2021年DRAM內(nèi)存價格將觸底反彈
內(nèi)存行情已經(jīng)低迷了快兩年，進(jìn)入2021后，廠商們很快要開始嘗到甜頭了。
本周，南亞科技表示，預(yù)計DRAM的價格在今年一季度將開始上漲，且會持續(xù)到二季度。
最新的媒體報道中，存儲模組制造商也釋放信號，DRAM的合約價格將一季度將上漲超過5%到10%左右，二季度仍將上漲。
關(guān)于內(nèi)存漲價的原因據(jù)說是供應(yīng)不足、供不應(yīng)求所致。
實際上，美光斷電事件后，在財報中，這家顆粒大廠已經(jīng)給出今年DRAM芯片漲價的預(yù)期。另外，上周有爆料，三星決定將存儲工廠改造為CMOS工廠，一方面是為滿足CMOS客戶的強烈需求并以量換取市場份額，和索尼競爭，另一方面也是想改善內(nèi)存的利潤狀況。
至于SK海力士，收購Intel閃存業(yè)務(wù)后，已經(jīng)不愿在花費更多的資金進(jìn)行增產(chǎn)。
責(zé)編AJX
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