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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>昂達(dá)瞄準(zhǔn)內(nèi)存市場(chǎng),DDR3面向低端,面向AMD

昂達(dá)瞄準(zhǔn)內(nèi)存市場(chǎng),DDR3面向低端,面向AMD

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iSuppli:明年第2季DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流 11月24日消息,根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè),DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球DRAM市場(chǎng)出貨
2009-11-25 09:21:44511

DDR3將是2010年最有前景市場(chǎng)

DDR3將是2010年最有前景市場(chǎng) 2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世,iSuppli 公司認(rèn)為,它即將成為世
2009-12-15 10:28:14769

臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3  2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑,多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602

IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器

IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器 IDT公司推出首款針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:32646

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701

DDR2和DDR3內(nèi)存的創(chuàng)新電源方案

從那時(shí)起,采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今,DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前,設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033

8GB DDR3低電壓版內(nèi)存也來(lái)了

目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多,但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身:這款產(chǎn)品出自臺(tái)灣廠商Avexir(宇帷)之手,默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241077

AMD內(nèi)存準(zhǔn)備進(jìn)入零售市場(chǎng)

AMD在自有品牌內(nèi)存獲得OEM市場(chǎng)認(rèn)可之后,現(xiàn)在準(zhǔn)備將AMD品牌內(nèi)存推向零售市場(chǎng)。AMD品牌內(nèi)存針對(duì)零售市場(chǎng)有三個(gè)型號(hào),其中AMD Entertainment(娛樂(lè)版)針對(duì)低端市場(chǎng),DDR3-1333規(guī)格;AMD Performan
2011-11-28 09:18:25514

DDR3、4設(shè)計(jì)指南

DDR3DDRDDR4
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-07 22:30:52

DDR3布線參考

DDR3DDR
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-07 22:57:54

DDR3布線參考

DDR3DDR
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-07 22:58:53

DDR3DDR4地址布線

DDR3DDR
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-07 22:59:23

DDR3內(nèi)存條電路圖

內(nèi)存顆粒廠家提供的,DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39471

華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒

華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120

ddr4和ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2330895

紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存詳細(xì)評(píng)測(cè)

國(guó)產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢?值得入手嗎?為了解決大家的疑問(wèn),我們?yōu)榇蠹規(guī)?lái)了紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評(píng)測(cè),幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實(shí)性能。
2018-03-12 13:56:009783

基于DDR3內(nèi)存的PCB仿真設(shè)計(jì)

DDR3內(nèi)存DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分,都采用源同步時(shí)序,即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達(dá)1866Mbps;DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù),明顯提高了存儲(chǔ)帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736

AMD發(fā)布首款DDR4嵌入式處理器

Intel已經(jīng)從服務(wù)器到消費(fèi)級(jí)、從高端到低端徹底完成了DDR4內(nèi)存的轉(zhuǎn)換,AMD這邊則直到今天才真正進(jìn)入DDR4的時(shí)代,但首款產(chǎn)品卻是面向嵌入式領(lǐng)域的R系列APU/CPU,開(kāi)發(fā)代號(hào)“Merlin Falcon”。
2019-06-26 17:07:04723

基于Power PC模塊的DDR3內(nèi)存設(shè)計(jì)分析

DDR3內(nèi)存DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分,都采用源同步時(shí)序,即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達(dá)1866Mbps;DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù),明顯提高了存儲(chǔ)帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-09-18 14:27:031304

DDR3DDR4的設(shè)計(jì)與仿真學(xué)習(xí)教程免費(fèi)下載

DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000

DDR3備受輕薄本板載內(nèi)存青睞 DDR3有何優(yōu)勢(shì)

2020-09-08 16:28:234062

兆易創(chuàng)新自研第一個(gè)產(chǎn)品DDR3, 4Gb將面向利基市場(chǎng)

2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存?別急,雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了,DDR5都要上市了,但DDR3還不會(huì)被淘汰,而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場(chǎng),也就是消費(fèi)電子產(chǎn)品,對(duì)內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341

兆易創(chuàng)新公布自研內(nèi)存進(jìn)展:首發(fā)4Gb DDR3、明年上半年問(wèn)世

DDR3內(nèi)存。 兆易創(chuàng)新在電話會(huì)議中透露,自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計(jì)劃進(jìn)行,目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣,預(yù)期明年上半年會(huì)有產(chǎn)品出來(lái)。 兆易創(chuàng)新表示,自研第一個(gè)產(chǎn)品會(huì)是DDR3, 4Gb,面向利基市場(chǎng)。 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存?別急,雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東
2020-11-03 11:13:592021

DDR5內(nèi)存面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512518

內(nèi)存廠商:DDR內(nèi)存2021年反彈 價(jià)格有望上漲30%

2021年的內(nèi)存市場(chǎng),此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌,Q2季度持平,下半年才會(huì)開(kāi)始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多,三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資,供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少,再加上DDR3低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出
2020-12-31 16:27:012782

AMD銳龍 Threadripper PRO處理器開(kāi)放零售 64核、8通道內(nèi)存

原本面向OEM市場(chǎng)的銳龍 Threadripper PRO處理器這次要零售了,x86最強(qiáng)桌面平臺(tái)來(lái)臨。 去年初AMD推出了銳龍 Threadripper 3000系列處理器,最多64核128線程
2021-01-13 11:13:502555

今年 DDR3 內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲 40%-50%

,DDR4 8Gb 及 4Gb 顆粒的價(jià)格企穩(wěn),與 10 月份相比沒(méi)有發(fā)生變化。 不過(guò),更低端DDR3 內(nèi)存價(jià)格發(fā)生了變化
2021-02-01 18:00:332343

DDR3內(nèi)存突然漲價(jià)50% DDR5內(nèi)存將要上市

了,未來(lái)幾年被取代是水到渠成的,不過(guò)DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域,比如Wi-Fi路由等,它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存,相比DDR4便宜不少,可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能,現(xiàn)在主要廠商是臺(tái)灣的
2021-02-02 11:27:393279

DDR3價(jià)格飛漲 預(yù)上漲40%-50%

2021 年,DDR3內(nèi)存價(jià)格受缺貨影響預(yù)上漲 40%-50%,春節(jié)之后的價(jià)格就已經(jīng)上漲至3.3美元以上;三星2Gb DDR3價(jià)格再創(chuàng)歷史新高,從0.95美元漲至3美元左右。
2021-03-15 15:18:142472

DDR3內(nèi)存或退出市場(chǎng)三星等大廠計(jì)劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長(zhǎng)達(dá)15年,因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái),即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679

FPGA學(xué)習(xí)-DDR3

一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915

DDR3DDR4的技術(shù)特性對(duì)比

摘要:本文將對(duì)DDR3DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089

闡述DDR3讀寫分離的方法

DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56518

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003905

完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450

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