存儲(chǔ)芯片庫(kù)存水位下降 三星、SK海力士調(diào)整產(chǎn)能應(yīng)對(duì) CIS 需求激增

DRAM、NAND 與 NOR 三季度總產(chǎn)值均提升，NAND Flash 現(xiàn)貨價(jià)格 11月至今漲幅 1.6%：三季度 DRAM、NAND 與 NOR 總產(chǎn)值分別為 154 億美元、119 億美元與 5.7 億美元，環(huán)比增速分別為 4.1%、10.2%與 4.3%。三季度 NAND 產(chǎn)品增速最快，產(chǎn)業(yè)高增速主要受益于年底銷(xiāo)售旺季以及因應(yīng)美中貿(mào)易沖突客戶提前備貨需求增加，整體位元出貨量增速近 15%。

另一方面，第三季 NAND 現(xiàn)貨價(jià)格跌幅持續(xù)收緊，11 月初至今上漲 1.6%，NAND 供應(yīng)商庫(kù)存水位明顯改善，NAND 產(chǎn)品價(jià)格有望率先回漲。

DRAM 方面：據(jù) DRAMeXchange 報(bào)告顯示，三星三季度 DRAM 芯片市場(chǎng)份額達(dá) 46.1%，為 2017 年 Q2 季度以來(lái)最高水平，除三星產(chǎn)能因素外，需求端服務(wù)器與手機(jī) DRAM 芯片消化三星庫(kù)存提升其市占率。

DRAMeXchange 稱(chēng)，由于中國(guó)智能手機(jī)廠商積極將季度出貨量提前，以及服務(wù)器市場(chǎng)的需求逐漸恢復(fù)，三星三季度的 DRAM 營(yíng)收同比增長(zhǎng) 30%，環(huán)比增長(zhǎng) 5%至 71 億美元。DRAM 市場(chǎng) CR4 高達(dá) 94.6%，市場(chǎng)仍集中在三星、海力士與美光三寡頭；隨著三寡頭庫(kù)存消化與需求端拉動(dòng)力增強(qiáng)，DRAM 價(jià)格下跌趨勢(shì)收緊，供需情況有望持續(xù)改善，明年將回歸正常水平。

NAND Flash 方面：據(jù) DRAMeXchange 報(bào)告顯示，2019 年第三季 NAND 產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收環(huán)比增速達(dá) 10.2%，產(chǎn)業(yè)高增速主要受益于年底銷(xiāo)售旺季以及因應(yīng)美中貿(mào)易沖突客戶提前備貨需求增加，整體位元出貨量增速近 15%。另一方面，第三季 NAND 現(xiàn)貨價(jià)格跌幅持續(xù)收緊，11 月初至今上漲 1.6%，NAND 供應(yīng)商庫(kù)存水位明顯改善，NAND 產(chǎn)品價(jià)格有望率先上調(diào)。

NOR Flash 方面：第三季度 NOR 行業(yè)整體營(yíng)收環(huán)比增速為 4.3%，單季市場(chǎng)總收入 5.7億美元，體量遠(yuǎn)低于 NAND 與 DRAM。其中，環(huán)比增速最快的廠商為大陸企業(yè)兆易創(chuàng)新，Q3 收入 1.04 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 36.2%，收入排名超過(guò)美國(guó)企業(yè)賽普拉斯晉升至第三名。NOR 廠商華邦電、旺宏與兆易創(chuàng)新單季營(yíng)收增長(zhǎng)主要受益于 TWS 耳機(jī)出貨量爆漲。

存儲(chǔ)廠商方面：三星 Q3 財(cái)報(bào)顯示，三季度營(yíng)收 61 萬(wàn)億韓元，同比下降 5%，主要受存儲(chǔ)市場(chǎng)疲軟影響。Q3 三星 DRAM 比特增速低至 30%，平均銷(xiāo)售價(jià)下降百分之十幾。預(yù)計(jì)四季度市場(chǎng)對(duì)DRAM 的需求增速在 10%以內(nèi)，三星的比特增速將與市場(chǎng)保持一致。

三星預(yù)計(jì) 2019 年市場(chǎng) NAND 比特增速將達(dá) 30%，三星的 NAND 比特增速將高于市場(chǎng)增速。產(chǎn)能方面，三星仍照原計(jì)劃逐季縮減 Line12 的 2D NAND 產(chǎn)品，并在持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)新制程的同時(shí)，維持相同的 3D NAND 投片規(guī)模。

在新產(chǎn)能方面，西安二期仍依規(guī)劃于 2020 年上半年投產(chǎn)，而平澤二廠預(yù)定明年下半年開(kāi)始營(yíng)運(yùn)。庫(kù)存方面，第三季度 NAND 已經(jīng)達(dá)到正常的庫(kù)存水平；三季度 DRAM 出貨量遠(yuǎn)超出預(yù)期，與 Q2 相比，目前的 DRAM 庫(kù)存減少比較明顯。

此外，三星需要額外的容量來(lái)響應(yīng) CIS 或 CMOS 圖像傳感器的需求，計(jì)劃從明年第一季度開(kāi)始增加 CIS 的產(chǎn)能，相應(yīng) DRAM 產(chǎn)能有所下降，預(yù)計(jì)三星 DRAM 庫(kù)存將在明年上半年達(dá)到正常水平。

SK 海力士 Q3 單季實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 6.84 萬(wàn)億韓元，同比下降 40%，環(huán)比增長(zhǎng) 6%；毛利率 27%，凈利率 7%，分別同比下降 39 和 34 個(gè)百分點(diǎn)，分別環(huán)比下降 4 和 1 個(gè)百分點(diǎn)。DRAM 比特出貨量環(huán)比增長(zhǎng) 23%，平均銷(xiāo)售價(jià)格下降 16%，智能手機(jī)新機(jī)發(fā)布代動(dòng)出貨量增多。NAND 閃存比特出貨量環(huán)比下降-1%，平均銷(xiāo)售價(jià)格增長(zhǎng) 4%。

產(chǎn)能方面，受 2D NAND產(chǎn)能縮減影響，今年 SK海力士整體產(chǎn)能呈現(xiàn)逐季遞減，而主流的 3D NAND 則小幅擴(kuò)產(chǎn)，新增產(chǎn)能主要設(shè)于 M15。海力士指出，公司正在將利川 M10 廠的一部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為批量生產(chǎn) CMOS 圖像傳感器(CIS)的生產(chǎn)線，同時(shí)減少 2D NAND 閃存的生產(chǎn)量。

預(yù)計(jì)明年的 DRAM 和 NAND 的生產(chǎn)量下降，相應(yīng)投資額減少。此外，SK 海力士將主攻高配置智能手機(jī)和 SSD 市場(chǎng)，預(yù)計(jì) NAND 閃存銷(xiāo)售額中 SSD 所占的比重在 Q4 將增加到 30%。

***存儲(chǔ)廠商南亞科 10 月?tīng)I(yíng)收 45.22 億新臺(tái)幣，同比下降 32.80%。華邦電 10 月?tīng)I(yíng)收 43.21億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng) 3.99%。旺宏 10 月?tīng)I(yíng)收 36.66 億新臺(tái)幣，同比下降-5.86%，環(huán)比下降 27.83%；旺宏 9 月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)歷史新高后，10 月?tīng)I(yíng)收大幅下降，受市場(chǎng)影響波動(dòng)較大。

旺宏 Q3 營(yíng)收 119.06 億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng) 19%，環(huán)比增長(zhǎng) 59%。Q3 營(yíng)收大幅增長(zhǎng)主要來(lái)自 ROM 產(chǎn)品收入爆漲，ROM 單季度收入同比增長(zhǎng) 58%，環(huán)比增長(zhǎng) 177%；≥64Gb 容量產(chǎn)品占 Q3 ROM 營(yíng)收的 83%。Flash 產(chǎn)品出貨量指數(shù) 351，環(huán)比小幅提升，處于歷史中位偏高水平。

Flash 營(yíng)收增長(zhǎng)主要來(lái)自下游的消費(fèi)電子與汽車(chē)電子需求增長(zhǎng)。***地區(qū)DRAM 廠商受供給過(guò)剩，價(jià)格下行影響，南亞科收入仍顯疲軟。NOR FLASH 廠商旺宏與華邦電單季營(yíng)收增長(zhǎng)主要受益于無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)滲透率持續(xù)擴(kuò)大。

據(jù)分析，若以蘋(píng)果耳機(jī)年銷(xiāo)售量約 4,000 萬(wàn)套并搭載 256Mb NOR Flash 計(jì)算，AirPods 產(chǎn)品線的 NOR Flash用量占全球年產(chǎn)值的 3~5%。另一方面，非蘋(píng)陣營(yíng)因訴求性價(jià)比，搭載 NOR Flash 容量略低于蘋(píng)果 AirPod 但數(shù)量驚人，對(duì) NOR Flash 需求大幅提升。