了5s或更短的讀取延遲，速度提高了10倍，并且定位為新的存儲器層次結(jié)構(gòu)，填補了DRAM和NAND閃存之間的性能差異
2019-08-07 18:11:29
4996 DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出貨量連續(xù)增長，但芯片價格下跌拖累
2019-08-21 09:24:005149 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 邁入2020年，DRAM模組及NAND Flash終端產(chǎn)品現(xiàn)貨價持續(xù)上漲，與存儲顆粒合約價之間的溢價差持續(xù)擴(kuò)大，包括威剛、十銓、廣穎等存儲模組廠對2020年營運展望樂觀，而且看好2020年獲利表現(xiàn)
2020-01-15 09:36:014993 納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:421340 DRAM市場整體規(guī)模將會達(dá)到996億美元，比NAND閃存市場621億美元還高出375億美元，將成為IC行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別。從圖表中就可以看出，在過去5年里，DRAM已成為全球IC市場成長的關(guān)鍵。
2018-03-23 10:45:349152 
就基本的 SSD 存儲單元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受歡迎的，不過，QLC 最終將取代它們。在 I/O 方面，有 SATA 和 NVMe。
2022-08-26 16:41:353275 
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 
的五個最大細(xì)分市場。 DRAM和NAND閃存在2019年保持相同的地位后，有望在2020年再次成為兩個最大的IC領(lǐng)域。今年的銷售額預(yù)計增長3.2％，預(yù)計DRAM市場將達(dá)到近646億美元，比去年增長15
2020-08-05 09:29:065235 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001984 
非易失性的新技術(shù)，力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲形式，因為其特性不同，往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點，但缺點在于
2023-10-09 00:10:001311 執(zhí)行。但是它的集成度很高，成本很低。還有就是它的擦除速度也的NOR要快。其實NAND型閃存在設(shè)計之初確實考慮了與硬盤的兼容性，小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲介質(zhì)大的多
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
該行業(yè)非常重視單個ECC代碼的強度：但經(jīng)常被忽視的是錯誤預(yù)防的強度，這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)绾卧诨?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存的系統(tǒng)中實現(xiàn)最低的故障率？您可能已在工程團(tuán)隊或存儲系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過
2019-08-01 07:09:53
存儲設(shè)備已經(jīng)成為許多嵌入式應(yīng)用中不可缺少的組成部分。要選擇最優(yōu)的存儲介質(zhì)，需要考慮應(yīng)用的具體需求。嵌入式應(yīng)用中最常用的存儲介質(zhì)包括NOR Flash、NAND Flash、SD/MMC卡、大容量存儲
2023-05-18 14:13:37
閃存被廣泛用于移動存儲、數(shù)碼相機、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強勁發(fā)展的帶動， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長， NAND 可望在近期超過 NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
存儲級內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
程序會通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應(yīng)該什么時候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。象“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相
2015-11-04 10:09:56
認(rèn)為每個組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲在非易失性閃存中，在加電時，ARM處理器會自動配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
目前，針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2019-09-27 07:12:52
SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲設(shè)備，與其他存儲設(shè)備相比，它具有以下幾個顯著的優(yōu)點：
高可靠性：SD NAND針對嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計，具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
支持這一永久配置，以便在上電后立即啟動配置過程。又或者，SPI存儲器可在x1模式下退出通電狀態(tài)，從而允許主機系統(tǒng)（FPGA）查詢存儲器中的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)（SFDP）表中的特性。這一x1模式已成為
2021-05-26 07:00:00
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
EVB-USB2250評估板是一款超高速USB 2.0多槽閃存介質(zhì)控制器，帶有CF，SD，MS和xD連接器。 EVB-USB2250評估板演示了獨立的高速大容量存儲類外設(shè)控制器，用于讀取和寫入
2020-06-04 16:34:18
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲器的特性進(jìn)行分割成為一個合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲器，帶寬分割在高水平上，主要有3個
2018-05-17 09:45:35
磁盤、內(nèi)存、閃存、緩存等物理存儲介質(zhì)的區(qū)別計算機系統(tǒng)中存在多種物理存儲介質(zhì)，比較有代表性的有以下幾種介質(zhì)。寄存器(register)高速緩沖存儲器(cache)，即緩存主存儲器...
2021-07-22 08:10:55
。更多人關(guān)注的是，除了華為之外，誰將會成為首個接入鴻蒙的手機品牌。華為消費者業(yè)務(wù)AI與智慧全場景業(yè)務(wù)部副總裁楊海松曾在接受界面新聞采訪時表示，鴻蒙對第三方手機廠商持完全開放態(tài)度。但據(jù)界面新聞了解，國內(nèi)包括OPPO、vivo在內(nèi)的主流廠商目前與鴻蒙僅處于接洽階段，暫未有新進(jìn)展。
2021-05-28 20:36:03
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06909 U盤及微硬盤的存儲介質(zhì) 一、閃存
Flash Memory，即閃存，是一種EEPROM（電可
2010-01-09 14:48:401500 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
目前，針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被
2010-09-01 10:10:031079 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲設(shè)備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲設(shè)計所關(guān)注的問題如壞塊處理從NAND 啟動當(dāng)前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:1076 文中研究并實現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲系統(tǒng),成果為實際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
2012-03-23 11:15:536 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 內(nèi)存市場日益擴(kuò)大，研調(diào)機構(gòu) IC Insights 最新報告預(yù)測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復(fù)合增長率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。
2017-11-28 12:19:39678 NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價格持續(xù)下探，但DRAM價格在服務(wù)器及移動設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 隨著移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長時間儲存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 根據(jù)韓國媒體的報導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:114712 NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 英特爾的戰(zhàn)略非常清晰：同為新一代存儲介質(zhì)，Optane（傲騰）針對的是熱數(shù)據(jù)，提供其所需要的存儲性能；3D NAND（閃存）針對容量型數(shù)據(jù)存儲市場，二者相得益彰。
2018-06-26 11:11:002649 據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
由于閃存的固有設(shè)計，SCM在這塊要好很多。性能問題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫入。將數(shù)據(jù)寫入閃存驅(qū)動器時，無法覆蓋舊信息。它必須在其他地方寫入一個新數(shù)據(jù)塊，并在磁盤I / O暫停時刪除舊文件。
2019-01-28 11:24:384543 存儲級內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:18641 存儲級內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢必會取而代之。 存儲級內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:434471 存儲級內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-02-11 09:02:314112 近日，HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測，在他看來，存儲級內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827 上，西數(shù)透露該技術(shù)介于 3D NAND 與 DRAM 之間，類似于英特爾傲騰和三星 Z-NAND 。其訪問延遲在微妙級，使用 1-bit 或 2-bit 的存儲單元。
2019-03-14 16:08:572708 在本周的活動上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級的延遲，采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。
2019-03-25 14:44:563061 紫光集團(tuán)旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522080 2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 NAND閃存與機械存儲設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非?！笨煽康摹７?wù)器通常具有錯誤檢測（并且可能是校正）電路，但消費者和商業(yè)機器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 存儲級存儲器SCM能夠如同NAND閃存一樣保留其內(nèi)容的能力，也能有像DRAM一樣的的速度，這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-11-24 10:31:221482 四級單元（QLC）NAND正在進(jìn)入企業(yè)領(lǐng)域，它可幫助降低價格，低于目前領(lǐng)先的三級單元（TLC）NAND。四級單元應(yīng)該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地位，盡管有人預(yù)測，存儲級內(nèi)存（SCM）和持久內(nèi)存技術(shù)最終將取代NAND。SCM和持久內(nèi)存可彌合NAND與更快更昂貴的DRAM之間的價格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003353 據(jù)韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。
2019-12-23 14:13:44647 首先，閃存是分為很多標(biāo)準(zhǔn)的。其中，以英特爾、美光、海力士為首的NAND廠商所主打制定的閃存接口標(biāo)準(zhǔn)為“ONFI”，而以三星和東芝陣營為首的NAND廠商當(dāng)前所主打的則是“Toggle DDR”。
2020-04-02 08:00:000 也許SCM最重要的性能優(yōu)勢是它具有非常小的寫入延遲，這是NAND閃存很難實現(xiàn)的。SCM更多搭載在高性能存儲陣列中，雖然它也可用于服務(wù)器。
2020-05-02 22:15:00619 手機和固態(tài)硬盤中用來存儲數(shù)據(jù)的NAND閃存問世于1987年，首次量產(chǎn)則是在4年之后。當(dāng)年的東芝閃存部門如今已經(jīng)成為新的KIOXIA鎧俠，不過NAND閃存的工作原理至今沒有發(fā)生太多的變化。
2020-07-28 14:30:1111215 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機存取存儲器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據(jù)說STT-RAM
2020-08-10 15:30:20832 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 DRAM是目前常見的存儲之一，但DRAM并非唯一存儲器件，NAND也是存儲設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
市場跟蹤數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價格暴跌，韓國科技媒體THE ELEC指出，出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國對華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252140 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價格情況。
2020-12-02 09:51:261705 
歐拉（openEuler）Summit 2021直播會上，歐拉表示立足中國成為首選技術(shù)路線，走向海外成為全球主流生態(tài)，以文化吸引人才，以人才繁榮社區(qū)。
2021-11-10 09:51:141119 
openEuler立足中國成為首選技術(shù)路線，走向海外成為全球主流生態(tài)，以文化吸引人才，以人才繁榮社區(qū)，共創(chuàng)最好的OS，成就更好的未來。
2021-11-10 10:06:581057 
自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機存取存儲器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 NAND 閃存內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET（金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效應(yīng)晶體管）， 與普通場效應(yīng)晶體管的不同之處在于，在柵極（控制柵）與漏極/源極之間存在浮置柵，利用該浮置柵存儲數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231 近日，浪潮信息發(fā)布新一代SSD高速存儲介質(zhì)。這款新品基于NAND算法創(chuàng)新將閃存壽命提升40%，通過PCIe 4.0超寬通道、ZNS存儲技術(shù)實現(xiàn)單盤150萬IOPS的同時，還助陣?yán)顺?b class="flag-6" style="color: red">存儲奪得SPC-1性能全球第一，在可靠性、性能以及系統(tǒng)聯(lián)調(diào)優(yōu)化三個層面構(gòu)筑核心競爭力。
2022-05-11 10:34:101987 存儲背后的大腦：NAND 閃存控制器實際上是做什么的？ ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 ， 當(dāng)人們討論存儲時 ， 只會談?wù)?NAND 閃存 ， 而忽略了控制器這一獨立
2022-09-05 14:42:551452 圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存，該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢，但是遠(yuǎn)快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)的特性及使用方法做了簡單總結(jié)和介紹。
2023-01-15 15:07:321306 據(jù)消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503 但是，存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說，已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28488 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21550
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