三星和臺積電的先進制程就又站到了同一起跑線上

近年來臺積電在先進制程工藝的路上可謂是一騎絕塵，擊敗了眾多代工廠，身價也是水漲船高。

今年一季度臺積電就已經(jīng)開始大規(guī)模投產(chǎn)5nm工藝，3nm也正在快馬加鞭地研發(fā)之中。臺積電表示，將會在2021年開始量產(chǎn)3nm，并最終在2022年下半年實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

而在更進一步的2nm，有消息稱臺積電在去年就已組建了研發(fā)團隊，確定了2nm工藝的研發(fā)路線，預(yù)計臺積電的2nm工藝可能會在在2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

此前也有消息人士表示，臺積電目前對2nm工藝在2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)、2024年大規(guī)模投產(chǎn)非常樂觀，風(fēng)險試產(chǎn)的良品率預(yù)計不會低于90%，但目前還不清楚疫情是否會對他們的計劃造成影響。

不過根據(jù)最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內(nèi)部突破，雖未披露細節(jié)，但是據(jù)此樂觀預(yù)計，2nm工藝有望在2023年下半年進行風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。

臺積電預(yù)計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

在技術(shù)工藝上，臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應(yīng)晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。該技術(shù)能夠大大改進電路控制，降低漏電率。

不過作為對手，三星并沒有坐以待斃，事實上，從2019年開始，三星就已經(jīng)啟動了一個“半導(dǎo)體2030計劃”，希望在2030年之前投資133萬億韓元，約合1160億美元，讓自己發(fā)展成為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進邏輯工藝是重點之一，目標就是要追趕上臺積電。

而根據(jù)最新消息，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的高管日前透露說，三星計劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝，而臺積電的計劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝。這樣一來，三星和臺積電的先進制程就又站到了同一起跑線上。

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