臺積電3nm試量產(chǎn)延期，A14處理器量產(chǎn)推遲

3月31日訊，在新冠肺炎疫情嚴峻的形勢下，供應(yīng)鏈傳出消息稱，臺積電3 nm 試產(chǎn)線安裝被迫延后，原定 6 月裝機的安排將延遲到 10 月。供應(yīng)鏈表示，臺積電原定今年底提前試產(chǎn) 3 nm 制程的計劃，也將延至明年年初，但應(yīng)會如該公司原計劃般在 2022 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

對于該消息，臺積電表示，過去并未正式發(fā)布 3nm試量產(chǎn)時程，3nm 試產(chǎn)時程延后是外界揣測，不評論外界揣測。臺積電指出，5nm制程是目前發(fā)展的重點，依進度發(fā)展。公司預(yù)計上半年率先量產(chǎn) 5nm，維持競爭優(yōu)勢。

據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈最新消息稱，iPhone 12的準備工作依然正在進行，蘋果不會輕易推遲它的發(fā)布，因為這個新品對它們至關(guān)重要。

據(jù)悉，臺積電仍將于下個月為蘋果公司量產(chǎn)A14處理，雖然近日有消息稱A14處理器的量產(chǎn)日期將推遲1——2個季度。

在當前環(huán)境下，臺積電5nm芯片生產(chǎn)線仍排滿了訂單，將按計劃于4月份為蘋果量產(chǎn)A14處理器。A系列芯片的生產(chǎn)通常在4月至5月份開始，因此，這意味著臺積電此次量產(chǎn)A14處理器是如期進行，并未受到其他因素的影響。

自2016年以來，臺積電一直都是蘋果“A系列”處理器的獨家供應(yīng)商。其中，A10處理器采用16納米制造工藝，A11采用10納米工藝，A12采用7納米工藝，去年的A13采用7納米工藝+極紫外光刻工藝。而今年，臺積電將使用5納米技術(shù)來生產(chǎn)A14處理器。

之前有消息稱，今年只有兩款高端iPhone，也就是iPhone 12 Pro 和iPhone 12 Pro Max會采用ToF傳感器。ToF傳感器會為iPhone帶來全新 AR 體驗。蘋果還會推出專門的AR應(yīng)用，增強可玩性。

今年蘋果將會推出4款5G手機，其都會使用臺積電的5nm A14處理器，相比上一代A13來說，更先進的架構(gòu)下，新的A14表現(xiàn)出的性能也必然更強大。從之前曝光的A14處理器的跑分（蘋果A14有可能成為首個正式超過3GHz的ARM手機處理器）看，其頻率堆到了3.1GHz，GK5單核1658分，多核4612分。

A14的提升到底有多大？A13的單核、多核是1329、3468分，對比一下的話，A14的單核性能提升了25%，多核提升了33%，很顯然今年A14又是默秒全安卓陣營了。

業(yè)內(nèi)人士表示，3 nm 是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷年來最大手筆的投資，更是龍頭爭霸的關(guān)鍵戰(zhàn)役。據(jù)悉，臺積電在中國臺灣的 3 nm 計劃投資總額逾 1.5 萬億元新臺幣。不過，三星追趕臺積電的企圖也一直沒有停過。三星在 14 nm 制程上大幅落后臺積電，之后的 10 nm、7 nm 更被臺積電大幅領(lǐng)先，三星因此跳過 5 nm，決定在 3 nm 方面縮小與臺積電差距，并規(guī)劃在 2030 年前投資 1160 億美元，打造非內(nèi)存的半導(dǎo)體王國。

面對三星追趕，臺積電并不畏戰(zhàn)，因為臺積電在 5 nm 已取得壓倒性勝利，幾乎囊括了全年能夠參與 5 nm 制程的所有客戶，包括蘋果、海思、AMD、高通等，這些客戶未來也將是少數(shù)能參與 3 nm 競賽的半導(dǎo)體廠。

臺積電在 3 nm 方面計劃始終低調(diào)，僅在多次法說會中揭露量產(chǎn)時間落在 2022 年，但一直未透露技術(shù)規(guī)范。不過值得一提的是，臺積電原定于 4 月 29 日在美國圣塔克拉拉舉行北美技術(shù)論壇公布 3 nm 制程細節(jié)，但受新冠肺炎疫情全球蔓延影響，臺積電決定將今年第一場舉行的北美技術(shù)論壇延后至 8 月 24 日，其他地區(qū)的技術(shù)研討會則于 9 月重新安排。

目前，臺積電并無調(diào)整第 1 季度運營目標的計劃，季營收將達約 102 億至 103 億美元，預(yù)計季減約 1.3%，表現(xiàn)將淡季不淡。不過業(yè)內(nèi)人士也預(yù)期，新冠肺炎疫情對臺積電運營的影響恐將在第 2 季逐步顯現(xiàn)，臺積電第 2 季可能面臨客戶庫存調(diào)節(jié)影響，業(yè)績將較第 1 季滑落。

在半導(dǎo)體公司進入10nm節(jié)點之后，全球有能力有機會跟進的只剩下Intel、臺積電、三星三家公司了，其中三星的3nm工藝將轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，臺積電的3nm相對保守些，第一代還是FinFET工藝。

臺積電原本在4月份舉行技術(shù)論壇會議，揭秘3nm工藝的計劃，不過因為疫情影響，現(xiàn)在已經(jīng)延期到了8月底。

此外，3nm工藝的試產(chǎn)計劃恐怕也要延期了，原計劃在6月份風險試產(chǎn)，但是因為最新疫情的蔓延，半導(dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成，試產(chǎn)時間將延期到10月份。

相應(yīng)地，臺積電南科18廠的3nm生產(chǎn)線也會順延一個季度，原本在10月份安裝設(shè)備，現(xiàn)在也要到2021年初了。

不過對臺積電來說，今年最大的風險還是5nm工藝，正常情況應(yīng)該是在Q2季度末，也就是6月份開始量產(chǎn)蘋果的A14處理器，還有華為的麒麟1020處理器，但是因為疫情導(dǎo)致供應(yīng)鏈及需求放緩，此前傳聞蘋果A14處理器要延期3個月量產(chǎn)拉貨，這將影響臺積電Q3季度運營表現(xiàn)。

3nm制程是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷年最大手筆投資，更是龍頭爭霸的關(guān)鍵戰(zhàn)役。臺積電將投資總額逾1.5兆元的3納米計劃留在臺灣，奠定中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造重心，也掀起強大的群聚效應(yīng)。

不過，三星追趕臺積電的企圖一直沒有停過，三星在14納米制程大幅落后臺積電后，隨后的10nm、7nm制程更被臺積電大幅領(lǐng)先，三星因而跳過5nm，直接決戰(zhàn)3nm制程，計劃在2030年前投資1160億美元，希望超越臺積電成為全球第一大晶圓代工廠。

臺積電目前在5nm制程已取得壓倒性勝利，幾乎囊括全年能夠參與5nm制程的所有客戶，包括蘋果、海思、超微、高通，這些客戶未來也將是少數(shù)能參與3nm競賽的半導(dǎo)體廠。但臺積電在3nm計劃始終維持低調(diào)，在多次的法說會只揭露2022年量產(chǎn)時程，堅持不對外透露制程技術(shù)。

這場半導(dǎo)體雙強的3nm爭霸，原本在臺積電總裁魏哲家宣布臺積電將于四月二十九日圣塔克拉拉舉行北美技術(shù)論壇公布3nm制程，再度引爆戰(zhàn)火。但臺積電稍早在官網(wǎng)已決定將論壇延至八月二十四日，其他地區(qū)的技術(shù)研討會將在九月重新安排。

此外，臺積電原訂六月于竹科十二Ｂ廠裝設(shè)3nm試產(chǎn)線，也因歐美疫情升高，相關(guān)關(guān)鍵設(shè)備無法如期交貨，裝機人員也受到境外人士不能抵臺等限制，無法如期裝設(shè)，臺積電供應(yīng)鏈透露將延至今年十月裝設(shè)。

至于南科十八廠原訂今年十月也裝設(shè)一條3nm試產(chǎn)線，預(yù)料也將向后延至少1nm，換句話說，臺積電原訂今年底提前試產(chǎn)3nm制程計劃，將延至明年初才會試產(chǎn)，但應(yīng)會如原先預(yù)定在2022年量產(chǎn)。

三星已開發(fā)首款3nm GAAFET半導(dǎo)體原型

今年年初，三星電子宣布成功開發(fā)了世界上首個3nm超細半導(dǎo)體工藝技術(shù)。三星電子在中長期愿景中也啟用了“綠色信號”，以在2030年實現(xiàn)系統(tǒng)半導(dǎo)體世界第一的地位，這使超精細工藝技術(shù)的競爭對手不勝枚舉。

據(jù)三星電子在今年1月2日的報道，三星副董事長李在勇訪問了華城工廠的半導(dǎo)體研究中心，以接收有關(guān)三星電子開發(fā)的全球首個3納米工藝技術(shù)的報告，以及負責三星電子，下一代半導(dǎo)體半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門總裁的報告。

據(jù)報道，三星在3nm工藝上的工作是基于全能柵極（GAAFET）技術(shù)，而不是FinFET。據(jù)稱，這將使總硅片尺寸減少35％，而功耗卻減少了約50％，并且與5nm FinFET工藝相比，功耗保持不變，性能提高了33％。

三星在一年前就宣布在3nm GAAFET工藝上進行工作，當時它說它的目標是在2021年實現(xiàn)批量生產(chǎn)。那在當時被認為是雄心勃勃的，但是如果三星已經(jīng)成功生產(chǎn)出其首批3nm原型，那么該供應(yīng)商可能比預(yù)期的要近。

GAAFET設(shè)計與FinFET設(shè)計的不同之處在于，GAAFET設(shè)計圍繞著在通道的四個側(cè)面周圍都有柵極，從而確保了減少的功率泄漏并因此改善了對通道的控制-這是縮小工藝節(jié)點時的基本步驟。切換到更高效的晶體管設(shè)計，再加上減小的節(jié)點尺寸，可以在5nm FinFET工藝上實現(xiàn)每瓦性能的巨大飛躍。

李在報告過程開發(fā)的結(jié)果時說：“過去的表現(xiàn)并不能保證未來的成功。歷史不是等待，而是成功。讓我們大膽地放棄錯誤的做法和事故，開創(chuàng)一個新的未來?！?/p>

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