近年來臺積電在先進制程工藝的路上可謂是一騎絕塵,擊敗了眾多代工廠,身價也是水漲船高。
今年一季度臺積電就已經(jīng)開始大規(guī)模投產(chǎn)5nm工藝,3nm也正在快馬加鞭地研發(fā)之中。臺積電表示,將會在2021年開始量產(chǎn)3nm,并最終在2022年下半年實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
而在更進一步的2nm,有消息稱臺積電在去年就已組建了研發(fā)團隊,確定了2nm工藝的研發(fā)路線,預(yù)計臺積電的2nm工藝可能會在在2024年大規(guī)模投產(chǎn)。
此前也有消息人士表示,臺積電目前對2nm工藝在2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)、2024年大規(guī)模投產(chǎn)非常樂觀,風(fēng)險試產(chǎn)的良品率預(yù)計不會低于90%,但目前還不清楚疫情是否會對他們的計劃造成影響。
不過根據(jù)最新報道,臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內(nèi)部突破,雖未披露細節(jié),但是據(jù)此樂觀預(yù)計,2nm工藝有望在2023年下半年進行風(fēng)險性試產(chǎn),2024年就能步入量產(chǎn)階段。
臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。
臺積電預(yù)計,蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。
在技術(shù)工藝上,臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管),而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應(yīng)晶體管),也就是納米片(nanosheet)。該技術(shù)能夠大大改進電路控制,降低漏電率。
不過作為對手,三星并沒有坐以待斃,事實上,從2019年開始,三星就已經(jīng)啟動了一個“半導(dǎo)體2030計劃”,希望在2030年之前投資133萬億韓元,約合1160億美元,讓自己發(fā)展成為全球最大的半導(dǎo)體公司,其中先進邏輯工藝是重點之一,目標就是要追趕上臺積電。
而根據(jù)最新消息,三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的高管日前透露說,三星計劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝,而臺積電的計劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝。這樣一來,三星和臺積電的先進制程就又站到了同一起跑線上。
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原文標題:資訊 | 臺積電2nm研究重大突破,有望2023年下半年試產(chǎn)
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