功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開關(guān)速度、更小的器件體積這個趨勢發(fā)展,而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板,很難有大幅提升的空間,因此基于氮化鎵(GaN)等第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的新型器件成為研發(fā)的重點(diǎn),相關(guān)的應(yīng)用開發(fā)活動也十分活躍。
EPC新近推出的EPC2218增強(qiáng)模式氮化鎵功率晶體管(eGaN FET)就是在這個大趨勢下應(yīng)運(yùn)而生的一款性能優(yōu)異的器件。
EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強(qiáng)型GaN FET,該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95mm,僅以鈍化芯片形式提供,帶有焊錫條。該器件的導(dǎo)通電阻僅有3.2mΩ,與前代eGaN FET相比降低了接近20%,顯著減少了功耗并提高了額定直流功率。
與硅基MOSFET相比,EPC2218的柵極電荷(QG)更小,并且沒有反向恢復(fù)電荷(QRR),因此可以實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的功耗。
EPC2218非常適合于48 VOUT同步整流、D類音頻、信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及自動駕駛汽車、機(jī)器人和無人機(jī)的LiDAR的應(yīng)用。
器件特性
更高的開關(guān)頻率:更低的開關(guān)損耗和更低的驅(qū)動功率
效率更高、傳導(dǎo)和開關(guān)損耗更低、反向恢復(fù)損耗為零
占板面積更小,功率更高
DC/DC轉(zhuǎn)換器
AC/DC和DC/DC的同步整流
激光雷達(dá)/脈沖功率
負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器
D類音頻
LED照明
責(zé)任編輯:haq
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原文標(biāo)題:高速度、高功率、小尺寸、低功耗……這款GaN FET,堪稱氮化鎵功率器件典范!
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