單片2 MHz GaN半橋適合D類(lèi)音頻
EPC2106是增強(qiáng)型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個(gè) eGaN 功率 FET 集成到單個(gè)器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。這提高了效率（尤其是在較高頻率下）和功率密度，同時(shí)降低了最終用戶(hù)的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。
半橋組件的額定電壓為 100 V，典型 R DS(on) 為 55 mΩ，輸出電容 <600 pF，零反向恢復(fù) (Q RR )，最大脈沖漏極電流為 18 A。高效率并顯著降低 D 類(lèi)系統(tǒng)中的失真。
該器件采用極小的 1.35 x 1.35-mm 芯片級(jí)封裝，可提高開(kāi)關(guān)速度和熱性能，從而提高功率密度。為了演示，EPC9106 D 類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì)在功率級(jí)中使用高頻開(kāi)關(guān)氮化鎵功率晶體管，提供 D 類(lèi)音頻信號(hào)的精確高功率再現(xiàn)。
審核編輯：劉清
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