GaN和SiC能促電動汽車電池降本？ 一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注

迄今為止，電動汽車電池的價格昂貴，體積大且效率低。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是汽車電子領(lǐng)域的兩項半導(dǎo)體新技術(shù)，它們也許可以改變這一切。

較新的化學(xué)方法允許使用更小，更高效的半導(dǎo)體，該半導(dǎo)體可以在比傳統(tǒng)硅晶片更高的電壓下運行。特斯拉決定將SiC晶體管納入其Model 3的決定被視為該行業(yè)的重要里程碑。

SiC首先在1200V電壓下確立了自己的地位，在這一點上它已經(jīng)超越了硅和GaN，并已朝著600至900V的水平下降，從而為電動汽車市場服務(wù)。GaN在200至900V的電壓下勝過硅，并且還在電動汽車市場中確立了自己的地位。在這些電壓下，該技術(shù)還可用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)電動機驅(qū)動器的電力電子設(shè)備中。

隨著汽車工業(yè)迅速向電動汽車發(fā)展，預(yù)計將有更多的半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)成為眾多半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)的目標。

最為成熟的GaN初創(chuàng)公司包括GaN Systems和Navitas Semiconductor。其他有前途的GaN初創(chuàng)公司包括Ithaca，Odyssey Semiconductor和以色列的VisIC Technologies，它們都在開發(fā)高壓電源開關(guān)和模塊。

同時，最大的純碳化硅公司Cree去年宣布，將投資10億美元擴大北卡羅來納州達勒姆總部的制造能力，并在紐約州北部建造新的制造工廠。其他較小的碳化硅公司包括GeneSiC Semiconductor和GT Advanced Technologies。

意法半導(dǎo)體，英飛凌科技，安森美半導(dǎo)體和三菱電機等領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)商可能都在關(guān)注這一新貴。意法半導(dǎo)體（STMicro）在2019年2月以1.375億美元收購瑞典SiC晶圓制造商Norstel時已經(jīng)做了一些收購。諸如松下，安森美半導(dǎo)體，德州儀器和三肯電氣等其他大公司也正在開發(fā)GaN開關(guān)晶體管。一位行業(yè)投資銀行家和分析師表示，預(yù)計一些公司會通過收購來加速這一進程。

羅斯資本（Roth Capital）董事總經(jīng)理兼高級研究分析師克雷格·歐文（Craig Irwin）表示，除了諸如電動汽車和太陽能電池板等經(jīng)過驗證的應(yīng)用外，這些設(shè)備還為全新的應(yīng)用打開了大門。

資料來源：編譯自forbes