng)
2018-10-15 10:47:43
靈敏度的應(yīng)用中，ECM產(chǎn)品具有單向或噪聲消除方向性。它們的寬范圍工作電壓也適用于具有松散調(diào)節(jié)電壓軌的應(yīng)用。選擇合適的麥克風(fēng)最終，您選擇的麥克風(fēng)技術(shù)取決于項目的限制。雖然MEMS麥克風(fēng)由于其眾多的內(nèi)在優(yōu)勢
2019-02-23 14:05:47
。加工工藝：MEMS技術(shù)基于已經(jīng)相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝
2016-12-09 17:46:21
的微型器件研究，還有很多創(chuàng)新工作要做，不然就會面臨發(fā)展停滯的風(fēng)險。技術(shù)優(yōu)勢：用MEMS工藝制造傳感器、執(zhí)行器或者微結(jié)構(gòu)， 具有微型化、集成化、智能化、成本低、效能高、可大批量生產(chǎn)等特點(diǎn)， 產(chǎn)能高，良品率
2018-11-12 10:51:35
智能化的特點(diǎn)， 經(jīng)過四十多年的發(fā)展，已成為世界矚目的重大科技領(lǐng)域之一。它涉及電子、機(jī)械、材料、物理學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)等多種學(xué)科與技術(shù)，具有廣闊的應(yīng)用前景。在眾多汽車傳感器中，有越來越多的MEMS
2022-10-18 18:28:49
MEMS全稱微型電子機(jī)械系統(tǒng)，相比于傳統(tǒng)的機(jī)械，MEMS的尺寸更小，其大小在幾微米及一個厘米之間，而厚度則更加微小。MEMS的生產(chǎn)技術(shù)與集成電路類似，可以大量套用集成電路生產(chǎn)中的技術(shù)、工藝等進(jìn)行大批量、低成本生產(chǎn)。因此，性價比會有很大的提升。
2020-08-18 07:19:30
結(jié)構(gòu)材料，而不是使用基材本身。[23]表面微機(jī)械加工創(chuàng)建于1980年代后期，旨在使硅的微機(jī)械加工與平面集成電路技術(shù)更加兼容，其目標(biāo)是在同一硅晶片上結(jié)合MEMS和集成電路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅
2021-01-05 10:33:12
更廣泛的狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用的可行選擇。與諧振頻率高達(dá)50千赫，和噪聲密度水平下降到25μ加速度計克 √Hz的是現(xiàn)在可以對專門的MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)。信號調(diào)理電子設(shè)備的精心設(shè)計充分利用了這些新型加速度計的低
2018-10-29 17:11:46
MEMS技術(shù)制造開關(guān)的四個主要步驟。開關(guān)建構(gòu)在一個高電阻率硅晶圓(1)上，晶圓上面沉積一層很厚的電介質(zhì)，以便提供與下方襯底的優(yōu)良電氣隔離。利用標(biāo)準(zhǔn)后端CMOS互連工藝實現(xiàn)到MEMS開關(guān)的互連。低電阻率
2018-10-17 10:52:05
了通過體加工和表面加工方法、利用壓阻、電容和光學(xué)技術(shù)制備的基于洛倫茲力的MEMS磁傳感器，并介紹了各種結(jié)構(gòu)磁傳感器的靈敏度、品質(zhì)因子、噪聲和探測極限等特性。隨著納米技術(shù)、集成化技術(shù)以及封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，更多高性能、同時可監(jiān)測多個物理量的智能傳感器會不斷出現(xiàn)。
2018-11-09 10:38:15
MEMS裝配技術(shù)的公司是不會公開他們經(jīng)驗的，這是一個保密的行業(yè)，以后也是如此?！痹S多PCB裝配問題都會影響靈敏度，比如說焊點(diǎn)就有較大的影響，這主要是由于機(jī)械而非電氣性原因。在決定碰撞時感應(yīng)器的感應(yīng)強(qiáng)度
2014-08-19 15:50:19
2. MEMS麥克風(fēng)的SEM圖像圖3. MEMS麥克風(fēng)的橫截面由于幾何結(jié)構(gòu)在制造工藝中受到嚴(yán)格控制，因此不同麥克風(fēng)的實測性能具有高度可重復(fù)性。利用MEMS技術(shù)構(gòu)建麥克風(fēng)的另一個優(yōu)勢是薄膜極小，因此其
2019-11-05 08:00:00
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
分為兩大類：一類稱為無 源MEMS，其結(jié)構(gòu)無可動零 件；另一類稱為有源MEMS，有可動結(jié)構(gòu)，在電 應(yīng)力作用下，可動零件會 發(fā)生形變或移動。其關(guān)鍵 加工技術(shù)分為四大類：平 面加工技術(shù)、體硅腐蝕技 術(shù)、固相
2017-07-13 09:14:06
<br/>? 九. 檢驗工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動貼裝設(shè)備的設(shè)計制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競成----無鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
什么是RF MEMS？有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件？微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem)，簡稱MEMS，是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的，以硅、砷化鎵、藍(lán)寶石等為襯底
2019-08-01 06:17:43
和日趨完善。 全自動貼裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對設(shè)備依賴性最強(qiáng)的一個工序，整個SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
技術(shù)的特有工藝MEMS器件與IC芯片的制備工藝非常相似，但MEMS器件有兩個重要特征：高深寬比的微結(jié)構(gòu)和懸臂結(jié)構(gòu)，因此需要一些特有的工藝來制備。第一項特有工藝是用于制備高深寬比結(jié)構(gòu)的LIGA技術(shù)
2020-05-12 17:27:14
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
MEMS市場動向最近幾年，使用了MEMS技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求及用途大幅增加。MEMS是Micro Electro Mechanical Systems的縮寫，硅電路板上由電路和機(jī)械可活動結(jié)構(gòu)的三維
2019-07-04 06:06:12
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
請詳細(xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
件相適應(yīng),于是制約了整個系統(tǒng)的集成化、批量化和性能的充分發(fā)揮。微型傳感器不是傳統(tǒng)傳感器簡單的物理縮小的產(chǎn)物,而是以新的工作機(jī)制和物化效應(yīng),使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝兼容的材料,通過MEMS 加工技術(shù)制備的新一代
2019-07-24 07:13:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
摘要：采用微機(jī)電系統(tǒng)（ MEMS） 犧牲層技術(shù)制作的壓力傳感器具有芯片尺寸小，靈敏度高的優(yōu)勢，但同時也帶來了提高過載能力的難題。為此，利用有限元法，對犧牲層結(jié)構(gòu)壓阻式壓力傳感器彈性膜片的應(yīng)力分布
2018-11-05 15:27:14
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡介項目名稱：高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù)，該項目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 運(yùn)用單島膜E型硅杯結(jié)構(gòu)設(shè)計及其應(yīng)力分析數(shù)學(xué)模型以及半導(dǎo)體MEMS工藝技術(shù)，在8英寸硅片上設(shè)計并制作出了用于無線網(wǎng)絡(luò)壓力傳感器節(jié)點(diǎn)的敏感元件IC芯片；通過結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化與表面鈍化
2010-11-17 11:45:3030 摘 要：熱風(fēng)整平技術(shù)是目前應(yīng)用較為成熟的技術(shù)，但因為其工藝 處于一個
2006-04-16 21:33:46
1902 無鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢
2006-04-16 21:37:53669 IC工藝技術(shù)問題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動的電源電壓Vcc是選擇IC時要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級
2009-08-27 23:13:38780 釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23659 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們?？梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項，其中有“
2010-02-04 10:41:53742 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 對于PCB抄板工程師來說，除了掌握一定的抄板技術(shù)技巧和軟件應(yīng)用技能之外，還應(yīng)該對各類電路板基板材料有初步的了解，本文我們將為大家介紹一種新的基板--PALUP基板的結(jié)構(gòu)工藝和性
2011-06-23 11:27:051204 雷達(dá)是一個復(fù)雜的電子機(jī)械機(jī)構(gòu)，因此雷達(dá)的結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)在雷達(dá)研制中占有極為重要的地位。結(jié)構(gòu)和工藝不僅是雷達(dá)研制中不可或缺的技術(shù)支撐，而且是雷達(dá)性能和質(zhì)量的重要保證
2011-08-03 17:08:310 MEMS表面微機(jī)械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進(jìn)行的 MEMS 制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結(jié)構(gòu)單元的薄膜。表面微加工工藝采用若
2011-11-01 11:45:2311161 對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 科銳公司（CREE）宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 據(jù)麥姆斯咨詢報道，MEMS代工廠Micralyne展示了用于開發(fā)下一代氣體傳感器的MEMS技術(shù)平臺——標(biāo)準(zhǔn)的硅工藝技術(shù)和工藝模塊。
2017-10-16 17:17:546724 業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13447 據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，領(lǐng)先的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和傳感器代工廠Micralyne在日本“MEMS傳感和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)展會”上展示了用于開發(fā)下一代氣體傳感器的MEMS技術(shù)平臺——標(biāo)準(zhǔn)的硅工藝技術(shù)和工藝模塊。
2018-04-28 15:30:002103 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075 對MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇
2019-04-10 15:20:072356 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 IMT公司專項獎學(xué)金支持未來之才開展創(chuàng)新研究，推動MEMS制造工藝技術(shù)快速發(fā)展。
2019-05-06 14:22:04809 對MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇。采用專門化MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，現(xiàn)在已實現(xiàn)諧振頻率高達(dá)50 kHz、噪聲密度低至25 g/ Hz的加速度計。
2019-05-20 14:14:182628 
在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實現(xiàn)EDA框架和設(shè)計流程的平滑過渡。該工藝技術(shù)層實際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個屬性對象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項等等。
2019-10-08 15:17:412021 
MEMS技術(shù)基于已經(jīng)是相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝實現(xiàn)，必須采用微加工技術(shù)制造。
2019-12-25 10:03:092631 比較。 對MEMS工藝技術(shù)的投資加上設(shè)計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用的可行選擇。采用專門化MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，現(xiàn)在已實現(xiàn)諧振頻率高達(dá)50 kHz、噪聲密度低至25 g/?Hz的加速度計。通過精心設(shè)計的信號調(diào)理電子電路，可
2020-04-09 09:12:311318 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 IBM日前推出一項微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示，這項改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541281 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41237 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 件、電子電路、傳感器、執(zhí)行機(jī)構(gòu)集成在一塊電路板上的高附加值元件。 MEMS工藝 MEMS工藝以成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等常規(guī)半導(dǎo)體工藝流程為基礎(chǔ)。 下面介紹MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)
2021-08-27 14:55:4417759 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學(xué)反應(yīng)機(jī)制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。
2022-10-11 09:59:573731 Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結(jié)構(gòu)在制作 CMOS 之前完成，帶有MEMS 微結(jié)構(gòu)部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:435875 對MEMS工藝技術(shù)的投資，加上設(shè)計創(chuàng)新，極大地提高了MEMS性能，足以使MEMS成為更廣泛的狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用的可行選擇?，F(xiàn)在，通過專門的MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)，可以提高諧振頻率高達(dá)50 kHz，噪聲密度
2023-01-03 11:00:44980 
氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:521177 傳感器公司為例，介紹了他們的MEMS傳感器技術(shù)。更詳細(xì)的技術(shù)干貨，帶你進(jìn)一步揭開MEMS技術(shù)神秘的面紗。01丨開拓—什么是MEMS技術(shù)MEMS的全稱，是Micro-E
2021-10-29 18:24:49554 
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）逐漸成為眾多領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。MEMS器件在諸如傳感器、執(zhí)行器等方面表現(xiàn)出卓越的性能，但要實現(xiàn)這些優(yōu)越特性，對其封裝結(jié)構(gòu)和制造工藝要求極高。本文將詳細(xì)介紹MEMS器件真空封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝。
2023-04-21 14:18:181042 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 本文整理自公眾號芯生活SEMI Businessweek中關(guān)于MEMS制造工藝的多篇系列內(nèi)容，全面、專業(yè)地介紹了MEMS芯片制造中的常用工藝情況，推薦！ ? 作為現(xiàn)代傳感器重要的制造技術(shù)，MEMS
2023-10-20 16:10:351409 
電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽。總結(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171 
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