Intel宣布第三代傲騰持久內(nèi)存：又一次全球首創(chuàng)

在今年的內(nèi)存與存儲日活動上，Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級SSD D7-P5510/D5-P5316、消費級SSD 670p，基于新一代傲騰介質(zhì)的企業(yè)級SSD P5800X、混合式SSD H20，還帶來了新一代傲騰持久內(nèi)存（PMem）的消息。

傲騰持久內(nèi)存條的誕生并非為了取代傳統(tǒng)DRAM DDR系列內(nèi)存，現(xiàn)在不會未來也不會，而是聯(lián)合傲騰SSD，共同作為DRAM DDR內(nèi)存條與NAND閃存固態(tài)盤之間的橋梁，填補二者之間在容量、性能上的空檔，構(gòu)成一個完整的存儲體系。

其中，傲騰持久內(nèi)存通過雙倍數(shù)據(jù)速率總線連接CPU，能夠以DRAM內(nèi)存的速度直接加載和存儲訪問，同時兼具非易失性，融合了DRAM內(nèi)存、NAND存儲的最佳特性。

今年6月份，Intel發(fā)布了第二代傲騰持久內(nèi)存PMem 200系列，繼續(xù)兼容DDR4 DIMM形態(tài)，單條容量128/256/512GB，熱設(shè)計功耗分別為15/18/18W（比上代降低約3W），內(nèi)存可選1866/2133/2400/266MHz，帶寬比上代提升25％，數(shù)據(jù)訪問速度比NAND閃存高出225倍。

第二代傲騰持久內(nèi)存主要搭檔第三代可擴展至強（已發(fā)布的Copper Lake和將發(fā)布的Ice Lake），每路六通道12條插槽，可以安裝最多6條，再加上6條DDR4內(nèi)存，單路系統(tǒng)內(nèi)存總?cè)萘烤涂梢赃_到驚人的6TB。

二代傲騰持久內(nèi)存，形態(tài)和DDR4保持一致

Intel現(xiàn)在宣布，即將推出代號“Crow Pass”的第三代傲騰持久內(nèi)存，全球第一個引入DDR總線，將在代號“Sapphire Rapids”的未來可擴展志強平臺中提供。

Intel沒有披露第三代傲騰持久內(nèi)存的具體特性，不過此前已宣布，Sapphire Rapids（第四代可擴展至強）平臺將在2021年下半年出貨，基于10nm SuperFin工藝，并引入DDR5內(nèi)存、PCIe 5.0總線、CXL 1.1異構(gòu)互聯(lián)協(xié)議、AMX先進矩陣擴展加速指令集。

這么來看，第三代傲騰內(nèi)存條將兼容DDR5 DIMM形態(tài)，并與之聯(lián)手。

根據(jù)傳聞，Sapphire Rapids將會擁有全新的Golden Cove CPU架構(gòu)，最多56核心112線程（不排除60核心120線程），MCM多芯片封裝設(shè)計，同時集成HBM2e高帶寬內(nèi)存，最大容量64GB，最高帶寬1TB/s，提供最多80條PCIe 4.0，最高支持八通道DDR5-4800，熱設(shè)計功耗最高400W。

責(zé)任編輯：haq