0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
4112-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4321-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4411S-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4411T-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4412-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4412T-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
4421-DS4096 - Heavy Duty Incremental Rotary Shaft Encoder - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點(diǎn)上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個(gè)字節(jié)寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時(shí)BCD格式的世紀(jì)、年、月
2020-09-16 17:17:42
非易失性溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL。可通過軟件寫入 報(bào)警上下限值。DS18B20中很多資料這樣寫，具體使用是什么情況的？誰知道，請(qǐng)指教，謝謝加入寫入了上限溫度50 下限溫度－20 超過這兩個(gè)限度
2020-06-17 05:24:55
完成16位電流測(cè)量，以及11位電壓和溫度測(cè)量。片上非易失存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)電池的特性數(shù)據(jù)和應(yīng)用參數(shù)。DS27..
2021-12-03 07:38:35
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
前言：MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對(duì)比區(qū)別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C時(shí)的泄漏電流小于55mA，相當(dāng)于每比特的漏電流僅為1.7E-12A。對(duì)于32Mb數(shù)據(jù)，它具有100K個(gè)循環(huán)的耐久性，而對(duì)于1Mb的數(shù)據(jù)可以>1M個(gè)循環(huán)。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵?，它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失數(shù)字電位器(digipot)，器件具有高達(dá)15.5V的輸出電壓。該器件是第一款內(nèi)置溫度傳感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，加入了多項(xiàng)創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出帶有非易失存儲(chǔ)器(EEPROM)的±0.5℃精度數(shù)字溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時(shí)能夠運(yùn)行用戶設(shè)定的配置和溫度調(diào)節(jié)門限，而其他類似的器件
2018-10-29 10:51:29
大家好：關(guān)于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問題要問：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應(yīng)該設(shè)置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設(shè)置為0x02
2018-09-26 10:01:35
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
= 0x00400000,長(zhǎng)度 = 0x003D4000 /* 4096K - 176K (sBAF + HSE)*/
int_itcm：起點(diǎn) = 0x00000000，長(zhǎng)度 = 0x00008000
2023-06-07 08:21:37
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個(gè)困難，顯然制造商沒有對(duì)NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問題出現(xiàn)（對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
存儲(chǔ)配置數(shù)據(jù)。配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變配置數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。SRAM編程時(shí)間短，為系統(tǒng)動(dòng)態(tài)改變PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。但由于SRAM的數(shù)據(jù)易失的，配置數(shù)據(jù)必須保存在PLD器件以外的非易失存儲(chǔ)器內(nèi)，才能實(shí)現(xiàn)在線可重配置(ICR)。
2019-08-22 06:31:02
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計(jì)數(shù)器模式中使用Time1。下面的函數(shù)在代碼中定期調(diào)用。每次調(diào)用上述函數(shù)后，Timer1應(yīng)該重置為零。有時(shí)它不是這樣發(fā)生的，但有時(shí)它像預(yù)期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現(xiàn)的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
The DS3645 is a secure supervisor with 4096 bytes of SRAM for applications requiring the secure
2008-10-16 16:25:19
111 DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級(jí)的密鑰存儲(chǔ)安全保護(hù)。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:30
1105 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231511 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261255 
The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 SPR4096是一個(gè)高性能的4M-bit（512K8-bit）FLASH，分為 256個(gè)扇區(qū)（Sector）每個(gè)扇區(qū)為2K-byte。SPR4096還內(nèi)置了一個(gè)4K8-bit的SRAM。SPR4096串行接口的工作頻率可達(dá)5MHz。SPR4096有兩個(gè)電源輸入端VDDI和V
2012-04-09 15:58:1272 The AS7C4096A is a high-performance CMOS 4，194，304-bit Static Random Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:29:333 The AS7C4096A is a high-performance CMOS 4，194，304-bit Static Random Access Memory （SRAM） device organized as 524，288 words × 8 bits.
2017-09-20 09:41:177 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1250ABP-100+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1250ABP-100+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1250ABP-100+真值表，DS1250ABP-100+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:50:57
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