長鑫存儲DRAM芯片投產(chǎn) 力爭未來成為這個領域的領先者

最新消息，今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。投產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

花錢買來的技術

在如今的全球半導體產(chǎn)業(yè)，三星，SK海力士，美光牢牢把持著內(nèi)存市場，這三家的專利對后來者形成了一種巨大的壁壘，然而長鑫是如何突破重圍的呢？這就要提一家已經(jīng)破產(chǎn)了的公司——奇夢達。這家公司還活著的時候，是能夠與三巨頭分庭抗禮的存在，當年全球 DRAM 技術架構分為兩大陣營，一種是溝槽式技術（Trench），以奇夢達為代表，另一種是堆疊式技術（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

奇夢達在溝槽式技術（Trench）遇到技術瓶頸之后，立刻轉(zhuǎn)向堆疊式技術 Buried Wordline （埋入式閘極字元線連結），并且成功的以65 nm 工藝試產(chǎn)，生產(chǎn) 1Gb 的 DDR2 產(chǎn)品，更重要的是，46 nm 產(chǎn)品已在實驗室進行研發(fā)完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技術與上一代 58 nm 技術相較，晶圓數(shù)量增加達到 1 倍，當時業(yè)界認為奇夢達雖然剛從溝槽式，成功轉(zhuǎn)至堆疊式，但 BuriedWordline 技術非常具有競爭力。

可惜的是，奇夢達沒有熬到智能機爆發(fā)就已經(jīng)撐不下去了，沒有錢投入全新的 Buried Wordline 技術，公司后來宣布破產(chǎn)收場，成為 DRAM 產(chǎn)業(yè)史上徒留遺憾的一頁。奇夢達倒下后，幾經(jīng)輾轉(zhuǎn)，長鑫將奇夢達一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，成功規(guī)避美光、三星、SK 海力士的技術專利問題，而且是花錢就可以買到的技術，這也是長鑫最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發(fā)線，耗資超過25億美元，展開世界速度的快速迭代，并且行事低調(diào)的長鑫已經(jīng)擁有16000項專利。

意料之外的10nm

合肥長鑫成立于2016年6月，該項目是迄今為止安徽省單體投資規(guī)模最大的工業(yè)項目，將建成國內(nèi)規(guī)模最大、技術最先進的首個自主研發(fā) DRAM 制造基地。按照原有計劃，合肥長鑫的節(jié)奏是這樣的：2018年底，合肥長鑫將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲器的工程樣品；2019年底有望達到2萬片/月的產(chǎn)能；2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設；2021年要完成對17nm工藝節(jié)點的技術研發(fā)。

如今長鑫儲存剛好趕在十一這個節(jié)點上，超額完成任務，實現(xiàn)了8Gb DDR4的量產(chǎn)，把從奇夢達獲得的46nm堆棧式DRAM平穩(wěn)過度到10nm級別，甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現(xiàn)，力爭未來成為這個領域的領先者。

加入高端半導體俱樂部

全球半導體聯(lián)盟GSA日前宣布，合肥長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明將成為聯(lián)盟董事會成員。全球半導體聯(lián)盟在全球擁有來自超過25個國家和地區(qū)的250多家企業(yè)會員，代表著產(chǎn)值4500億美元的半導體產(chǎn)業(yè)中70%的力量，涵蓋了從初創(chuàng)公司到行業(yè)巨頭的公共和私營企業(yè)，其中100家為上市公司。聯(lián)盟領導層由半導體及相關高科技行業(yè)的技術和商業(yè)領袖組成，其董事會成員包括來自英特爾、三星、超微半導體（AMD）、安謀科技（ARM）、高通、應用材料等全球半導體巨頭的高級負責人。

此前，中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官趙海軍是董事會內(nèi)唯一代表中國大陸半導體企業(yè)的成員，這次朱一明的加入代表著國產(chǎn)儲存正式邁進高端玩家俱樂部，使得國產(chǎn)半導體在國際舞臺中再多了一份話語權。

紫光組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部

紫光集團今年6月份組建了DRAM內(nèi)存事業(yè)部，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO，正式進軍內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)，重慶的工廠預計今年底動工，2021年量產(chǎn)，工期約為兩年左右。

從紫光之前公布的信息來看，得益于在長江存儲等公司上的積累，紫光集團已經(jīng)組建了一只龐大的科研隊伍，存儲芯片方面的研發(fā)人員超過2000人，這是紫光建設內(nèi)存工廠、研發(fā)生產(chǎn)內(nèi)存的基礎。紫光目前的主流內(nèi)存仍是DDR3，不過DDR4具備世界主流設計水平，目前正在開發(fā)中，預計年底前完成并推向市場，但是產(chǎn)能無法保證，產(chǎn)品銷量不會太大。

平衡何時能被打破？

目前全球的內(nèi)存主要控制在韓國三星、SK海力士及美國美光三家公司中，他們占據(jù)的內(nèi)存市場份額高達95%，國產(chǎn)儲存在產(chǎn)品上已經(jīng)在慢慢崛起，下一步面臨的問題的如何與前輩們搶市場。好在我們有一個巨大的需求市場，根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2018年，中國進口了3120億美元的芯片，其中存儲芯片高達1150億美元，這1150億美元的存儲芯片中，高達97%的是DRAM和FLASH。在強大的需求下，國產(chǎn)儲存定能先滿足內(nèi)需，然后一步步的走出去。