非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
13 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39268 
隨著清潔、可持續(xù)能源需求的日益增長(zhǎng)，儲(chǔ)能技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。而儲(chǔ)能液冷系統(tǒng)，以其獨(dú)特的工作原理和顯著優(yōu)勢(shì)，正成為引領(lǐng)能源存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新的先鋒。本文將深入剖析儲(chǔ)能液冷系統(tǒng)的工作原理、優(yōu)勢(shì)及其在能源行業(yè)中的核心作用。
2024-03-12 16:06:29113 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
前言NANDFlash和NORFlash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORFlash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989
2024-03-01 16:45:33730 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲(chǔ)器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場(chǎng)景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
兒童玩具的發(fā)展一直在不斷創(chuàng)新，而SD NAND作為一種多功能存儲(chǔ)器，為兒童玩具帶來了全新的應(yīng)用體驗(yàn)。無論是音樂和故事播放器，還是教育游戲和應(yīng)用，甚至是圖像和視頻存儲(chǔ)，SD NAND都能發(fā)揮重要作用。
2024-01-31 16:47:16230 
宋仕強(qiáng)說，薩科微slkor金航標(biāo)kinghelm一直在技術(shù)上不斷創(chuàng)新，并將這些新技術(shù)應(yīng)用于公司的產(chǎn)品中，推出的新產(chǎn)品，這讓我們比同行發(fā)展快一些，同時(shí)也使得我們獲得了更多的行業(yè)話語權(quán)和影響力，對(duì)接
2024-01-31 11:38:47
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
閃存技術(shù)，通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全特性。這種技術(shù)結(jié)合了 NAND 閃存的高密度存儲(chǔ)能力和安全性能。它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
文章目錄介紹創(chuàng)世SD卡引腳與NORFlash存儲(chǔ)比較介紹SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一種安全數(shù)字NAND閃存技術(shù)，通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全
2024-01-24 18:29:55373 
在本文中，我們將Mos Memory分為DRAM和NAND閃存，并嘗試從各公司的價(jià)格趨勢(shì)和銷售（份額）趨勢(shì)來預(yù)測(cè)全球市場(chǎng)何時(shí)完全復(fù)蘇。在這個(gè)過程中，筆者想表明在存儲(chǔ)器制造商之間，可以看到明顯的盛衰。
2024-01-19 09:36:11127 
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466
SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備，與其他存儲(chǔ)設(shè)備相比，它具有以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)：
高可靠性：SD NAND針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計(jì)，具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21549 近日，國(guó)內(nèi)知名存儲(chǔ)器制造企業(yè)佰維科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“佰維”)欣然宣告，其在DRAM技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破——成功研發(fā)并量產(chǎn)了符合CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊。這不僅對(duì)于我國(guó)信息技術(shù)創(chuàng)新有著重大意義，更是對(duì)于全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)產(chǎn)生了積極影響。
2023-12-27 11:41:00225 從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003895 增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 
本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見，在本文中除特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx。 STM32F10xxx內(nèi)嵌的閃存存儲(chǔ)器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫。
2023-11-28 15:16:56
2 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17909 
11月15日，智芯公司通信芯片示范應(yīng)用項(xiàng)目《面向新能源接入的電力物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)示范應(yīng)用》入選“2023年度綠色技術(shù)創(chuàng)新典型案例”。
2023-11-21 09:59:01657 。CSNP4GCR01-AMW是一種基于NAND閃存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存儲(chǔ)；而CSNP32GCR01-AOW是一種基于NAND閃存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存儲(chǔ)。與原始NAND相比其具有
2023-11-15 18:07:57
后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面：美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289 但是，存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說，已經(jīng)從dram開始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34815 從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯國(guó)際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個(gè)月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在近期的閃存峰會(huì)上，一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM，一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 9月21日-22日，由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟、深圳市存儲(chǔ)器行業(yè)協(xié)會(huì)主辦，廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)和深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)辦，愛集微咨詢（廈門）有限公司承辦的GMIF2023全球存儲(chǔ)器行業(yè)創(chuàng)新論壇在深圳隆重召開
2023-09-26 13:51:45347 
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
賦能，載譽(yù)而歸。此次華大北斗斬獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)，再次體現(xiàn)了其在北斗GNSS衛(wèi)星導(dǎo)航定位芯片領(lǐng)域收獲的行業(yè)認(rèn)可。未來，公司將繼續(xù)通過核心產(chǎn)品研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)布局，為推動(dòng)北斗規(guī)模應(yīng)用貢獻(xiàn)“中國(guó)芯”力量。
2023-09-22 14:46:30
據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長(zhǎng)。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021021 庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
消息人士補(bǔ)充說：“盡管
nand閃存價(jià)格上漲，但中國(guó)
存儲(chǔ)器模塊企業(yè)最近停止了價(jià)格供應(yīng)和訂單。預(yù)計(jì)不久就會(huì)上調(diào)價(jià)格，因此模塊企業(yè)計(jì)劃將價(jià)格上調(diào)8至10%?！?/div>
2023-08-18 09:47:25285 技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中，由于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58422 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 14:51:44
在amd之前，世界第三大存儲(chǔ)器企業(yè)美光、amat等幾家美國(guó)企業(yè)也決定對(duì)印度進(jìn)行新投資。美光科技公司投資8.25億美元，正在印度古吉拉特邦建設(shè)dram和nand閃存測(cè)試設(shè)施，amat計(jì)劃投資4億美元，在班加羅爾建立工程中心。
2023-08-02 10:52:44453 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
、可穿戴設(shè)備、汽車、AI/ML、數(shù)據(jù)中心和娛樂應(yīng)用等領(lǐng)域。佰維自2019年以來已連續(xù)多年參會(huì)，此次亮相FMS2023，公司將重點(diǎn)展示 嵌入式存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ) 解決方案，分享存儲(chǔ)技術(shù)及應(yīng)用案例。 ? ? 峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，佰維將分享的系列存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要包括：面向手機(jī)、平板、智能穿戴、智能車載、工業(yè)
2023-07-28 16:35:12278 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 
隨著行業(yè)景氣度反轉(zhuǎn)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈條企業(yè)也加快產(chǎn)業(yè)鏈布局，除了兆易創(chuàng)新，北京君正等股票，東芯股份、普冉股份等企業(yè)外，萬潤(rùn)科技、力源信息，香農(nóng)芯創(chuàng)、國(guó)芯科技的儲(chǔ)存等企業(yè)也多接近概念，加速dram、nand閃存在半導(dǎo)體領(lǐng)域突圍。
2023-07-14 09:24:23316 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198 ，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325865 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存儲(chǔ)器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5% 以試探市場(chǎng)反應(yīng)，并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒：蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 
4 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲(chǔ)器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個(gè)區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 
存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場(chǎng)用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位，因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031193 
了其他配置，但沒有成功（從 LUT 讀取序列中刪除頁面編程指令，為什么它在那里？）：
0x47fd
0x2b20
0x0f14
0x3b10
0x0000
您是否有用于 Micron 閃存
2023-05-22 09:35:01
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時(shí)都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462538 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體
2023-03-30 14:18:4815276 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile 存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 時(shí)鐘頻率：- 技術(shù)：NAND Flash 存儲(chǔ)器接口類型：- 存儲(chǔ)器容量：4Gb
2023-03-24 15:09:04
存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile 存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 時(shí)鐘頻率：- 技術(shù)：NAND Flash 存儲(chǔ)器接口類型：- 存儲(chǔ)器容量：8Gb
2023-03-24 15:09:04
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論