0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

NAND,DRAM的供應(yīng)不受冠狀病毒爆發(fā)的影響

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2020-02-13 01:27 ? 次閱讀

對于DRAM模塊的全球價格有望今年由微軟公司和索尼互動娛樂公司。Xbox Series X和PlayStation 5將比以前的版本具有更強大的規(guī)格,并且游戲機與NVIDIA Corporation的新圖形處理單元結(jié)合使用時,將確保對DRAM的大量需求。反過來,這種需求自然會產(chǎn)生真空,價格上漲將填補真空。

最近在中國武漢市爆發(fā)的新型冠狀病毒(2019-nCoV)引發(fā)了科技公司與供應(yīng)鏈中斷相關(guān)的擔(dān)憂??偛课挥诩永D醽喼輲毂鹊僦Z的設(shè)計師蘋果公司在武漢擁有不少于20家供應(yīng)商。在其最新的2020財年第一季度收益電話中,該公司管理層表示正在密切監(jiān)視東亞地區(qū)的情況。

由于主要工廠正常運轉(zhuǎn),中國的DRAM生產(chǎn)仍不受冠狀病毒的影響

研究公司TrendForce今天發(fā)布的一份新報告談到了冠狀病毒對中國DRAM制造商的影響。至此,大多數(shù)病例仍屬于武漢市,據(jù)信該病毒起源于武漢市。幸運的是,對于DRAM供應(yīng),武漢省沒有主要的DRAM制造商。因此,與冠狀病毒相關(guān)的新型中斷對中國DRAM供應(yīng)的潛在影響尚未顯現(xiàn)。

正如TrendForce指出的那樣,武漢附近只有一家中國主要的DRAM制造商。長鑫存儲(CXMT)在合肥市設(shè)有一家制造工廠,距離冠狀病毒的震中約380公里。今天的報告稱,該公司的合肥工廠尚未面臨任何與病毒有關(guān)的破壞,其擴(kuò)張計劃仍未受到影響,并且不會受到中國政府因持有冠狀病毒而施加的任何與物流或運輸相關(guān)的限制的影響。

在美光,三星和SK海力士之外,只有SK海力士的DRAM制造廠位于中國境內(nèi),但幸運的是,該公司在中國無錫的工廠距武漢700多公里。無錫工廠最近進(jìn)行了擴(kuò)建,SK海力士計劃通過該工廠每月生產(chǎn)18萬片晶圓。然而,TrendForce繼續(xù)警告說,盡管DRAM的制造仍不受2019年新型冠狀病毒的影響,但在不久的將來不能排除該病對中國物流供應(yīng)線的影響。

轉(zhuǎn)向NAND供應(yīng)。長江存儲技術(shù)有限公司和武漢新芯半導(dǎo)體制造有限公司的工廠位于武漢。人們認(rèn)為,長江公司將在新芯位于武漢的制造廠中運營,但鑒于兩家公司的產(chǎn)量都不足全球NAND供應(yīng)量的1%,因此,任何對其設(shè)施的中斷都會對NAND供應(yīng)產(chǎn)生有限的影響。

兩家公司都宣布非必要員工可以在家工作,但是工廠員工必須根據(jù)農(nóng)歷新年的時間表報告工作情況。三星電子英特爾公司由于位于武漢的NAND制造設(shè)施與武漢市之間的距離,因此可以安全地免受冠狀病毒的影響。兩家公司的設(shè)施將根據(jù)今天報告的詳細(xì)信息正常運行。總而言之,冠狀病毒尚未嚴(yán)重破壞NAND和DRAM供應(yīng)鏈,從外觀上看,病毒對這些模塊的總體影響將受到限制。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2292

    瀏覽量

    183146
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1661

    瀏覽量

    135896
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    DRAMNAND閃存價格大幅下跌

    近期,DRAMNAND存儲行業(yè)再次遭遇消費者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲合約價格在短短一個月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,DRAM價格尤其受到重創(chuàng),近一個月內(nèi)下跌近20%。
    的頭像 發(fā)表于 10-09 17:08 ?398次閱讀

    DRAMNAND市場迎高增長,2024年收入飆升

    據(jù)集邦咨詢最新報告,全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強勁增長、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚以及HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)興起的共同驅(qū)動,兩大存儲芯片行業(yè)預(yù)計在2024年將實現(xiàn)爆炸性增長。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 17:45 ?661次閱讀

    TrendForce預(yù)測2025年DRAMNAND閃存產(chǎn)業(yè)營收將創(chuàng)歷史新高

    型產(chǎn)品的涌現(xiàn),預(yù)計到2024年度,全球DRAMNAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營業(yè)收入有望實現(xiàn)75%和77%的驚人同比增長。而在此之后的2025年度,這兩大領(lǐng)域的營收增長勢頭仍將持續(xù),預(yù)計DRAMNA
    的頭像 發(fā)表于 07-24 14:51 ?490次閱讀

    業(yè)界預(yù)警:通用型DRAM供應(yīng)或面臨短缺

    在當(dāng)前的半導(dǎo)體存儲芯片市場中,一個引人注目的趨勢正在悄然成形。業(yè)界專家紛紛指出,隨著高帶寬存儲(HBM)等先進(jìn)DRAM技術(shù)的投資熱潮,通用型DRAM(Dynamic Random-Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)的供應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 06-26 11:46 ?753次閱讀

    三星、SK海力士對DRAMNAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

    DRAMNAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:54 ?471次閱讀

    AI浪潮拉動DRAMNAND閃存合約價飆升

    首先來看DRAM內(nèi)存,TrendForce原本預(yù)測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%,現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存,原預(yù)測漲幅為13~18%,現(xiàn)已調(diào)整至15~20%,其中eMMC/UFS的漲幅相對較小,為10%。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 15:56 ?335次閱讀

    西部數(shù)據(jù)調(diào)整NAND閃存和硬盤價格,因需求旺盛供應(yīng)不足

    已證實,西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函,宣布將對NAND閃存及硬盤產(chǎn)品價格進(jìn)行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明,稱市場需求遠(yuǎn)超預(yù)期,導(dǎo)致供應(yīng)緊張,加劇了電子行業(yè)供應(yīng)鏈問題。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 16:33 ?512次閱讀

    羅徹斯特攜手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)DRAMNAND存儲解決方案

    羅徹斯特電子與Intelligent Memory攜手合作,確保為工業(yè)應(yīng)用和嵌入式應(yīng)用提供傳統(tǒng)和成熟的DRAMNAND存儲解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:59 ?347次閱讀

    DRAM漲價啟動!Q1漲幅高達(dá)20%

    有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價,但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%,大幅
    的頭像 發(fā)表于 01-08 16:43 ?763次閱讀

    三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

    部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC N
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:46 ?936次閱讀

    NAND芯片價格止跌回升,供應(yīng)商尋求更大利潤

    全球儲存型快閃記憶體市場排名中,三星以34.3%的市占率居于領(lǐng)先地位。為達(dá)到盈利目標(biāo),NAND芯片供應(yīng)商將持續(xù)拉抬報價。
    的頭像 發(fā)表于 01-02 17:08 ?914次閱讀

    DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強烈

    NAND產(chǎn)品中,同樣代表市場行情的256Gb TLC,第四季度單價為1.85美元左右,相比三季度上漲12%。
    發(fā)表于 12-26 13:54 ?272次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>、<b class='flag-5'>NAND</b>閃存漲價意愿非常強烈

    SK集團(tuán)會長:DRAM需求正在改善,NAND幾乎處于休眠狀態(tài)

    他在記者會上稱,雖然期望2023年上半年能夠全面恢復(fù),但還需耐心等待。部分領(lǐng)域的需求推動著市場前行,然而市場并未全面復(fù)蘇。他特別指出,現(xiàn)階段DRAM產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)良好,但NAND卻仍然停滯不前。
    的頭像 發(fā)表于 12-19 13:54 ?448次閱讀

    dramnand的區(qū)別

    dramnand的區(qū)別? DRAMNAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是
    的頭像 發(fā)表于 12-08 10:32 ?6771次閱讀

    存儲芯片價格上漲已從DRAM擴(kuò)大到NAND閃存 明年上半年預(yù)計上漲超過10%

    但是,存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說,已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴(kuò)大到nand閃存。
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:53 ?758次閱讀