0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述:MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器,能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能,用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能,提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了:MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括:MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文,該研究表明,在5nm節(jié)點(diǎn)上,STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
保持新鮮一般說(shuō)明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年(Y2KC)標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),帶有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1556中所有寄存器的訪問(wèn)是通過(guò)一個(gè)字節(jié)寬的接口完成的,如圖1所示。RTC寄存器包含24小時(shí)BCD格式的世紀(jì)、年、月
2020-09-16 17:17:42
非易失性溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL。可通過(guò)軟件寫入 報(bào)警上下限值。DS18B20中很多資料這樣寫,具體使用是什么情況的?誰(shuí)知道,請(qǐng)指教,謝謝加入寫入了上限溫度50 下限溫度-20 超過(guò)這兩個(gè)限度
2020-06-17 05:24:55
一、概述DS18B20數(shù)字溫度傳感器DS18B20數(shù)字溫度傳感器提供9bit到12bit的攝氏溫度測(cè)量精度和一個(gè)用戶可編程的非易失性且具有過(guò)溫和低溫觸發(fā)報(bào)警的報(bào)警功能。DS18B20采用
2021-12-08 06:34:49
~+125℃,在-10~+85℃范圍內(nèi),精度為±0.5℃。1.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)DS18B20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示,主要由4部分組成:64位ROM、溫度敏感元件、非易失性溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。圖中,DQ為數(shù)字信號(hào)輸入/輸出端;VDD為外接供電電源輸入端。1)ROM(Read-Only Memory)
2022-02-23 07:10:07
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說(shuō)明 DS4520是一個(gè)9位非易失性(NV)I/O擴(kuò)展器,具有64
2020-07-02 16:55:41
前言:MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對(duì)比區(qū)別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性,適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取功率為0.8mA/MHz/b,在低功耗待機(jī)模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題:非易失性內(nèi)存有寫入限制,所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些?
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM,按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性,與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫入周期相結(jié)合??刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM(nv SRAM)結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下,nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
在本文中,我們將介紹一種新型的非易失性DRAM,以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件,但并非沒(méi)有缺陷。在本文中,我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí),您可以放心,因?yàn)樵谑覝叵?,它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年,無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走,GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上,加入了多項(xiàng)創(chuàng)新的特性,使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中,我們需要將安全數(shù)據(jù)(例如密鑰)存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出帶有非易失存儲(chǔ)器(EEPROM)的±0.5℃精度數(shù)字溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時(shí)能夠運(yùn)行用戶設(shè)定的配置和溫度調(diào)節(jié)門限,而其他類似的器件
2018-10-29 10:51:29
1、RAM(random access memory):(都屬于易失性存儲(chǔ)器)SRAM:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,6個(gè)晶體管存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù),功耗大,面積大DRAM:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,一個(gè)晶體管和一個(gè)電容存儲(chǔ)一位數(shù)
2021-12-17 06:35:02
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲(chǔ)器
2020-12-31 07:15:20
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻,提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作,通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件,我編寫了VHDL程序,用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有(16位輸入端口)和(16位輸出端口),問(wèn)題是:如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序?如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳?最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法,解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備(如小型 EEPROM 或閃存)中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的,這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)?我使用CYW43907,手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載,我們有一個(gè)困難,顯然制造商沒(méi)有對(duì)NVLS編程,因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問(wèn)題出現(xiàn)(對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP,我們使用在其他板上):如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器?安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
存取速度分類):1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:SRAM、DRAM、FRAM;2、非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強(qiáng)人意的分類為(按易失性分類):1、易
2012-01-06 22:58:43
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
存儲(chǔ)配置數(shù)據(jù)。配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能,改變配置數(shù)據(jù),也就改變了器件的邏輯功能。SRAM編程時(shí)間短,為系統(tǒng)動(dòng)態(tài)改變PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。但由于SRAM的數(shù)據(jù)易失的,配置數(shù)據(jù)必須保存在PLD器件以外的非易失存儲(chǔ)器內(nèi),才能實(shí)現(xiàn)在線可重配置(ICR)。
2019-08-22 06:31:02
在過(guò)去的幾年間,F(xiàn)PGA技術(shù)備受矚目,而快閃FPGA的出現(xiàn)無(wú)疑引發(fā)FPGA領(lǐng)域的一場(chǎng)革命,推動(dòng)了FPGA的進(jìn)一步飛躍。由于PPGA的特性主要由其使用的可編程技術(shù)來(lái)決定,相對(duì)于SRAM FPGA,快閃FPGA具有更好的非易失性,這使其成為FPGA設(shè)計(jì)的更好的選擇。
2019-08-05 07:59:59
優(yōu)勢(shì),但是由于SRAM的易失性,掉電以后芯片中的配置信息將丟失,所以每次系統(tǒng)上電時(shí)都需要重新配置。這就使得剽竊者可以通過(guò)對(duì)FPGA的配置數(shù)據(jù)引腳進(jìn)行采樣,得到該FPGA的配置數(shù)據(jù)流,實(shí)現(xiàn)對(duì)FPGA內(nèi)部
2019-08-23 06:45:21
大家好,芯片是PIC18F46K22。我在16位計(jì)數(shù)器模式中使用Time1。下面的函數(shù)在代碼中定期調(diào)用。每次調(diào)用上述函數(shù)后,Timer1應(yīng)該重置為零。有時(shí)它不是這樣發(fā)生的,但有時(shí)它像預(yù)期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現(xiàn)的問(wèn)題?任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值(僅驗(yàn)證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
在 wiki 中,我發(fā)現(xiàn)了這些行:5.3 非易失性計(jì)數(shù)器↑每個(gè)證書都嵌入了一個(gè)非易失性計(jì)數(shù)器值,該值被檢查以控制防回滾機(jī)制。有兩種非易失性計(jì)數(shù)器: - 可信非易失性計(jì)數(shù)器 - 非可信易失性計(jì)數(shù)器在
2023-02-02 07:32:04
SRAM(nvSRAM)對(duì)于企業(yè)級(jí)SSD的優(yōu)勢(shì)在于能無(wú)需使用或盡可能少用超級(jí)電容或分立電容組,并能通過(guò)單芯片的免電池非易失性RAM技術(shù)就能為傳輸中的SDRAM緩存數(shù)據(jù)和元數(shù)據(jù)可靠備份。以下簡(jiǎn)要介紹
2018-09-26 09:44:52
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲(chǔ)器,它沒(méi)有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題,而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM,按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍,一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽,基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM,按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM,
2010-10-21 09:01:27888 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,
2010-10-22 08:58:38925 DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制
2010-10-22 09:04:04998 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按
2010-11-07 09:37:51770 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685 FEATURES Integrated NV SRAM, Real-Time Clock (RTC), Crystal, Power-Fail Control Circuit
2012-03-19 17:01:1615 DC1747-原理圖
2021-05-12 13:28:570 DC1747A-設(shè)計(jì)文件
2021-06-08 15:52:201 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC1747A-A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有DC1747A-A的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,DC1747A-A真值表,DC1747A-A管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-07 11:00:03
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2022-11-18 20:55:00
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2022-11-18 21:54:47
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2022-11-21 21:02:01
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評(píng)論
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