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湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房順利完成封頂

ss ? 來源:愛集微APP ? 作者:愛集微APP ? 2021-01-20 10:18 ? 次閱讀

據長沙晚報報道,2021年1月19日,湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房順利完成封頂,此次封頂標志著這座湖南省境內的首個第三代半導體產業(yè)園項目(一期)Ⅰ標段完成全面封頂,預計該項目在2021年中有望實現全面投產。

據了解,該項目分兩期建設,當前項目一期主要包含碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關配套設施建設,項目全面建成投產后將形成兩條并行的碳化硅研發(fā)、生產全產業(yè)鏈產線,產品為高質量、低成本、高穩(wěn)定性碳化硅襯底及各類器件,可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等。

據集微網此前消息顯示,2020年12月,湖南三安半導體項目(一期)Ⅰ標段濺度廠房實現主體結構封頂。

據悉,長沙三安第三代半導體項目,總占地面積1000畝、投資160億元,主要建設具有自主知識產權的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產業(yè)生產基地,項目建成達產后將形成超百億元的產業(yè)規(guī)模,并帶動上下游配套產業(yè)產值預計逾千億元。

2020年7月20日,長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。

責任編輯:xj

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