Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評(píng)估-總結(jié)
與以往的PMDU封裝相比，PMDE封裝的安裝面積減少了40%左右，并且，通過(guò)加大背面電極還提高了散熱性能，如果電路板設(shè)計(jì)得當(dāng)，那么PMDE封裝的散熱性能可以達(dá)到PMDU封裝同等以上的水平。此外，要想在有限的空間內(nèi)充分發(fā)揮PMDE的散熱性能，設(shè)置要實(shí)裝的銅箔面積和厚度就變得非常重要了。此次的評(píng)估結(jié)果表明，在包括車載設(shè)備在內(nèi)的各種對(duì)節(jié)省空間和低發(fā)熱量要求較高的設(shè)備中，PMDE封裝是一種具有很大優(yōu)勢(shì)的封裝。
以下是本系列文章的鏈接和關(guān)鍵要點(diǎn)匯總。
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評(píng)估ー前言ー
關(guān)鍵要點(diǎn)
?新封裝“PMDE”是傳統(tǒng)“PMDU”封裝的改進(jìn)版。
?PMDE與PMDU相比實(shí)際安裝面積減少了約40%，通過(guò)將背面電極擴(kuò)大約1.5倍確保了同等的封裝容許損耗，且安裝強(qiáng)度提高了1.4倍。
關(guān)鍵要點(diǎn)
?PMDE與PMDU相比實(shí)際安裝面積減少了約40%，還確保了同等的封裝容許損耗，且安裝強(qiáng)度提高了1.4倍。
?無(wú)線結(jié)構(gòu)消除了浪涌電流導(dǎo)致斷線的風(fēng)險(xiǎn)，因此實(shí)現(xiàn)了出色的浪涌電流耐受能力（IFSM）。
?PMDE的結(jié)構(gòu)通過(guò)大面積暴露底部電極，能夠直接有效地將熱量散發(fā)到電路板上。
關(guān)鍵要點(diǎn)
?在PCB實(shí)際安裝狀態(tài)下，隨著銅箔面積的增加，熱量變得更容易擴(kuò)散，因而能夠提高散熱性能。
?如果銅箔面積過(guò)小，PMDE的Rth(j-a)會(huì)比PMDU還大，從而無(wú)法充分發(fā)揮出散熱性能。
?隨著銅箔面積的增加，PMDE的散熱性能提高并會(huì)超過(guò)PMDU。
?PMDE的散熱性能是銅箔面積越厚越能以更小的銅箔面積超過(guò)PMDU。
?即使將銅箔面積增加到超過(guò)所需面積，由于散熱性能飽和也無(wú)法獲得與面積相稱的散熱效果，因此應(yīng)采用合適的銅箔面積。
關(guān)鍵要點(diǎn)
?在此次比較評(píng)估中，盡管 PMDE封裝的尺寸更小，但其封裝溫度Tc和效率卻達(dá)到了與PMDU同等的水平。
?如果效率同等，則可以推斷Tj也同等，這表明PMDE雖然尺寸更小，但卻表現(xiàn)出與PMDU同等的散熱性能。
關(guān)鍵要點(diǎn)
?PMDE封裝適用于以SBD為主的眾多機(jī)型。
?未來(lái)，ROHM計(jì)劃將PMDE封裝擴(kuò)大應(yīng)用到FRD、ZD、TVS等產(chǎn)品中。
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