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博世將累計(jì)追加投資在羅伊特林根增建無(wú)塵車間

科技綠洲 ? 來(lái)源:博世汽車電子事業(yè)部 ? 作者:博世汽車電子事業(yè) ? 2022-06-21 10:36 ? 次閱讀

近日,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司AccoPower)向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。此次定點(diǎn),開啟了博世和國(guó)內(nèi)碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)合作的業(yè)務(wù)模式。該項(xiàng)目中的博世碳化硅芯片將最終被裝配在國(guó)內(nèi)某核心自主品牌主機(jī)廠SEA架構(gòu)的多款車型中。作為全球唯一自主生產(chǎn)碳化硅芯片的汽車零部件供應(yīng)商,博世正與其他多家碳化硅模塊廠,逆變器廠及主機(jī)廠進(jìn)行積極的技術(shù)溝通和商務(wù)洽談。

博世擁有自己的碳化硅芯片研發(fā),在芯片溝槽技術(shù)方面已有20多年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。博世的碳化硅產(chǎn)品采用了獨(dú)特的雙通道溝槽柵極技術(shù),與平面型和單通道溝槽柵極技術(shù)相比,博世的雙通道溝槽柵極技術(shù)在相同的芯片面積下具有更低的導(dǎo)通電阻,這使得我們可以在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更好的功能,這對(duì)于芯片產(chǎn)出與成本控制都有優(yōu)勢(shì);博世碳化硅芯片還提高了對(duì)di/dt的耐受,結(jié)合較低的米勒系數(shù),進(jìn)一步降低了開關(guān)的能量損耗。優(yōu)化后的設(shè)計(jì),可確保更加出色的柵極氧化層魯棒性。

博世碳化硅芯片產(chǎn)品不僅提供裸片,還提供包含TO-247-3L、TO-247-4L和TO-263-7L封裝的750V、1200V單管MOSFET,以滿足客戶的不同需求。

同時(shí),在芯片市場(chǎng)需求激增的情況下,博世全面提高半導(dǎo)體生產(chǎn)能力,竭力保障客戶供貨。博世不僅于2022年全面擴(kuò)建其位于德國(guó)德累斯頓和羅伊特林根的晶圓廠以及位于馬來(lái)西亞檳城的半導(dǎo)體測(cè)試中心。2021至2023年間,博世將累計(jì)追加投資1.5億歐元在羅伊特林根增建無(wú)塵車間,此舉有望緩解碳化硅功率半導(dǎo)體的供需缺口。

作為一家全球領(lǐng)先的技術(shù)與服務(wù)供應(yīng)商,博世自1970年起便在羅伊特林根量產(chǎn)半導(dǎo)體元件。博世利用自身在半導(dǎo)體和汽車領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí),不斷提高產(chǎn)品性能,為汽車新能源事業(yè)和碳中和持續(xù)注能,惠及客戶以及無(wú)數(shù)想在未來(lái)繼續(xù)享受安全高效出行的人們。

審核編輯:彭靜
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