美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來改善
2019-08-20 10:22:36
7258 據(jù)臺灣媒體報道, 3月25日，三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計(jì)劃，訪問速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上提高一倍，并提供迄今為止最大的容量，從而加速數(shù)據(jù)中心和超級計(jì)算機(jī)的轉(zhuǎn)型。三星稱，DDR5 速度高達(dá)
2021-03-25 14:17:1511071 ，隨著近期DRAM內(nèi)存的價格普遍開始下降，跟隨這一趨勢的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價格為何一開始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:008644 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522187 代。SPICE 瞬態(tài)模擬器不再是最新 DDR5 和 LPDDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的正確方法。 新標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和DRAM上增加了均衡（EQ），而傳統(tǒng)的仿真工具無法在這種復(fù)雜性下進(jìn)行建模。 圖1.DDR5 標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和 DRAM 上增加了均衡 （EQ）。 輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范
2022-12-07 14:34:271944 
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬。
2020-09-09 11:48:39793 作為國產(chǎn)存儲品牌的領(lǐng)袖，擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前，嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:442591 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒現(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準(zhǔn)備
2021-04-27 09:00:0013496 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-25 08:00:004032 國產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
Error Correction Code)
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
了，對于PCB工程師來說絕對是福音。綜合以上的一些重大改善，廠家們還給出了更為直觀的“宣傳廣告”，用數(shù)據(jù)來說明DDR5對整個內(nèi)存總帶寬的巨大提升作用！ 說到引腳數(shù)，我們也可以看看DDR5顆粒的引腳情況哈
2021-08-12 15:42:06
通過 ODT 同時管理所有內(nèi)存顆粒引腳的信號終結(jié)，并且阻抗值也可以有多種選擇，內(nèi)存控制器可以根據(jù)系統(tǒng)內(nèi)干擾信號的強(qiáng)度自動調(diào)整阻值的大小?！比珙}，DDR2和DDR3的ODT功能只存在DQ，DQS和DM中，而這三個信號不存在多顆粒共用情況，都是每片DRAM顆粒獨(dú)立工作，怎么能起到抑制反射的作用呢？
2018-01-19 09:43:18
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
方面的穩(wěn)定與專注，使三星成為為數(shù)不多的幾個能夠在經(jīng)濟(jì)危機(jī)后繼續(xù)增長的公司之一。 1998年2月三星電子開發(fā)出世界第一個128MB同步DRAM以及128MBFlash內(nèi)存。 7月三星電子開發(fā)出世界最小
2019-04-24 17:17:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
，DDR5 CAC信號的ODT閃亮登場！我猜最激動還是Layout攻城獅：DDR5的CAC信號有了ODT功能，PCB布線約束可以放寬松了嗎？畢竟，哪里信號質(zhì)量差就可以端接哪里，So easy。帶著這個
2022-12-28 14:47:13
的內(nèi)存需求。我們在業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了5600 MT/s的性能，現(xiàn)在我們再度突破，將第三代DDR5 RCD的性能提升到6400 MT/s，為新一代RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存保駕護(hù)航?！盜DC內(nèi)存半導(dǎo)體部門副總裁
2023-02-22 10:50:46
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2021-05-28 19:17:34
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2020-11-09 18:14:17
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
個單元的堆疊，如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB。據(jù)DIGITIMES報道，三星電子、SK海力士和美光科技均已擴(kuò)大其DDR5芯片產(chǎn)量，旨在加速行業(yè)從DDR4向DDR5的過渡。消息人士稱
2022-10-26 16:37:40
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
與DDR2供給吃緊帶動整體平均售價上揚(yáng)。而在整體DRAM廠DRAM營收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達(dá)24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨(dú)立出來
2008-05-26 14:43:30
，相信應(yīng)該是相當(dāng)大部分網(wǎng)友首次看到的干貨了，希望大家能有所收獲哈。 高速先生在DDR5規(guī)范發(fā)布后不久就成功拿到了DDR5顆粒的模型，然后迫不及待的打開來看看模型的一些描述。關(guān)于DDR5技術(shù)對信號質(zhì)量
2021-08-19 17:33:47
ofweek電子工程網(wǎng)訊 據(jù)英國路透社10月13日報道，韓國科技業(yè)巨擘三星電子當(dāng)天發(fā)布業(yè)績初估稱，第三季營業(yè)利潤可能較上年同期增長近兩倍，創(chuàng)下新高，并優(yōu)于分析師預(yù)期，因內(nèi)存芯片價格強(qiáng)勁可能推高了
2017-10-13 16:56:04
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
深圳帝歐電子高價專業(yè)回收三星字庫，回收DDR，收購DDR。帝歐電子具有以下優(yōu)勢：壹、實(shí)力雄厚、資金充裕，可以一次性現(xiàn)金收購200萬以內(nèi)的庫存。貳、全面而專業(yè)的評估團(tuán)隊(duì)。由20多名有數(shù)十年經(jīng)驗(yàn)的評估
2021-01-11 18:18:34
(16GB)(TLC,5.1) 大量收購內(nèi)存顆粒 收購各個品牌內(nèi)存顆粒，收購東芝 內(nèi)存顆粒,收購三星內(nèi)存顆粒 收購現(xiàn)代內(nèi)存顆粒，回收美光內(nèi)存顆粒，回收閃迪內(nèi)存顆粒，收購金士頓內(nèi)存顆粒！?。￠L期專業(yè)回收手機(jī)指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2020-12-16 17:31:39
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2021-01-11 18:16:12
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2021-11-13 16:15:12
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2020-12-14 16:00:38
：MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU，收購三星高通CPU，優(yōu)選帝歐電子！帝歐還回收庫存電子，高價回收電感，回收電解電容
2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因?yàn)槲业膽?yīng)用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設(shè)置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
DDR5 RAM具有哪些新功能？
2021-06-21 06:21:20
高價回收三星芯片高價回收三星芯片，專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收，高價收購ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41
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2021-09-23 19:20:15
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2021-02-23 17:54:12
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451296 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:12
0 下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達(dá)32Gb，并預(yù)計(jì)會在2020年開始商用。 很多人會把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆，實(shí)際上兩者應(yīng)用場合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對比和應(yīng)用場合。
2017-11-15 16:36:0340425 
SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215 日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動時表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:082998 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:244664 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:382779 
美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片，可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:47760 目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:432758 驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:008968 據(jù)外媒報道稱，由于種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。
2020-03-28 10:41:293982 
今年智能手機(jī)用上了LPDDR5新一代內(nèi)存，桌面版的DDR5還要再等等，AMD/Intel兩家的新平臺還沒來。
2020-03-29 20:59:152308 
中應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示，今年預(yù)計(jì)會有不少廠商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:122481 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418076 
，2021 年將在深圳坪山率先實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)。 參數(shù)方面，新一代的內(nèi)存 DDR5，一個 DIMM，兩個通道，將具備更快的速度，有望達(dá)到 4.8Gbps 的速度，比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:361735 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252447 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:552251 DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了，2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場，但是新一代平臺值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512518 繼早前展望了消費(fèi)級 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對 DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924 CES 2021期間，存儲大廠威剛“拿”出了他們的下一代DDR5內(nèi)存，不過不是實(shí)物，只是渲染圖。
2021-01-15 09:44:332353 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會馬上被淘汰，但前景肯定不會多好
2021-02-02 11:27:393279 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203265 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼： MU）今日宣布，已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM （LPDDR5
2021-02-26 12:02:252828 Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn)，三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流）兼容。根據(jù)路線圖，Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092113 日，JEDEC發(fā)布了DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著整個行業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM）過渡。DDR5內(nèi)存帶來了一系列重要改進(jìn)，有望幫助下一代服務(wù)器實(shí)現(xiàn)更好的性能和更低的功耗。以下是DDR5內(nèi)存的五大亮點(diǎn)。
2021-05-01 09:31:002057 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784 2021年10月9日北京訊，全球存儲領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺認(rèn)證，這是一個重要的里程碑，因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個通過英特爾DDR5平臺兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161134 主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費(fèi)下載。
2022-05-16 14:16:2519 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:572298 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 “32Gb
DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm
工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)，并計(jì)劃在明年初推出，”
三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和
三星網(wǎng)絡(luò)研討會上表示（見
三星在下圖中的演示）。“基于 32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市?！?/div>
2022-08-22 10:21:191865 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:483592 （nm）級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54756 
隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42752 
美光公司的1β制造工藝使用本公司的新一代高k金屬柵極工程（hkmg）， 16gb芯片的比特密度和能源效率分別比1a節(jié)點(diǎn)提高35%和15%。新技術(shù)有助于制造ddr5、lpddr5x芯片。
2023-10-11 14:34:37784 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01194 
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881 已全部加載完成
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