三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號稱是次世代記憶體，是繼半導(dǎo)體存儲器DRAM和NAND Flash之后又一劃時代的創(chuàng)新存儲器
2019-03-06 16:43:28
6428 MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:008872 
半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181961 
MRAM在讀寫方面可以實(shí)現(xiàn)高速化，這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯誤之害。MRAM可以做到與動態(tài)隨機(jī)
2020-11-26 16:23:24
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲（而不是隨時間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
中之外，與其他半導(dǎo)體制造工藝一樣，質(zhì)量控制和良率提高將是一個持續(xù)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇，而且事實(shí)是所有大型半導(dǎo)體代工廠都已將MRAM存儲器作為一種選擇。嵌入式產(chǎn)品意義重大。通過將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中
2020-08-12 17:42:01
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
本文摘自《手機(jī)風(fēng)暴》（Mobile Unleashed），文章詳細(xì)介紹了三星半導(dǎo)體的歷史。原文詳見：https://www.semiwiki.com/forum/content
2021-07-28 07:32:28
預(yù)告明年的存儲器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，三星今年在半導(dǎo)體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
尚未公開。將根據(jù)市場情況等考慮增設(shè)生產(chǎn)設(shè)備，計(jì)劃總投資額最多為70億美元。由三星的全資子公司運(yùn)營。 該工廠將生產(chǎn)垂直疊放存儲元件的3D結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體。三星領(lǐng)先其他公司于2013年在韓國華城工廠率先
2014-05-14 15:27:09
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷的發(fā)展，今天中國半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)有著翻天覆地的變化，標(biāo)有中國logo的半導(dǎo)體廠家已經(jīng)多如牛毛，而昔日的半導(dǎo)體的廠家已經(jīng)逐漸失去了當(dāng)年的光環(huán)，倒退10年時間，三星ARM處理器在中國
2015-04-23 09:23:48
有意將旗下芯片供應(yīng)訂單轉(zhuǎn)移到***半導(dǎo)體制造公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing.co)有關(guān)。該消息已被三星一名匿名高管證實(shí)，如果消息屬實(shí)，這恐怕將意味著三星和蘋果
2012-10-23 17:06:29
PC類別中的競爭力?！蹦壳斑€不清楚三星會對其美國筆記本電腦業(yè)務(wù)做出怎樣的改變。截稿時，三星未就該問題予以回復(fù)。三星是全球最大的智能手機(jī)和平板電腦生產(chǎn)商之一，但在PC領(lǐng)域則相對是新手。以全球出貨量看
2014-09-25 10:32:11
對DRAM價格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味，而更多人擔(dān)心，存儲器產(chǎn)業(yè)也許在未來幾年會有一個大的翻轉(zhuǎn)，已經(jīng)主導(dǎo)需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲器產(chǎn)業(yè)，會不會在MRAM等新技術(shù)出現(xiàn)后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
韓國《每日經(jīng)濟(jì)新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，將現(xiàn)有的兩個研發(fā)機(jī)構(gòu)合二為一，旨在推進(jìn)其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報(bào)道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
隨機(jī)存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開始進(jìn)入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
第三季度銷售額為62.05萬億韓元，同比增加29.8%。凈利潤為11.19萬億韓元。三星第三季度業(yè)績表現(xiàn)不錯，主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片價格持續(xù)高漲以及OLED面板市場供不應(yīng)求。伴隨著三星管理層的重組，加之三星半導(dǎo)體芯片以及OLED面板的擴(kuò)產(chǎn)，可以預(yù)料其第四季度營收也將極為可觀。
2017-11-01 15:56:56
Erasable PROM）?！ 。?） 混合型?！ 《?、半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 ?。?）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
的跨越，裝備產(chǎn)業(yè)將是重要環(huán)節(jié)，其中需要更多的創(chuàng)新，才能引領(lǐng)中國半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展，并推動我國芯片工藝制程和技術(shù)跨越式提升。3DFlash存儲器、人工智能芯片、MEMS/sensor芯片、GaN/SiC功率
2020-12-08 10:18:29
他們的制造能力使得成品率和質(zhì)量達(dá)到了意想不到的水平。隨著這些發(fā)展，美國半導(dǎo)體公司由于競爭力弱大為震驚，甚至恐慌。到20世紀(jì)80年代中期，日本幾乎完全占領(lǐng)了快速增長和技術(shù)需求的DRAM (動態(tài)隨機(jī)存儲器
2020-09-02 18:02:47
基礎(chǔ)設(shè)施，推動5G大規(guī)模的商用部署。這也是8月份國務(wù)院印發(fā)《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》后，對軟件產(chǎn)業(yè)的又一重要扶持。值得注意的是，就在工信部部長發(fā)言的前一天，媒體報(bào)道第三代半導(dǎo)體
2020-09-24 15:17:16
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
、能耗低、電光轉(zhuǎn)換效率高、易于大規(guī)模生產(chǎn)以及價格較低廉等優(yōu)點(diǎn)，在CD激光唱片機(jī)、光纖通信、光存儲器、激光打印機(jī)等獲得廣泛應(yīng)用，范圍覆蓋了整個光電子學(xué)領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和突破，半導(dǎo)體激光器正向發(fā)射波長
2019-04-01 00:36:01
增長率高達(dá)15％，占據(jù)了激光器整體市場份額的四成，是絕對的主導(dǎo)地位。2012－2017年全球半導(dǎo)體激光器市場規(guī)模及增長率（單位：億美元）圖片來自O(shè)Fweek產(chǎn)業(yè)研究院技術(shù)發(fā)展 應(yīng)用領(lǐng)域延伸隨著半導(dǎo)體技術(shù)
2019-05-13 05:50:35
第 4 章 存儲器4.1概述存儲器可分為那些類型現(xiàn)代存儲器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲器分類1.按存儲介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲器
2021-07-29 07:40:10
了各種機(jī)械、電磁、靜電、電氣、光學(xué)以及的特性。各種存儲器/儲存媒介的清單包括：打孔紙卡、沖壓紙帶、延遲線(磁致導(dǎo)線或汞延遲線)、靜電存儲器、電容器、磁鼓、磁帶、磁芯和磁碟、光碟和半導(dǎo)體晶片等等。有些
2017-07-20 15:18:57
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
。 Everspin MRAM技術(shù)可靠 與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲有兩個主要好處。首先，磁極化不會像電荷一樣隨時
2020-08-31 13:59:46
輸入地址代碼指定的那些存儲單元才能與公共的輸入/輸出引腳接通，進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出或寫入。半導(dǎo)體存儲器的種類很多，首先從存、取功能上可以分為只讀存儲器（read only memory 簡稱ROM）和隨機(jī)
2023-02-23 15:24:55
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購?。?！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-10-26 19:13:52
INNOTECH攜手顯示器制造設(shè)備企業(yè)V-Technology進(jìn)入中國大陸市場，為中國企業(yè)銷售半導(dǎo)體存儲器和圖像傳感器用測試設(shè)備，以此扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的中國需求。通過此次業(yè)務(wù)合作，INNOTECH希望能以三方合作
2018-11-16 13:59:37
的“國有超大規(guī)模集成電路實(shí)驗(yàn)室”和垂直一體化經(jīng)營模式相對抗。隨著PC制造產(chǎn)業(yè)鏈在***崛起，大口徑晶圓和大規(guī)模集成電路的微細(xì)工藝，使得巨額設(shè)備投資的折舊成為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的最大成本。剝離半導(dǎo)體制造業(yè)，注重
2018-08-30 16:02:33
一丶存儲器的分類和層次半導(dǎo)體存儲芯片：片選器：用來選取芯片有兩種譯碼驅(qū)動方式：線選法：一維排列，結(jié)構(gòu)簡單，適合容量不大的存儲芯片重合法：二維陣列，適合容量大為什么線選法不適合大的呢？我們以9組
2021-07-23 08:20:14
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
早有計(jì)劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而
2019-06-26 07:11:05
的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況。今年以來，汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等下游產(chǎn)業(yè)需求激增，從而拉動對上游存儲器、邏輯、模擬IC、分立器件等各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求增長，進(jìn)而傳導(dǎo)至材料、設(shè)備、代工等產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)，維持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2018-08-21 18:31:47
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
，計(jì)劃將合作范圍自現(xiàn)行的液晶面板事業(yè)擴(kuò)大至事務(wù)機(jī)事業(yè)。據(jù)報(bào)導(dǎo)，夏普計(jì)劃以O(shè)EM的形式提供事務(wù)機(jī)給三星(即為三星代工生產(chǎn)掛上三星品牌的事務(wù)機(jī)產(chǎn)品)，且為加強(qiáng)彼此的合作關(guān)系，三星也可能對夏普進(jìn)行追加
2013-08-05 14:19:28
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
概述：TC89101是日本東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）出品的的一款容量為1024 byte的EEPROM存儲器。它是采用CMOS技術(shù)的大規(guī)模集成電路。TC89101主要應(yīng)用于以前生產(chǎn)
2021-04-06 07:29:38
大規(guī)模電動汽車生產(chǎn)需要先進(jìn)的電池化成和測試系統(tǒng)
2021-01-27 06:59:50
數(shù)字電子技術(shù)--半導(dǎo)體存儲器[hide][/hide]
2017-05-01 22:26:01
小幅上漲 有手機(jī)從業(yè)者曾告訴記者，存儲已經(jīng)超過屏幕、CPU，成為手機(jī)最大的成本，存儲在手機(jī)中的成本達(dá)到25%-35%，可見其重要性。而三星、SK海力士均在存儲器領(lǐng)域占據(jù)壟斷地位。 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體
2020-02-27 10:45:14
需求看淡 設(shè)備投資恐遞延存儲器價格下滑、資料中心的需求也有減緩的跡象，三星、SK海力士都出現(xiàn)縮小2019年半導(dǎo)體投資的征候。原先計(jì)劃進(jìn)駐平澤的三星第二層DRAM工廠的設(shè)備時間延后，SK海力士也將新設(shè)
2018-12-24 14:28:00
。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移遵循一條價值規(guī)律，向賺錢越多的地方轉(zhuǎn)移。全球存儲器會走超級大廠特大晶圓道路，一定會優(yōu)先采用最先進(jìn)的工藝技術(shù)。如全球存儲器中，由于12英寸的性價比已經(jīng)超過8英寸，因此全球43個8
2008-09-23 15:43:09
磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
通部分芯片的交付時間，已經(jīng)延長至超30周。三星工廠關(guān)閉后，高通部分產(chǎn)品的交付時間將進(jìn)一步延遲。（三星主要為高通生產(chǎn)電信芯片、圖像傳感器芯片與OLED面板。）可以看出，在這一場全球芯片荒之下，各大半導(dǎo)體巨頭
2021-03-31 14:16:49
存儲器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲器（易失或非易失）、磁表面存儲器（非易....
2021-07-26 06:22:47
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
位隨機(jī)存儲器問世。英特爾開始采用8英寸晶圓。三星成為全球最大的DRAM廠商。***地區(qū)各半導(dǎo)體廠陸續(xù)進(jìn)入0.6微米制程?！ ?993年66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝。三星建立第一個8英寸
2018-05-10 09:57:19
隨機(jī)存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
7.1.1
半導(dǎo)體存儲器的特點(diǎn)與應(yīng)用7.1.2
半導(dǎo)體存儲器的分類7.1.3
半導(dǎo)體存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
半導(dǎo)體存儲器是用
半導(dǎo)體器件來
存儲二值信息的
大規(guī)模集成電路?！?/div>
2009-07-15 18:40:53
0 韓國政府?dāng)y手三星與海力士 研發(fā)MRAM芯片
根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，韓國政府宣布，已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機(jī)存儲
2009-11-30 10:43:55666 半導(dǎo)體存儲器,半導(dǎo)體存儲器原理圖解
半導(dǎo)體存儲器是具備可以儲存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息，在必要時
2010-03-01 16:58:2326119 半導(dǎo)體存儲器 (semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為：隨機(jī)存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存
2011-05-30 18:26:10197 北京時間8月3日早間消息，三星周二宣布，他們已收購MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)芯片開發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。
2011-08-03 08:51:04599 山東省濟(jì)南華芯半導(dǎo)體公司旗下首條高端(FBGA)存儲器集成電路封裝測試生產(chǎn)線日前在下線，這將改變中國大容量存儲器芯片長期依賴國外的局面
2011-12-28 09:17:291290 市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告指出，2015與2016年發(fā)生的大規(guī)模并購（M&A）活動已經(jīng)改變了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局，大型廠商在市場占據(jù)的比例越來越大。
2016-12-13 11:01:37392 
存儲器與半導(dǎo)體存儲器
2022-07-08 16:07:4032 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2018-05-29 15:42:002282 
Random Access Memory)，它是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器 (SRAM) 的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器 (DRAM) 的高集成度，而且基本上可以無限
2018-12-17 16:09:01147 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 ReRAM，目前暫無商用產(chǎn)品，其代表公司是美國的Crossbar。 上述新型存儲器已被研究了近數(shù)十年，只是相對于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲sram、DRAM存儲器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用
2020-04-25 11:05:572584 
新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 新式存儲器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。新式存儲器可分為獨(dú)立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯
2020-06-30 16:21:58910 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時，不定要從頭開始，隨時都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:342782 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM是一種新型存儲器，其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。同時非易失性MRAM存儲器也應(yīng)用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 MRAM與傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)（MTJ ），而后者則是電荷。 每一個磁性隧道結(jié)包含一個固定層和一個自由層。固定層的磁化方向被固定了，而自由層的磁化方向可以由旋轉(zhuǎn)
2020-11-09 16:23:54887 隨機(jī)存取存儲器（MRAM）最早于1980年代開發(fā)，并被推廣為通用存儲器。與其他存儲技術(shù)不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與
2020-11-20 15:45:59772 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。 MRAM的存儲原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
半導(dǎo)體存儲器芯片，按照讀寫功能可分為隨機(jī)讀寫存儲器（RandomAccessMemory，RAM）和只讀存儲器（ReadOnlyMemory，ROM）兩大類。
2020-12-28 10:11:386046 STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結(jié)構(gòu)簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 一些自旋電子存儲器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲器，但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 17:05:141596 半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品生產(chǎn)商江波龍上市在即 中國的一些新興產(chǎn)業(yè)繼續(xù)蓬勃向上，特別是電子行業(yè)，近年來成為重點(diǎn)支持的產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品生產(chǎn)商江波龍即將開啟上市進(jìn)程，江波龍電子成立于1999年，主要
2022-07-25 18:01:551002 三星半導(dǎo)體宣布，通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了基于MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲）的存儲內(nèi)運(yùn)算（In-Memory Computing），進(jìn)一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術(shù)。
2022-11-10 12:16:21542 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 按照存儲介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學(xué)存儲器、磁性存儲器和半導(dǎo)體存儲器三類。光學(xué)存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導(dǎo)體存儲器是目前存儲領(lǐng)域市場規(guī)模最大
2022-12-01 10:18:332528 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462548 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01734 
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
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